全志A33方案核心板原理图&PCB;设计，基于两片DRAM,四层电路板

oduleGPS ( //////////////////// ClockInput //////////////////// CLOCK_24, // 24MHz CLOCK_27, // 27MHz CLOCK_50, // 50MHz EXT_CLOCK, // ExternalClock //////////////////// PushButton //////////////////// KEY, // Pushbutton[3:0] //////////////////// DPDTSwitch //////////////////// SW, // ToggleSwitch[9:0] //////////////////// 7-SEGDispaly //////////////////// HEX0, // SevenSegmentDigit0 HEX1, // SevenSegmentDigit1 HEX2, // SevenSegmentDigit2 HEX3, // SevenSegmentDigit3 //////////////////////// LED //////////////////////// LEDG, // LEDGreen[7:0] LEDR, // LEDRed[9:0] //////////////////////// UART //////////////////////// UART_TXD, // UARTTransmitter UART_RXD, // UARTReceiver ///////////////////// SDRAMInterface //////////////// DRAM_DQ, // SDRAMDatabus16Bits DRAM_ADDR, // SDRAMAddressbus12Bits DRAM_LDQM, // SDRAMLow-byteDataMask DRAM_UDQM, // SDRAMHigh-byteDataMask DRAM_WE_N, // SDRAMWriteEnable DRAM_CAS_N, // SDRAMColumnAddressStrobe DRAM_RAS_N, // SDRAMRowAddressStrobe DRAM_CS_N, // SDRAMChipSelect DRAM_BA_0, // SDRAMBankAddress0 DRAM_BA_1, // SDRAMBankAddress0 DRAM_CLK, // SDRAMClock DRAM_CKE, // SDRAMClockEnable //////////////////// FlashInterface //////////////// FL_DQ, // FLASHDatabus8Bits FL_ADDR, // FLASHAddressbus22Bits FL_WE_N, // FLASHWriteEnable FL_RST_N, // FLASHReset FL_OE_N, // FLASHOutputEnable FL_CE_N, // FLASHChipEnable //////////////////// SRAMInterface //////////////// SRAM_DQ, // SRAMDatabus16Bits SRAM_ADDR, // SRAMAddressbus18Bits SRAM_UB_N, // SRAMHigh-byteDataMask SRAM_LB_N, // SRAMLow-byteDataMask SRAM_WE_N, // SRAMWriteEnable SRAM_CE_N, // SRAMChipEnable SRAM_OE_N, // SRAMOutputEnable //////////////////// SD_CardInterface //////////////// SD_DAT, // SDCardData SD_DAT3, // SDCardData3 SD_CMD, // SDCardCommandSignal SD_CLK, // SDCardClock //////////////////// USBJTAGlink //////////////////// TDI, //CPLD-＞FPGA(datain) TCK, //CPLD-＞FPGA(clk) TCS, //CPLD-＞FPGA(CS) TDO, //FPGA-＞CPLD(dataout) //////////////////// I2C //////////////////////////// I2C_SDAT, // I2CData I2C_SCLK, // I2CClock //////////////////// PS2 //////////////////////////// PS2_DAT, // PS2Data PS2_CLK, // PS2Clock //////////////////// VGA //////////////////////////// VGA_HS, // VGAH_SYNC

该工程包含数据缓存D_Cache和指令缓存I_Cache的Verilog代码和仿真文件，附带可运行的ISE工程文件，Cache的详细技术参数包含在.v文件的注释中。
直接相连16KBD_CacheCache写策略：写回法+写分配(二路)组相连16KBI_CacheCache替换策略: LRUI_Cache的工作就是在cpu需要指令时将指令从主存中搬进I_Cache，再传给CPU，而D_Cache在解决数据读外，还要注意数据写入的问题。
本工程可以与arm.v中的arm核协同工作，主存使用dram_ctrl_sim。

分别基于Hynix公司的SRAMHY64UD16322A和DRAMHY57V281620E，介绍了采用两种不同的RAM结构，通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。

三.简答题（每小题5分，共20分）1、说明计算机系统的层次结构。
2.请说明指令周期、机器周期、时钟周期之间的关系。
3.请说明SRAM的组成结构，与SRAM相比，DRAM在电路组成上有什么不同之处？4.请说明程序查询方式与中断方式各自的特点。

该工程包含数据缓存D_Cache和指令缓存I_Cache的Verilog代码和仿真文件，Cache的详细技术参数包含在.v文件的注释中。
直接相连16KBD_CacheCache写策略：写回法+写分配(二路)组相连16KBI_CacheCache替换策略: LRUI_Cache的工作就是在cpu需要指令时将指令从主存中搬进I_Cache，再传给CPU，而D_Cache在处理数据读外，还要注意数据写入的问题。
本工程可以与arm.v中的arm核协同工作，主存使用dram_ctrl_sim。

摘要：IS42G32256是高速度16Mbit CMOS同步图形存储器（SGRAM），适用于高功能计算机的显示卡、图形工作站、电视机顶盒、游戏卡、二维／三维图形处理等场合。
对其功能、特点、工作原理及其应用进行了介绍。
   关键词：SGRAMCMOSIS42G32256图形处理  半导体存储器是计算机系统的重要组成部分，随着计算机技术的迅速发展，CPU的速度越来越高，以往采用的普通动态存储器（DRAM）速度低，带宽窄，已无法适应高速CPU。
为了适应各种实际应用的需要，出现了采用新技术的DRAM。
其中同步DRAM（ＳDRAM）的出现，大大地提高了存储器的速度，改善了其功能。
在高功能计算机系统中，常

内存的道理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM)内存的道理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM)内存的道理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM)

一篇很好的有关动态存储器（DRAM）的原理性文档，非常合适作为DRAM技术的入门文档。

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。