国外多所大学最新采用教材，比mos更适合教学与自学

余宁梅，杨媛编著.半导体集成电路[M].北京：科学出版社,2011.07.本书从半导体集成电路的角度分析电路系统，不仅讨论电路的工作原理，更关注分析电路性能及实现方法对性能的影响。
首先介绍了集成电路的整体概念，然后分别讲解数字集成电路和模拟集成电路。
在数字集成电路部分，简单讲解双极晶体管的基本原理、制作工艺、寄生效应和典型电路，重点讲述CMOS集成电路的相关内容，详细分析MOS数字集成电路的基本单元、实现工艺、基本逻辑单元构成及特性、系统构成。
在模拟电路部分，分别讨论MOS和双极型电路的特性，包括基本的模拟电路结构及各自的特点、Bi-CMOS电路原理及应用。
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HSPICE仿真及MOS模型(上海交大内部讲义HSPICE仿真及MOS模型(上海交大内部讲义

本教材介绍了五个方面的内容：MOS器件基本原理以及主要的特性，VLSI中逻辑结构的主要设计方法，用于VLSI系统的模拟集成单元设计方法，VLSI的测试问题与相关技术，VLSI设计系统及其组成。
涉及了五个方面的基础知识：MOS器件基础知识，半导体工艺基础知识，集成电路版图基础知识，逻辑、电路设计基础知识和CAD基础知识。
《VLSI设计基础》作为VLSI设计基础教材，注重相关理论的结论和知识的应用。
可作为本科生教材和研究生参考书。
第1章VLSI设计基础概述1.1VLSI设计技术基础与主流制造技术1.2VLSI设计方法与设计技术1.3新技术对VLSI的贡献1.4ASIC和VLSI1.5SOC1.6VLSI的版图结构和设计技术1.6.1VLSI的版图总体结构1.6.2VLSI版图的内部结构第2章MOS器件与工艺基础2.1MOS晶体管基础2.1.1MOS晶体管结构及基本工作原理2.1.2MOS晶体管的阈值电压VT2.1.3MOS晶体管的电流-电压方程2.1.4MOS晶体管的平方律转移特性2.1.5MOS晶体管的跨导gm2.1.6MOS晶体管的直流导通电阻2.1.7MOS晶体管的交流电阻2.1.8MOS晶体管的最高工作频率2.1.9MOS晶体管的衬底偏置效应2.1.10CMOS结构2.2CMOS逻辑部件2.2.1CMOS倒相器设计2.2.2CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法2.2.3其他CMOS逻辑门2.2.4D触发器2.2.5内部信号的分布式驱动结构2.3MOS集成电路工艺基础2.3.1基本的集成电路加工工艺2.3.2CMOS工艺的主要流程2.3.3Bi-CMOS工艺技术第3章工艺与设计接口3.1工艺对设计的制约与工艺抽象3.1.1工艺对设计的制约3.1.2工艺抽象3.2设计规则3.2.1几何设计规则3.2.2电学设计规则3.2.3设计规则在VLSI设计中的应用第4章晶体管规则阵列设计技术4.1晶体管阵列及其逻辑设计应用4.1.1全NMOS结构ROM4.1.2ROM版图4.2MOS晶体管开关逻辑4.2.1开关逻辑4.2.2棒状图4.3PLA及其拓展结构4.3.1“与非-与非”阵列结构4.3.2“或非-或非”阵列结构4.3.3多级门阵列(MGA)4.4门阵列4.4.1门阵列单元4.4.2整体结构设计准则4.4.3门阵列在VLSI设计中的应用形式4.5晶体管规则阵列设计技术应用第5章单元库设计技术5.1单元库概念5.2标准单元设计技术5.2.1标准单元描述5.2.2标准单元库设计5.2.3输入、输出单元（I/OPAD）5.3积木块设计技术5.4单元库技术的拓展第6章微处理器6.1系统结构概述6.2微处理器单元设计6.2.1控制器单元6.2.2算术逻辑单元（ALU）6.2.3乘法器6.2.4移位器6.2.5寄存器6.2.6堆栈6.3存储器组织6.3.1存储器组织结构6.3.2行译码器结构6.3.3列选择电路结构第7章测试技术和可测试性设计7.1VLSI可测试性的重要性7.2测试基础7.2.1内部节点测试方法的测试思想7.2.2故障模型7.2.3可测试性分析7.2.4测试矢量生成7.3可测试性设计7.3.1分块测试7.3.2可测试性的改善设计7.3.3内建自测试技术7.3.4扫描测试技术第8章模拟单元与变换电路8.1模拟集成电路中的基本元件8.1.1电阻8.1.2电容8.2基本偏置电路8.2.1电流偏置电路8.2.2电压偏置电路8.3放大电路8.3.1单级倒相放大器8.3.2差分放大器8.3.3源极跟随器8.3.4MOS输出放大器8.4运算放大器8.4.1两级CMOS运放8.4.2CMOS共源-共栅（cascode）运放8.4.3带有推挽输出级的运放8.4.4采用衬底晶体管输出级的运放8.5电压比较器8.5.1电压比较器的电压传输特性8.5.2差分电压比较器8.5.3两级电压比较器8.6D/A、A/D变换电路8.6.1D/A变换电路8.6.2A/D变换电路8.

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微电子器件与集成电路（IC）设计基础是一门深入探讨微电子技术核心原理的学科，它涵盖了从基本的半导体物理到复杂集成电路设计的广泛知识。
以下是对这套PPT内容的详细解读：1.**第1章：电子设备的物理基础**-半导体材料：本章将介绍半导体的基本性质，如硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体，以及杂质掺杂的概念，如何通过掺杂N型和P型半导体来控制电子和空穴的浓度。
-电荷载体：讨论电子和空穴作为半导体中的电流载体，以及它们在电场下的移动方式。
-PN结：解释PN结的形成，它的能带结构，以及PN结的正向和反向偏置特性，包括击穿电压。
-单极晶体管：介绍BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的工作原理，包括放大作用和开关特性。
2.**第2章：半导体器件**-MOSFET的详细分析：深入讲解MOSFET的结构，包括N沟道和P沟道类型，以及它们的阈值电压、亚阈值区行为和饱和区特性。
-BJTs的运作：解释集电极、基极和发射极之间的电流关系，以及共射、共基和共集配置的放大系数。
-模拟和数字器件：区分模拟和数字半导体器件，例如运算放大器、逻辑门电路和MOS集成电路。
3.**第3章：集成电路设计基础**-集成电路制造工艺：涵盖光刻、扩散、离子注入等半导体制造步骤，以及VLSI（超大规模集成电路）制造的挑战和解决方案。
-CMOS技术：介绍互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，它是现代数字电路的基础，包括NMOS和PMOS晶体管的互补工作原理。
-IC设计流程：概述从系统级设计到门级描述，再到布局布线的完整集成电路设计流程，包括硬件描述语言（如Verilog或VHDL）和逻辑综合。
-片上系统（SoC）：讨论集成微处理器、存储器和其他功能模块的单片系统设计，及其在嵌入式系统中的应用。
这三章内容构成了微电子器件与IC设计基础的核心，涵盖了从基本理论到实际应用的关键知识点。
学习这些内容对于理解微电子技术的原理，以及进一步从事集成电路设计和半导体产业的工作至关重要。
通过这套PPT，学生和从业者可以深入理解半导体物理学、器件原理和集成电路设计的方方面面。

AltiumDesigner3D元件库原理图库2D3D封装库AD库分类器件库合集390MB，包括各种接插件FPC、HT3.96、KF2EDGK、KF128、KF301、FK350、KF2510、KF7620、KFHB9500、LCD、LED、MOS，BIT、MX、PH、PHB、PHD、SD、SIM、STC单片机、STM32单片机、USB、XH、VH、保险丝、拨码开关、传感器、串口、电感、电容、电源插座、电源开关、电源芯片、电阻、二极管、蜂鸣器、光电隔离器、继电器、简易牛角座、晶振、可控硅、电池座、排母、排针、轻触开关、数码管、天线座、音频插座，整流桥，各种常用芯片封装。

文中设计了一款以白光LED，PIN管和MOS驱动芯片TC4427为基础的白光LED通信系统。
系统包括发射机和接收机，发射机利用音频线对语音信号进行采集，用555定时器实现对语音信号的脉冲位置调制，已调信号经TC4427驱动芯片让LED进行高速闪烁，实现了语音信号的调制与光发射。
接收机由PIN管、选频放大电路、整形电路、脉位解调电路、低通滤波电路、音频放大电路组成，在十几米的距离上能很好地实现白光LED语音通信，可以满足家庭各种音频通信，取代信号线，使家电更美观、安全。

MOS控制

高压浮动MOS栅级驱动集成电路自举原理如何选择自举元件如何提供一个负压栅级驱动如何提供一个连续栅级驱动

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。