内容概要:本文深入探讨了永磁同步电机(PMSM)控制领域的四种不同控制策略:PID控制器、传统滑模控制器、最优滑模控制器和改进补偿滑膜控制器。
首先介绍了每种控制策略的基本原理及其特点,随后通过具体的代码示例展示了其实现方式。
接着,文章详细比较了各控制策略在应对系统参数变化和外部干扰方面的表现,特别是针对抖振问题的处理能力。
最后,通过实验数据和图表直观地呈现了四种控制策略在转速跟踪误差、转矩波动等方面的性能差异。
适合人群:从事电机控制及相关领域的研究人员和技术人员,尤其是对永磁同步电机控制策略感兴趣的读者。
使用场景及目标:帮助读者理解不同控制策略的工作机制,选择最适合特定应用场景的控制方法,提高永磁同步电机的控制精度和稳定性。
其他说明:文中提供了详细的代码示例和实验数据,便于读者进行复现和验证。
同时引用了多篇相关文献,为深入研究提供了理论支持。
2025/6/16 2:41:34 515KB
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程序是关于传输矩阵来计算多成膜的反射和投射以及吸收的系数,其中入射光威P偏振光,薄膜厚度单位为nm,厚度也是一耳光数组介质层的折射率数组包括了入射和出射介质的的折射率,
2025/6/13 5:57:34 2KB 传数矩阵
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一种分子形成的多层L-B膜由于相邻层的分子取向相反而使非线性极化抵消,总的X~(2)=0.本文用光学二次谐波方法确定了带有不同极性基团的L-B单分子层的有效非线性系数的大小和符号,对有效非线性系数符号相反的两种单分子层交替组装,使相邻单分子层的非线性极化相互叠加,得到了具有较大二阶非线性系数的组装L-B膜.
2025/5/7 7:36:47 3.75MB 表面光学 L-B膜 组装 surface
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通过高频等离子体增强化学气相沉积(HFPECVD)在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜(SiNx:H)。
主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性(尤其是应力)中的作用。
通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)获得有关膜中化学键的信息。
SiNx:H膜中的应力由衬底曲率测量确定。
结果表明,等离子体频率在控制SiNx:H薄膜的应力中起着重要作用。
对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层,观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。
氮化硅膜的固有应力的测量结果表明,该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
2025/4/23 9:02:20 620KB silicon photonics; intrinsic stress;
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光在水中大尺度气泡上散射特性的研究多是基于Davis模型。
该模型没有考虑到吸附膜层对光在气泡上散射的影响,而海水中的大多数气泡都有膜层附着,这些膜层会影响到气泡的光散射特性。
本文从几何光学的角度出发,建立了吸附膜层气泡的体积散射函数简化公式。
在此理论基础上,模拟计算了尺度远大于入射光波长的大气泡散射光强分布曲线,得出光照射下气泡上散射光强的远场特性,讨论了影响气泡散射光强分布的主要因素。
并与无膜气泡光散射分布曲线比较,讨论了油膜膜厚、折射率等参量对气泡的光散射特性影响。
得出结论:吸附膜层气泡的光强分布曲线与无膜气泡相似,但吸附膜层会削弱前向散射光,增强后向散射光。
2025/4/13 5:01:01 1.83MB 应用光学 散射特性 几何光学
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单片机,特别是MCS-51系列,是电子工程领域广泛应用的微控制器。
MCS-51单片机的内部资源包括一个8位的CPU,4KB的掩膜ROM程序存储器,128字节的内部RAM数据存储器,2个16位的定时器/计数器,1个全双工异步串行口,5个中断源以及两级中断优先级控制器。
此外,还有时钟电路,这对于单片机的运行至关重要。
MCS-51的外部时钟可以通过XTAL1和XTAL2引脚接入外部振荡信号源。
指令周期是以机器周期为基本单位,机器周期由12个振荡周期组成,等于6个状态周期。
在MCS-51中,RAM有两个可寻址区域,分别是20H-2FH的16个单元和字节地址为8的倍数的特殊功能寄存器(SFR)。
参数传递在子程序中通常通过寄存器或片内RAM进行。
中断程序的返回通常使用RETI指令,而在返回主程序前需要恢复现场。
串行口工作方式1的一帧数据包含10位,波特率的设定公式取决于具体应用。
中断响应时间通常在3-8个周期之间,最短响应时间是在CPU查询中断标志的最后一个机器周期后立即执行LCALL指令,需要3个机器周期。
单片机的时钟产生有两种方式:内部和外部。
51单片机的存储器包括ROM和RAM。
在扩展外部存储器时,P0口作为数据和地址总线的低8位,而P3.3口的第二功能是INT1。
中断矢量地址如外部中断0为0003H,外部中断1为0013H。
MCS-51的I/O端口有三种操作模式:读端口数据,读端口引脚和输出。
地址译码方法包括部分地址译码、全地址译码和线选法。
直接寻址可以访问SFR、内部数据存储器低128字节以及位地址空间。
P0口可以作为真正的双向数据总线口或通用I/O口,但作为后者时是准双向口。
在定时/计数器的工作方式中,只有T0能工作于方式三,用于生成波特率。
串行通信的一帧数据包括起始位、数据位、奇偶校验位和停止位。
波特率表示每秒传输二进制位的数量。
中断响应时间是从PC指针到转向中断服务程序入口地址所需的机器周期数。
定时器T0和T1在工作方式1下为16位计数器,范围0-65535。
MCS-51的堆栈是向上生长的,SP始终指向栈顶。
入栈操作是先SP加1再压入数据,而出栈则先弹出数据再SP减1。
MCS51单片机的内部资源包括并行I/O口、定时器/计数器、串行接口和中断系统。
它有8种寻址方式,包括寄存器、直接、立即、寄存器间接、相对、页面、变址和位寻址。
变址寻址是基于16位的程序计数器PC或数据指针DPTR作为基址寄存器,结合8位的累加器A作为变址寄存器。
MCS-51单片机具有111条指令,按长度分为单字节、双字节和三字节指令,并按执行所需的机器周期数进一步分类。
这些指令构成了MCS-51强大的处理能力,使其能够在各种嵌入式系统中发挥关键作用。
理解和掌握这些知识点对于单片机的学习和期末考试至关重要。
2025/3/16 17:44:05 323KB
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本资源是模糊滑模控制器的代码,有控制对象,画图程序,希望对你有所帮助。
2025/1/26 22:09:10 11KB 模糊滑膜控制
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研究了离焦量、脉冲能量、扫描间距、扫描速度和重复频率等激光加工参数对金属表面着色及微纳结构制备的影响机理,诱导制备了氧化膜、类光栅、凹坑和柱状突起4种结构,这些结构会使不锈钢表面产生薄膜干涉、光栅衍射和陷光等现象。
通过Matlab软件在工艺参数与颜色HSB值之间建立了一个单隐含层的反向传播(BP)神经网络,该神经网络的训练均方根误差为0.0078,色相H、饱和度S和亮度B的测试相对误差分别为23%,10.4%和5.6%。
该神经网络在一定程度上揭示了工艺参数与颜色之间的映射关系,使用该神经网络模型可以对激光着色效果作出有效的预测。
2025/1/10 14:27:45 13.14MB 激光技术 微纳结构 BP神经网 不锈钢
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双击esriAddIn,然后就可以在自定义工具里面查找到该工具,可以同时用多个掩膜裁剪多个图层,循环每个掩膜裁剪所有图层
2024/10/28 13:06:36 42KB arcgis插件 批量裁剪
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为了获得瓦(W)级546nm波段的连续激光输出,采用高功率激光二极管(LD)端面泵浦Nd:YAG激光晶体,通过谐振腔反射镜膜系的特殊设计,在单通道双共振腔内获得Nd:YAG激光器的1073.8nm和1112.1nm两条谱线同时运转,并通过在腔内插入非线性光学晶体三硼酸锂(LBO)进行腔内和频,获得546.3nm绿光连续输出。
当抽运光功率为24W时,输出的546.3nm绿光功率高达1.58W,其光-光转换效率为6.6%。
调节LBO方位角,还可以分别获得1073.8nm和1112.1nm的倍频光537nm和556nm输出。
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡