研究了面向海洋应用的光纤法布里-珀罗高压传感器，通过建立有限元数值模型对传感器满量程腔长变化量进行分析。
数值仿真显示，有限元模型的满量程腔长变化量处于固支模型和简支模型之间，且随着法布里-珀罗腔半径的减小和硅膜片厚度的增加而偏离固支模型。
引入固支边界条件偏离度β对偏离程度进行量化分析。
制作了三种不同规格的传感器进行压力实验研究。
实验结果显示，实际测量得到的传感器芯片满量程腔长变化量与有限元数值计算的结果基本吻合，使用该有限元模型设计传感器芯片可将满量程腔长变化量误差降低到13.4%以下。
传感器最大量程达到105MPa，满量程测量精度均优于0.100%。

腾达W303R刷NH326万能中继固件,2MBFlash，这是编程器固件，不能web刷入。
因为用十六进制编辑器关闭了节能模式，刷入就是关闭节能的，恢复出厂不受影响，大大降低了掉线的几率，如果还掉线，就把壳子拆掉，CPU上抹点硅脂，加个散热片就好了，我就是这样。
固件未改MAC，注意使用前改成自己的MAC地址！

绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。
本文用SentaurusTCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件结构，且运用SentaurusTCAD软件中的SentaurusDevice工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。

基于光源偏振补偿硅基液晶(LCOS)光学引擎的激光三维(3D)显示系统对传统的LCOS光学引擎引起的偏振光损失进行了补偿，使经由照明系统进入光学引擎的不同偏振方向的激光全部参与成像，既可以实现激光3D立体显示，还提高了二维(2D)显示时的光能利用率。
进行2D显示时，入射激光的s偏振光和p偏振光分别对应于不同LCOS同时成像，成像后的图像在屏幕上相互叠加，投影后图像的亮度约为未进行偏振补偿时的2倍。
当输入3D视频信号时，正交偏振的p偏振光和s偏振光分别对应于左右眼图像同时成像，观看者配戴由正交偏振片制成的眼镜，可实现双像分离，实现激光3D显示。

使用多Kong硅微腔装置的无光谱仪生物检测方法

在计入相干效应和考虑衬底影响的基础上,提出一种非破坏性的简易分析法。
利用此法,由非晶硅试样的光谱透射曲线可确定膜层的厚度、折射率及吸收系数。
作为例子,我们计算了α-Si:H及α-SiC:H薄膜的光隙。

最全的模电数电multisim仿真电路实例，只要1积分，包含1-5-1a二极管仿真电路.ms91-5-2稳压管仿真电路.ms91-5-3BJT仿真电路.ms91-5-4aMOSFET仿真电路.ms910-10-1a单相桥式整流电路.ms710-10-2a桥式整流电容滤波电路.ms710-10-3硅稳压管稳压电路.ms710-10-4串联型直流稳压电路.ms710-10-5a三端集成稳压器-a.ms710-10-5b三端集成稳压器-b.ms710_循环计数器.ms92-9-1a单管共射放大电路.ms92-9-1b单管共射放大电路直流通路.ms92-9-2工作点稳定电路.ms92-9-3a共集电极放大电路.ms92-9-4a共基极放大电路.ms92-9-5a共源极放大电路.ms93-5-1aRC高通电路.ms93-5-2aRC耦合单管共射放大电路.ms93D运算放大器应用.ms93D运算放大器应用.ms9(Securitycopy)4-5-1aOTL乙类互补对称电路.ms94-5-2aOTL甲乙类互补对称电路.ms94-5-3a复合管OCL甲乙类互补对称电路.ms94.ms9(Securitycopy)5-7-1长尾式差分放大电路.ms75-7-2恒流源式差分放大电路.ms75.ms9555Astable.ms9555Astable.ms9(Securitycopy)555单稳触发器.ms9555单稳触发器.ms9(Securitycopy)555振荡器(占空比可调).ms9555振荡器(占空比可调).ms9(Securitycopy)6-6-1电流串联负反馈电路.ms76-6-2电压并联负反馈电路.ms76-6-3电压串联负反馈电路.ms76.ms97-7-1a反相比例电路.ms77-7-1b同相比例电路.ms77-7-1c差分比例电路.ms77-7-2三运放数据放大器.ms77-7-3求和电路.ms77-7-4a积分电路.ms774LS194移位寄存器.ms974LS194移位寄存器.ms9(Securitycopy)74LS47译码器.ms974LS47译码器.ms9(Securitycopy)74LS90七进制计数电路.ms974LS90六十进制计数器.ms974LS90六十进制计数器.ms9(Securitycopy)74LS90六进制计数电路.ms974LS90十进制电路.ms974LS90测试电路.ms98-3-1a二阶低通滤波器.ms78-3-2a带通滤波器.ms78-3-3a单限比较器.ms78-3-4a滞回比较器.ms78-3-5a双限比较器.ms78-3-6a集成单限比较器.ms79-6-1aRC串并联网络振荡电路.ms79-6-2a矩形波发生电路.ms79-6-3三角波发生电路.ms7A-5-13aIV分析仪测二极管.ms7A-5-14aIV分析仪测BJT.ms7A-5-15aIV分析仪测FET.ms7A-5-7阻容耦合单管共射放大电路.ms7AC－DC变换器.ms9ADC实例.ms9ADC实例.ms9(Securitycopy)BTL功放.ms9BTL功放.ms9(Securitycopy)D触发器的研究.ms9IDAC测试电路.ms9J-K触发器的研究.ms9LIST.TXTOCL功放.ms9OCL功放.ms9(Securitycopy)OC门应用实验.ms9OC门应用实验.ms9(Securitycopy)OC门测试（74LS22）.ms9R-S触发器的研究.ms9RC一阶电路.ms10RF放大器(频谱分析仪).ms9RF放大器(频谱分析仪).ms9(Securitycopy)RF放大器.ms9RF放大器.ms9(Securitycopy)RF放大器（网络分析仪）.ms9RF放大器（网络分析仪）.ms9(Securitycopy)VCVS.ms9VCVS.ms9(Securitycopy)VDAC原理图.ms9VDAC原理图.ms9(Securitycopy)三态R-S触发器(4043).ms9三态缓冲器测试.ms9三态缓冲器组合电路.ms9三态门应用.ms9三极管的开关特性研究（3D）.ms9三极管的高频特性分析.ms9三端稳压源.ms9三角波发生器.ms9三角波发生器.ms9(Securitycopy)三通道总加器实验.ms9三通道总加器实验.ms9(Securitycopy)与非门搭接的逻辑电路.ms9与非门测试

三维集成和片上网络（NoC）的融合为片上互连的可伸缩性问题提供了有效的解决方案。
在3D集成中，硅穿Kong（TSV）被认为是最有前途的键合技术。
但是，TSV也是宝贵的链路资源，因为它们会占用大量芯片面积，并有可能在物理设计阶段导致路由拥塞。
此外，TSV遭受严重的良率损失，从而降低了有效的TSV密度。
因此，有必要在具有成本效益的设计中实现TSV经济的3DNoC架构。
对于对称的3DMeshNoC，我们观察到TSV的带宽利用率低，并且它们很少成为平面链路中网络的争用点。
基于此观察，我们提出了TSV共享（TS）方案，以使相邻路由器能够以时分复用的方式共享垂直信道，从而将TSV保存在3DNoC中。
我们还研究了不同的TS实现方案，并展示了TS如何通过设计空间探索提高多核处理器中的TSV有效性。
在实验中，我们全面评估了TS对系统所有层的影响。
结果表明，所提方法显着提高了TSV的有效性，而性能开销却可以忽略不计。

等离子体等离子体在硅基底上的光散射

利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。
理论分析表明：多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。
如绒面由V字型槽或坑构成，则绒面反射率比较高；
如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化，这种结构构成的绒面反射率低。
实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面，用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图，测量了其表面反射率，分析表面结构形貌与反射率的关系。
实验结果与理论分析相吻合。

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。