微电子器件与集成电路(IC)设计基础是一门深入探讨微电子技术核心原理的学科,它涵盖了从基本的半导体物理到复杂集成电路设计的广泛知识。
以下是对这套PPT内容的详细解读:1.**第1章:电子设备的物理基础**-半导体材料:本章将介绍半导体的基本性质,如硅(Si)和锗(Ge)等元素半导体,以及杂质掺杂的概念,如何通过掺杂N型和P型半导体来控制电子和空穴的浓度。
-电荷载体:讨论电子和空穴作为半导体中的电流载体,以及它们在电场下的移动方式。
-PN结:解释PN结的形成,它的能带结构,以及PN结的正向和反向偏置特性,包括击穿电压。
-单极晶体管:介绍BJT(双极型晶体管)和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的工作原理,包括放大作用和开关特性。
2.**第2章:半导体器件**-MOSFET的详细分析:深入讲解MOSFET的结构,包括N沟道和P沟道类型,以及它们的阈值电压、亚阈值区行为和饱和区特性。
-BJTs的运作:解释集电极、基极和发射极之间的电流关系,以及共射、共基和共集配置的放大系数。
-模拟和数字器件:区分模拟和数字半导体器件,例如运算放大器、逻辑门电路和MOS集成电路。
3.**第3章:集成电路设计基础**-集成电路制造工艺:涵盖光刻、扩散、离子注入等半导体制造步骤,以及VLSI(超大规模集成电路)制造的挑战和解决方案。
-CMOS技术:介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,它是现代数字电路的基础,包括NMOS和PMOS晶体管的互补工作原理。
-IC设计流程:概述从系统级设计到门级描述,再到布局布线的完整集成电路设计流程,包括硬件描述语言(如Verilog或VHDL)和逻辑综合。
-片上系统(SoC):讨论集成微处理器、存储器和其他功能模块的单片系统设计,及其在嵌入式系统中的应用。
这三章内容构成了微电子器件与IC设计基础的核心,涵盖了从基本理论到实际应用的关键知识点。
学习这些内容对于理解微电子技术的原理,以及进一步从事集成电路设计和半导体产业的工作至关重要。
通过这套PPT,学生和从业者可以深入理解半导体物理学、器件原理和集成电路设计的方方面面。
2025/4/15 20:51:25 6.53MB 微电子器件与IC设计基础_全套PPT
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AIC和RIE法制备的黑硅纳米林
2025/3/5 3:53:54 2MB 研究论文
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ansoftmaxwell破解版功能特点求解器(Solver)● 二维求解器(XY平面求解、轴对称平面求解)、三维求解器● 磁场求解:静磁场、交流磁场(频率响应)、瞬态磁场● 电场求解:静电场、直流传导场、交流传导场(2D)、瞬态电场(3D)● 矢量有限元法输出结果● 电磁场、能量分布(标量场、矢量场)— 磁场、电场、电流密度、损耗、功率等标量场/矢量场可以通过后处理得到其他物理量● 设计参数— 电磁力、力矩、电阻、电感、电容● 可以用图表或文本方式输出GUI和建模功能● Windows风格的图形化操作、快捷工具栏● 自带3DCAD建模功能,方便直观的操作● 变量、函数的使用— 对于部件的外形尺寸、位置、材料特性、边界条件等,可以将输入值作为变量进行参数化扫描和优化分析,而且变量之间不仅可以进行四则运算,而且还可以进行三角函数、对数函数等各种函数运算。
各种功能● 标准CAD接口:SAT、SAB、DXF、DWG。
● 对从外部CAD导入的模型进行分析并自动修复。
● 各种边界条件:对称边界、周期性边界、绝缘边界、阻抗边界等。
● 各种非线性材料:各向异性、永磁体、叠压材料等。
● 铁芯损耗计算。
● 永磁体的充磁和退磁计算。
● 运动求解,基于运动方程式的可变速响应求解。
● 与Maxwell自带的电路编辑器可以动态链接。
● 与机电系统控制软件实现行为级动态耦合仿真。
● 与结构、热、流体仿真器联合实现多物理域仿真。
(ANSYS、ANSYSFluent)● 可以从辅助设计工具直接读入模型(ANSYSRMxprt、ANSYSPExprt)● 作为近场辐射源,链接到高频电磁场求解器计算(ANSYSHFSS)● 脚本支持(VB、JAVA、IronPython)● 批处理求解选项● CAD接口(AnsoftlinksforMCAD):— IGES、STEP、CREO(原ProE)、Unigraphics、Parasolid、CATIAV4/V5● 作参数扫描、优化、统计分析(Optimetrics、ANSYSDesignXplorer)● 多核并行计算(HPC)● 多核或网络多个计算节点的分布式高性能计算(DSO、HPC)铁芯损耗计算将铁芯损耗计算中广泛采用的经典steinmetz法进行了改良和修正,提出了改良后的steinmetz法。
经典steinmetz法计算铁耗是通过后处理完成的,没有考虑铁芯损耗对磁场分布的影响。
在ANSYSMaxwell中用到的改良后的steinmetz法计算铁芯损耗,能够在计算铁芯损耗的同时,考虑铁芯损耗对磁场的影响。
非线性各向异性材料ANSYSMaxwell的非线性各向异性材料可以考虑材料在轴向方向的不对称性。
对于磁性材料和硅钢板等各向异性材料,可以进行精确地分析。
对于难以建立实际模型的叠压材料——如电磁钢等,可以方便地使用等效模型进行建模和参数设置。
脚本ANSYS电磁产品大部分支持VB/JAVA脚本,以及IronPython语言。
从软件启动、建模到输出求解结果等整个流程都可以通过脚本记录下来,以方便构建自动化求解环境。
适用案例Maxwell3D所采用的新的数值计算方法大大加快了软件计算速度,同时避免了非现实物理解,从而使得三维运动仿真能够得到实际应用。
2025/3/3 20:48:22 199B ansoft maxwell 电磁仿真
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Firebase苹果开源开发该存储库包含除FirebaseAnalytics和FirebaseML之外的所有Apple平台FirebaseSDK源。
Firebase是一个应用程序开发平台,其工具可帮助您构建,增长应用程序并从中获利。
有关Firebase的更多信息,访问。
该存储库还包括GoogleUtilities和GoogleDataTransport源,它们是Firebase和其他Google产品使用的实用程序。
安装有关不同安装方法的详细信息,请参见下面的小节。
标准吊舱安装前往。
如果您有一台装有Apple硅芯片的新Mac,请参阅。
Swift套件管理员(测试版)
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液相脉冲激光烧蚀法(PLAL)具有绿色环保、适用范围广及可制备复合材料等优点,受到学术界的广泛关注,但是较低的制备效率限制了它进一步发展。
将微流控技术与液相脉冲激光烧蚀法相结合,在硅基微流控芯片中实现了快速高效制备晶格型(400~800nm)和球型(100~300nm)硅纳米结构。
通过扫描电子显微镜和光谱仪对其形貌结构及分布情况进行了测试表征,获得了微流控流速、激光烧蚀功率与纳米粒子制备效率之间的关系。
该方法将液相脉冲激光烧蚀法的最高制备效率提高了30%以上,达到87.5mg/min,为将来液相脉冲激光烧蚀法工业化生产提供一种新的技术路线。
2025/2/5 21:46:57 6.27MB 激光制造 液相脉冲 制备效率 微流体
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利用密度泛函理论和非平衡格林函数技术,我们进行了之字形结构和传输特性的理论研究具有Stone-Wales(SW)缺陷的有机硅纳米带(SiNRs)。
计算的编队能量明显低于石墨烯和硅烯,这意味着SiNRs中此类缺陷的稳定性。
在理想偏置和SW偏置的SiNR中,都可以在一定的偏置电压范围内观察到负差分电阻(NDR)。
为了阐明机理,详细讨论了NDR行为,透射光谱和分子投射的自洽哈密顿量(MPSH)状态。
2025/1/18 5:21:01 1.1MB Silicene nanoribbons; SW defect;
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针对光伏工业界对磷扩散薄层电阻不断提升的需求,采用了在磷扩散工艺气氛中增加水汽的方法进行磷源扩散制备高薄层电阻,并通过实验对比两种扩散气氛下的掺杂浓度,少子寿命等表征。
实验结果表明:在相同薄层电阻条件下,水汽气氛下掺杂剂的表面浓度降低,耗尽层的复合率减小,间隙态的金属杂质浓度降低,硅基体的少子寿命从6.27μs提升至7.16μs。
由于掺杂剂浓度分布得到改善,降低了硅片的表面复合率和结区光生载流子的俄歇复合,使得水汽气氛扩散后硅片制备的太阳电池,光电转换效率提升0.1%。
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研究了面向海洋应用的光纤法布里-珀罗高压传感器,通过建立有限元数值模型对传感器满量程腔长变化量进行分析。
数值仿真显示,有限元模型的满量程腔长变化量处于固支模型和简支模型之间,且随着法布里-珀罗腔半径的减小和硅膜片厚度的增加而偏离固支模型。
引入固支边界条件偏离度β对偏离程度进行量化分析。
制作了三种不同规格的传感器进行压力实验研究。
实验结果显示,实际测量得到的传感器芯片满量程腔长变化量与有限元数值计算的结果基本吻合,使用该有限元模型设计传感器芯片可将满量程腔长变化量误差降低到13.4%以下。
传感器最大量程达到105MPa,满量程测量精度均优于0.100%。
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腾达W303R刷NH326万能中继固件,2MBFlash,这是编程器固件,不能web刷入。
因为用十六进制编辑器关闭了节能模式,刷入就是关闭节能的,恢复出厂不受影响,大大降低了掉线的几率,如果还掉线,就把壳子拆掉,CPU上抹点硅脂,加个散热片就好了,我就是这样。
固件未改MAC,注意使用前改成自己的MAC地址!
2024/2/26 15:40:55 1.41MB W303R;NH326
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绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。
本文用SentaurusTCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件结构,且运用SentaurusTCAD软件中的SentaurusDevice工具进行器件特性仿真,使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。
2023/12/19 1:32:15 201KB 0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件 设计
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡