/ SW缺陷对硅纳米带结构和输运性能的影响
SW缺陷对硅纳米带结构和输运性能的影响
SW缺陷对硅纳米带结构和输运性能的影响
利用密度泛函理论和非平衡格林函数技术，我们进行了之字形结构和传输特性的理论研究具有Stone-Wales（SW）缺陷的有机硅纳米带（SiNRs）。
计算的编队能量明显低于石墨烯和硅烯，这意味着SiNRs中此类缺陷的稳定性。
在理想偏置和SW偏置的SiNR中，都可以在一定的偏置电压范围内观察到负差分电阻（NDR）。
为了阐明机理，详细讨论了NDR行为，透射光谱和分子投射的自洽哈密顿量（MPSH）状态。
本软件ID:15534170
利用密度泛函理论和非平衡格林函数技术，我们进行了之字形结构和传输特性的理论研究具有Stone-Wales（SW）缺陷的有机硅纳米带（SiNRs）。
计算的编队能量明显低于石墨烯和硅烯，这意味着SiNRs中此类缺陷的稳定性。
在理想偏置和SW偏置的SiNR中，都可以在一定的偏置电压范围内观察到负差分电阻（NDR）。
为了阐明机理，详细讨论了NDR行为，透射光谱和分子投射的自洽哈密顿量（MPSH）状态。
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