/ 用于纳米光子应用的PEVVDSiNx：H薄膜的机械应变
用于纳米光子应用的PEVVDSiNx：H薄膜的机械应变
用于纳米光子应用的PEVVDSiNx：H薄膜的机械应变
通过高频等离子体增强化学气相沉积（HFPECVD）在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜（SiNx：H）。
主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。
通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。
SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。
结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。
对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。
氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
本软件ID:15561358
通过高频等离子体增强化学气相沉积（HFPECVD）在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜（SiNx：H）。
主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。
通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。
SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。
结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。
对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。
氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
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