/ 基于水汽气氛磷扩散技术的高薄层电阻制备方法研究
基于水汽气氛磷扩散技术的高薄层电阻制备方法研究
基于水汽气氛磷扩散技术的高薄层电阻制备方法研究
针对光伏工业界对磷扩散薄层电阻不断提升的需求，采用了在磷扩散工艺气氛中增加水汽的方法进行磷源扩散制备高薄层电阻，并通过实验对比两种扩散气氛下的掺杂浓度，少子寿命等表征。
实验结果表明：在相同薄层电阻条件下，水汽气氛下掺杂剂的表面浓度降低，耗尽层的复合率减小，间隙态的金属杂质浓度降低，硅基体的少子寿命从6.27μs提升至7.16μs。
由于掺杂剂浓度分布得到改善，降低了硅片的表面复合率和结区光生载流子的俄歇复合，使得水汽气氛扩散后硅片制备的太阳电池，光电转换效率提升0.1%。
本软件ID:14951941
针对光伏工业界对磷扩散薄层电阻不断提升的需求，采用了在磷扩散工艺气氛中增加水汽的方法进行磷源扩散制备高薄层电阻，并通过实验对比两种扩散气氛下的掺杂浓度，少子寿命等表征。
实验结果表明：在相同薄层电阻条件下，水汽气氛下掺杂剂的表面浓度降低，耗尽层的复合率减小，间隙态的金属杂质浓度降低，硅基体的少子寿命从6.27μs提升至7.16μs。
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