简介：
《键盘程序设计》在单片机编程中，键盘程序设计是至关重要的，因为它涉及到用户与设备之间的交互。
本文将详细讲解键盘程序设计中的几个关键知识点。
我们需要理解按键编码的概念。
每个按键在单片机程序中都有一个对应的键值，这个键值是独一无二的。
当按键被按下，键盘会通过I/O线向单片机发送该键值，从而让单片机根据不同的键值执行相应的操作。
在硬件层面上，按键通常通过单片机的I/O引脚与CPU进行通信，这些引脚接收高电平或低电平信号，这些高低电平的组合就构成了按键的编码。
设计键盘编码时，我们需要合理选择键盘结构，并为每个按键分配不同的I/O输入信号以便识别和响应。
确保输入的可靠性至关重要。
由于机械按键的特性，按键在闭合和断开时会产生抖动，可能导致误操作或重复响应。
为了消除这种抖动，通常在程序中进行去抖动处理。
这通常涉及在按键被按下后设置一个短暂的延迟（如5ms至10ms），以等待抖动结束。
此外，为了防止短时间内多次响应同一按键，还需要进行一次按键处理，即在按键按下后的特定时间内，只响应一次按键事件。
接下来，我们讨论单片机如何检测和响应键盘输入。
有两种主要的方法：查询和中断。
查询方式不断地检查每个按键的状态，适合于对实时性要求不高的简单系统。
而中断法则在按键按下时触发中断，减少了CPU的占用，适用于实时性要求高的复杂系统。
在程序设计中，我们需要检查按键是否被按下，然后执行去抖动程序，扫描按键以确定键值，并执行相应的处理子程序。
独立式按键是键盘设计的一种常见方式，适用于按键数量较少且单片机资源充足的系统。
每个独立式按键独占一个I/O口，根据端口电平变化来判断按键状态。
编程时，可以用查询方式，无论是汇编语言还是C51语言，都可以轻松实现。
对于按键数量较多的情况，通常采用矩阵式键盘，如4×4矩阵键盘。
这种键盘由4行4列的线交叉构成，16个按键位于交叉点。
通过扫描行线和列线，可以确定按键的状态，有效地利用了单片机的I/O端口。
扫描法是常见的矩阵键盘处理方式，它通过不断扫描并根据端口输入调用按键处理子程序。
线反转法则是一种更高效的方法，无论按键位置在哪一列，都能快速定位。
中断法同样适用于矩阵式键盘，提高响应速度的同时减轻了CPU的负担。
键盘程序设计涉及编码、可靠性、检测和响应策略等多个方面，理解和掌握这些知识点对于构建有效的人机交互系统至关重要。
在实际应用中，应根据系统需求和资源选择合适的键盘结构和处理方法。

###TIDM36x系列DSPNANDFlash启动过程详解####一、NANDFlash启动原理#####1.1DM365支持的NAND启动特性TI的TMS320DM365（以下简称DM365）多媒体处理芯片支持多种启动方式，包括NANDFlash启动。
在NANDFlash启动过程中，DM365具有一系列独特的启动特性：1.**不支持一次性全部固件下载启动**：DM365不支持一次性将所有固件数据从NANDFlash读入内存并启动，而是采用分阶段的方式。
首先从NANDFlash读取第二级启动代码（UserBootLoader,UBL）至ARM内存（ARMInternalMemory,AIM），然后执行UBL。
2.**支持最大4KB页大小的NAND**：支持的NANDFlash页大小可达4KB，这对于大多数常见的NANDFlash设备来说是足够的。
3.**支持特殊数字标志的错误检测**：在加载UBL时会进行错误检测，尝试最多24次在不同的block中寻找特殊数字标志，以确保数据的正确性。
4.**支持30KB大小的UBL**：DM365有32KB的内存用于存放启动代码，其中2KB用于RBL（ROMBootLoader）的堆栈，剩余的空间可用来存储UBL。
5.**用户可选的DMA与I-cache支持**：用户可以根据需要在RBL执行期间启用或禁用DMA和I-cache等功能。
6.**支持4位硬件ECC**：支持每512字节需要ECC位数小于或等于4位的NANDFlash，这有助于提高数据的可靠性。
7.**支持特定的NANDFlash类型**：支持那些需要片选信号在Tr读时间保持低电平的NANDFlash。
#####1.2NANDFlash启动流程NANDFlash启动流程是指从芯片上电到Linux操作系统启动的整个过程，主要包括以下几个步骤：1.**ROMBootLoader(RBL)阶段**：当DM365芯片上电或复位时，会根据BTSEL引脚的状态确定启动方式。
如果是NAND启动，则从ROM中的RBL开始执行。
RBL会初始化必要的硬件资源，如设置堆栈，关闭中断，并读取NANDFlash的ID信息以进行适当的配置。
2.**UserBootLoader(UBL)阶段**：RBL从NANDFlash读取UBL并将其复制到AIM中运行。
UBL负责进一步初始化硬件资源，如DDR内存，并为下一阶段准备环境。
3.**U-Boot阶段**：UBL从NANDFlash读取U-Boot并将其复制到DDR内存中运行。
U-Boot是完整的启动加载程序，它负责最终从NANDFlash读取Linux内核并将其复制到DDR内存中。
4.**Linux内核启动阶段**：U-Boot启动Linux内核，内核加载并运行，此时系统完成启动。
####二、NANDFlash启动的软件配合实现#####2.1UBL描述符的实现UBL描述符是UBL读取和执行的起点。
在NANDFlash中，UBL描述符通常位于特定的位置，包含UBL的起始地址和长度等信息。
RBL通过读取这些描述符来确定UBL的具体位置并加载到AIM中。
#####2.2U-Boot启动实现U-Boot是一种开源的启动加载程序，负责从NANDFlash读取Linux内核并将其加载到内存中。
U-Boot的实现依赖于UBL提供的环境，例如已经初始化的DDR内存。
#####2.3U-Boot更新UBL和U-Boot的原理U-Boot可以被用来更新UBL和自身的代码。
这一过程通常涉及到从NANDFlash读取新的代码版本，验证其完整性，并将其替换现有的UBL或U-Boot代码。
#####2.4NANDFlash没有坏块的情况在理想情况下，即NANDFlash没有坏块的情况下，启动流程会非常顺利。
RBL能够成功地从NANDFlash读取UBL，UBL也能正确地读取U-Boot，进而完成Linux内核的加载。
####三、结束语DM365的NANDFlash启动过程是一个复杂的多阶段过程，涉及ROMBootLoader(RBL)、UserBootLoader(UBL)和U-Boot等多个组件之间的协调工作。
通过对这些组件的理解和优化，可以有效地提高启动速度和系统的稳定性。
希望本文能帮助读者更好地理解DM365的NANDFlash启动过程及其背后的技术细节。

将高电平和低电平交替变换的引脚接到P3.2即外部中断0，在串口1输出高电平时间和低电平时间，实时检测实时输出.数据通过串口回传至电脑，经数据处理和分析，可实现模拟示波器功能。

仿真已经有结果，moduleLcd12864(//针对型号为RT12864-SinputSys_Clk,inputRst,outputregLCD_RS,outputLCD_RW,outputLCD_E,outputreg[7:0]LCD_Data//outputPSB//串并控制端口,H为并行，L为串行,直接接5v//outputLCD_Rst,//液晶的复位端口，低电平有效

本实验设计一个十字路口的交通灯控制器，分为东西和南北两个部分。
每个部分有五盏灯，分别为左转灯、直行灯、右转灯、人行道灯及黄灯，另外还有一个倒计时器。
左转灯、直行灯、右转灯、人行道灯亮表示允许通行，灯灭表示禁止通行；
黄灯亮表示即将有信号灯的状态发生改变；
倒计时显示了到下一状态的时间。
2.状态表(0表示灯灭，1表示灯亮)时间度量 东西方向 　南北方向 东西方向 南北方向t/s ← ↑ → 行人 黄 ← ↑ → 行人 黄 倒计时/s 倒计时/s0~13 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 13 4513~15 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 2 　15~28 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 13 　28~30 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 2 　30~43 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 13 　43~45 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 2 　45~58 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 45 1358~60 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 　 260~73 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 　 1373~75 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 　 275~88 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 　 1388~90 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 　 23.状态图(低电平表示灯灭，高电平表示灯亮)4.顶层设计图如图所示，交通灯控制器主要分为三个模块，交通灯状态控制，交通灯显示和倒计时。
交通灯状态控制模块：接受频率为1Hz的时钟信号，根据该信号进行处理，对交通灯显示和倒计时模块给出相应的状态编号(12个状态)。
交通灯显示模块：通过相应的状态设置两组交通灯的亮灭。
倒计时模块：通过相应的状态确定倒计时的基数及显示。

5V继电器模块，采用EL817光耦隔离，低电平触发&LM317可调稳压模块（电赛作品中用到的模块，下载后可直接打板焊接使用，Altiumdesigner6.9设计）

本模块实现高低电平噪声滤波功能，即将高电平和低电平持续时间低于阈值的脉冲都滤除。
程序首先滤除高电平噪声，而后滤除低电平噪声。
输出脉冲与输入脉冲间有两个阈值长短的时间延迟。
程序中时钟为1MHz，阈值FilterThreshold为100us，可根据实际情况进行设置。
程序中高低电平的阈值取的一样，可分别设置。
敬请注意，由于时延影响，若FilterThreshold为100，则低于101的都被滤除，大于等于102的才能通过。

1、掌握低电平调制电路组成与基本工作原理。
2、熟悉低电平调制种类。
3、掌握各种低电平调制电路各项主要技术指标意义及测试技能。

LED一般是恒流点亮的，如何改变LED的亮度呢？答案就是PWM控制。
在一定的频率的方波中，调整高电平和低电平的占空比，即可实现。
比如我们用低电平点亮一个LED灯，我们假设把一个频率周期分为10个时间等份，如果方波中的高低电平占空比是9：1，这是就是一个比较暗的亮度，如果方波中高低电平占空比是10：0，这时，全部是高电平，灯是灭的。
如果占空比是5：5，就是一个中间亮度，如果高低比是1：9，是一个比较亮的亮度，如果高低是0：10，这时全部是低电平，就是最亮的。

LPM_ROM和LPM_RAM设计一实验目的掌握FPGA中LPM_ROM的设置：1作为只读寄存器ROM的工作特性和配置方法；
2学习将程序代码或数据以MIF格式文件加载于LPM_ROM中；
掌握lpm_ram_dp的参数设置和使用方法：1掌握lpm_ram_dp作为随即存储器RAM的设置；
2掌握lpm_ram_dp的工作特性和读写方法；
3掌握lpm_ram_dp的仿真测试方法。
二实验要求1LPM_ROM定制和测试LPM_ROM的参数设置：LPM_ROM中数据的写入，即初始化文件的编写；
LPM_ROM的实际应用，在GW48实验台上用N0.0电路模式测试。
2LPM_RAM定制和测试LPM_RAM的参数设置；
LPM_RAM的实际应用，在GW48实验台上用N0.0电路模式测试。
三实验原理用户可编程硬件FPGA芯片设计，有许多可调用参数化库模块LPM（LibraryParameterizedModules）,课直接调用设置，利用嵌入式阵列块EAB（EmbedArrayBlock）构成lpm_ROM，lpm_RAM等各种存储器结构。
Lpm_ROM有5组信号：地执信号address[]；
数据信号q[];时钟信号inclock、outclock;允许信号memenable.其参数是可以设定的。
由于ROM是只读寄存器，它的数据口试单向的输出端口，数据是在对FPGA现场配置时，通过配置文件一起写入存储单元的。
Lpm_ram_dq的输入/输出信号如下：地址信号address[];RAM_dqo的存储单元地址；
数据输入信号DATA[]RAM_dqo的数据输入端；
数据输出信号Q[]；
RAM_dqo的数据输出端；
时钟信号CLK;读/写时钟脉冲信号；
读写信号W/R读/写控制信号端数据从总线端口DATA[]输入。
丹输入数据和地址准备好以后，由于在inclock上的信号是地址锁存时钟，当信号上升沿到来时，地址被锁存，于是数据被写入存储单元。
数据的读出控制是从A[]输入存储单元地址，在CLK信号上升沿到来时，该单元数据从Q[]输出。
W/R为读/写控制端，低电平时进行读操作，高电平时进行写操作；
四实验步骤

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。