基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。
得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60s。
采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液，得出最佳刻蚀时间为30s。
扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示，孔阵周期为528nm，刻蚀深度为124nm，具有完满的表面形貌及良好均匀性和周期性。
得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60s。
采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液，得出最佳刻蚀时间为30s。
扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示，孔阵周期为528nm，刻蚀深度为124nm，具有完满的表面形貌及良好均匀性和周期性。
2021/4/25 23:16:27
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使用正点原子战舰板子开发，型号为stm32f103zet6，引脚连接说明已经写在了文件中，本人在网上找了很多类似程序，大多有问题，最初自己写了一个，亲测可以使用。
2019/9/24 4:33:35
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可以直接打板，好东西，底板在另外的链接，可以到我发布的文件查看
2015/11/20 3:55:45
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误点原子探索者STM32F407通过TIM_DMA方式驱动WS2812B，多通道PWM多路驱动，可以显示任意颜色，压缩包为整个MDK工程，解压即可用。
WS2812B的驱动已封装成.c和.h库文件，移植极其方便。
延时函数为特有，采用系统定时器1ms时基循环计数的方式累积时间，不占用主循环时间。
WS2812B的驱动已封装成.c和.h库文件，移植极其方便。
延时函数为特有，采用系统定时器1ms时基循环计数的方式累积时间，不占用主循环时间。
2015/7/25 18:26:06
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2019年电赛D题自用信号处理单片机，主控芯片为stm32h750vbt6，四路adc以SMA头引出，也可作为两路差分的adc使用，并可以复用为两路dac，带误点原子的TTF屏幕接口，矩阵键盘，预留三路串口（其中一路以usb加ch340g引出），以及12个空引脚。
赠送自用的全套库文件。
赠送自用的全套库文件。
2019/2/11 6:55:35
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本代码是基于STM32F103ZET6和编码器直流电机编写的，增量式PID控制电机转动速度的程序，并且是基于正点原子代码格式编写的，对于初学者有重要的参考研究意义。
本代码工程书写规范，带有正文，分程序块编写。
本人测试可靠可用，绝对良心。
本代码工程书写规范，带有正文，分程序块编写。
本人测试可靠可用，绝对良心。
2021/2/2 15:54:17
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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