/ 基于全息光刻系统制备528nm周期孔阵图形
基于全息光刻系统制备528nm周期孔阵图形
基于全息光刻系统制备528nm周期孔阵图形
基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。
得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60s。
采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液，得出最佳刻蚀时间为30s。
扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示，孔阵周期为528nm，刻蚀深度为124nm，具有完满的表面形貌及良好均匀性和周期性。
本软件ID:15121298
基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。
得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60s。
采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液，得出最佳刻蚀时间为30s。
扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示，孔阵周期为528nm，刻蚀深度为124nm，具有完满的表面形貌及良好均匀性和周期性。
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