课程内容包括JUC多线程并发、JVM和GC等目前大厂笔试中会考、面试中会问、工作中会用的高频难点知识。
从多线程并发入手，分层递进讲解，逐渐让大家掌握volatile、原子类和原子引用、CAS、ABA、Java锁机制、阻塞队列、线程池等重点；
逐渐过渡到JVM和GC的知识，深度讲解多种常见OOM异常和JVM参数调优，以及串行并行并发G1等各种垃圾收集器的优化实践。
从多线程并发入手，分层递进讲解，逐渐让大家掌握volatile、原子类和原子引用、CAS、ABA、Java锁机制、阻塞队列、线程池等重点；
逐渐过渡到JVM和GC的知识，深度讲解多种常见OOM异常和JVM参数调优，以及串行并行并发G1等各种垃圾收集器的优化实践。
2021/4/6 18:48:26
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在不可约张量法基础上,应用二次量子化方法计算了原子的双光子激发截面.作为一个实例,计算了Hg原子的双光子激发截面.理论结果与实验结果在数量级上有较好的符合.
2020/1/1 23:05:31
3.43MB
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XCOMV2.2串口调试助手1，支持多个常用波特率，支持自定义波特率2，支持5/6/7/8位数据，支持1/1.5/2个停止位3，支持奇/偶/无校验4，支持16禁止发送/接收显示，支持DTR/RTS控制5，支持窗口保存，并可以设置编码格式6，支持延时设置，支持时间戳功能7，支持定时发送，支持文件发送，支持发送新行8，支持多条发送，并关联数字键盘，支持循环发送9，支持无限制扩展条数，可自行增删10，支持发送条目导出/导入（excel格式）11，支持协议传输（类modbus）12，支持发送/接收区字体大小、颜色和背景色设置13，支持简体中文、繁体中文、英文三种言语14，支持原子软件仓库
2019/7/7 12:57:57
475KB
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购买误点原子的ATK-IMU901模块后，发现例程给的是HAL库的所以将其改为了库函数版本。
2015/10/19 20:24:39
2.47MB
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误点原子STM32F407探索者原理图和PCB图，绝对官方。
1.看清楚了，是原理图和PCB都有。
是原理图和PCB！2.可以直接打板卡。
1.看清楚了，是原理图和PCB都有。
是原理图和PCB！2.可以直接打板卡。
2021/3/17 15:47:58
29.4MB
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参考安富莱STM32_V5开发板——数字信号处理教程（V1.0）.PDF文档，将DSP库配置到了STM32F103ZET6为主芯片的开发板中（原子），配置成功，由于对例示程序没有太多完善，有些结果不太精确。
但可以参考其中的配置
但可以参考其中的配置
2016/10/21 21:28:42
18MB
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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