在计入相干效应和考虑衬底影响的基础上,提出一种非破坏性的简易分析法。
利用此法,由非晶硅试样的光谱透射曲线可确定膜层的厚度、折射率及吸收系数。
作为例子,我们计算了α-Si:H及α-SiC:H薄膜的光隙。
利用此法,由非晶硅试样的光谱透射曲线可确定膜层的厚度、折射率及吸收系数。
作为例子,我们计算了α-Si:H及α-SiC:H薄膜的光隙。
2023/10/9 22:03:30
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采用激光熔覆技术在45#钢表面分别制备了Ni60A涂层及SiC/Ni60A复合涂层。
采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对涂层进行了显微组织和物相分析,并测试了熔覆层的显微硬度和耐冲蚀磨损性能。
结果表明,在激光作用下,SiC由于具有较小的生成热容易溶解在合金涂层中。
熔覆层的物相主要由γ(Ni-Cr-Fe)固溶体及Fe7C3,Fe0.79C0.12Si0.09等化合物组成。
在固溶强化、第二相强化及细晶强化的共同作用下,SiC/Ni60A涂层的抗冲蚀性能显著提高,涂层的显微硬度也明显增加。
采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对涂层进行了显微组织和物相分析,并测试了熔覆层的显微硬度和耐冲蚀磨损性能。
结果表明,在激光作用下,SiC由于具有较小的生成热容易溶解在合金涂层中。
熔覆层的物相主要由γ(Ni-Cr-Fe)固溶体及Fe7C3,Fe0.79C0.12Si0.09等化合物组成。
在固溶强化、第二相强化及细晶强化的共同作用下,SiC/Ni60A涂层的抗冲蚀性能显著提高,涂层的显微硬度也明显增加。
2023/6/7 18:40:39
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作为未来无线电晤面的一种有前途的上行多重接入方案，本文谈判了非正交多通道(NOMA)在付与端络续干扰消除了器的不雅点以及实际思考。
其目的是为了阐发NOMA优于正交多存取(OMA)的益处，如临时演进(LTE)所付与的OFDMA。
谈判了NOMA的实际思考，如多用户功率调配、信号开销、SIC差迟传布、高敏捷性场景的成果，以及多输入多输入(MIMO)的组合。
经由盘算机仿真，咱们提供了NOMA的体系级成果，思考到蜂窝体系的实际方面，以及LTE无线电接口的一些关键参数以及成果，如自顺应调制以及编码(AMC)以及频域调解。
咱们在多个配置配备枚举下展现，NOMA实现的体系级成果比OMA高30%以上。
关键词：非正交多址接入，未来的无线接入，电力规模，串行干扰消除了
其目的是为了阐发NOMA优于正交多存取(OMA)的益处，如临时演进(LTE)所付与的OFDMA。
谈判了NOMA的实际思考，如多用户功率调配、信号开销、SIC差迟传布、高敏捷性场景的成果，以及多输入多输入(MIMO)的组合。
经由盘算机仿真，咱们提供了NOMA的体系级成果，思考到蜂窝体系的实际方面，以及LTE无线电接口的一些关键参数以及成果，如自顺应调制以及编码(AMC)以及频域调解。
咱们在多个配置配备枚举下展现，NOMA实现的体系级成果比OMA高30%以上。
关键词：非正交多址接入，未来的无线接入，电力规模，串行干扰消除了
2023/4/20 6:28:27
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该PPT描摹了IGBT的本领阻滞，IGBT的模块参数，车用IGBT的牢靠性，以及未来的SiC的展望，对于汽车行业以及电气行业工程师值患上借鉴。
2023/4/6 15:29:46
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采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同反复频率的辐照实验,获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌,并分析了微观作用机制。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
2019/11/26 9:46:16
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采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同反复频率的辐照实验,获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌,并分析了微观作用机制。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
2020/7/27 22:22:46
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
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MassiveMIMO系统中对MRC、ZF、MMSE、ZF－SIC和MMSE－SIC等检测算法在不同的信噪比和不同的天线数目下的各个算法功能仿真比较。
以及LS、MMSE信道估计算法在不同条件下的功能分析。
以及LS、MMSE信道估计算法在不同条件下的功能分析。
2020/1/12 11:38:49
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使用串行干扰消除(SIC)方法进行MIMO系统信号检测时,先检测出的信号对后续层信号的检测有很大影响,存在误差传播现象。
针对这一问题,提出一种改进的SIC检测算法。
所提算法在进行SIC检测时,对前层采用穷举搜索,并对所得到的P维信号的累积度量值进行计算和排序,从中取出L组具有最小度量值的信号,再对其后续层利用SIC进行检测。
由于对前P层进行穷举搜索,降低了检测的误码率,从而减少了误差传播,提高了系统的检测功能。
通过调节参数P和L,可以在计算复杂度和检测功能间取得适当的折中。
针对这一问题,提出一种改进的SIC检测算法。
所提算法在进行SIC检测时,对前层采用穷举搜索,并对所得到的P维信号的累积度量值进行计算和排序,从中取出L组具有最小度量值的信号,再对其后续层利用SIC进行检测。
由于对前P层进行穷举搜索,降低了检测的误码率,从而减少了误差传播,提高了系统的检测功能。
通过调节参数P和L,可以在计算复杂度和检测功能间取得适当的折中。
2016/4/18 4:10:28
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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