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Ge掺杂SiC电学和光学特性的理论研究

上传者: weixin_38660069 | 上传时间:2016/1/9 15:54:20 | 文件大小:2.73MB | 文件类型:PDF
Ge掺杂SiC电学和光学特性的理论研究
基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明,Ge原子占据Si位后能量更低,愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现,6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据,而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入,导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定,同时导带底向低能方向移动,带隙变窄。
比较介电常数发现,对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C,其电子跃迁机理比6H-SiC简单,吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
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