研究了1MeV和1.8MeV电子辐照下GaInPGaAsGe三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInPGaAsGe三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInPGaAsGe三结太阳电池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInPGaAsGe三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小GaAs子电池的基区损伤
2024/3/5 2:48:51 71KB 太阳能电池
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用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜。
通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-opticalphonon)的谱形进行了分析。
用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。
2023/8/21 4:12:03 298KB 光学材料 ZnSe 拉曼光谱
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氩、氢稠浊等离子体处置对于GaAs大概性子及发光特色的影响
2023/3/26 8:12:11 368KB 研究论文
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HB法制备GaAs的工艺流程:①装料:As量要比化学计较的量要稍多一些②加热除去氧化膜
2023/2/9 4:20:52 244KB 液态密封法
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基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。
得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60s。
采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30s。
扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示,孔阵周期为528nm,刻蚀深度为124nm,具有完满的表面形貌及良好均匀性和周期性。
2021/4/25 23:16:27 1.9MB 光学制造 全息光刻 双曝光 周期孔阵
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新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料,具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优良等特性,在宽带功放的设计中被广泛使用。
基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联,匹配电路为集中元件和分布元件混合,采用负反馈技术提高带宽,RC并联网络提高稳定性,设计了一款20MHz~520MHz的宽带功放。
利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试,在20MHz~520MHz频段内,功放模块饱和输出功率大于9W,增益大于29.5dB,漏极效率高于40%,带内平坦度为±0.7dB。
2022/9/20 16:32:05 57KB GaN
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详细地引见了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益,进而对α因子进行近似计算.模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡