提出并设计了一个应用数字微镜(DMD)的哈达玛变换近红外光谱仪。
以光栅为分光元件,用DMD代替传统的机械式哈达玛编码模板进行光学调制,用InGaAs单点光电二极管探测调制后的光谱信号。
综合考虑分辨率、能量利用率、像差和体积等因素,合理选择狭缝长和宽、光栅入射角及透镜焦距,采用光路分段优化法进行光学设计,通过DMD面阵上的狭缝像和探测器上的点斑尺寸等分析设计结果。
模拟分辨率优于4nm,探测器上点斑尺寸小于3mm,光学系统尺寸为75mm×25mm×85mm。
为提高光谱仪对弱光谱信号的探测能力,在系统前加入了一种集光结构,使从光纤出射的光能的利用率理论值提高24.2%。
实验结果表明,该光谱仪的光谱分辨率优于6nm,通过添加集光结构可以大大提高光谱仪的能量利用效率。
该光谱仪具有分辨率高、能量利用率高、体积小、成本低等优点,有广阔的应用前景。
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研究了1MeV和1.8MeV电子辐照下GaInPGaAsGe三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInPGaAsGe三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInPGaAsGe三结太阳电池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInPGaAsGe三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小GaAs子电池的基区损伤
2024/3/5 2:48:51 71KB 太阳能电池
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InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化
2024/1/31 0:14:06 3.02MB 研究论文
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PurezincblendestructureGaAs/AlGaAsaxialheterostructurenanowires(NWs)aregrownbymetalorganicchemicalvapordepositiononGaAs(111)BsubstratesusingAu-catalyzedvapor-liquid-solidmechanism.AladatomenhancestheinfluenceofdiametersonNWsgrowthrate.NWsaregrownmainlythroughthecontributionsfromthedirectimpingementoftheprecursorsontothealloydropletsandnotsomuchfromadatomdiffusion.Theresultsindicatethatthedropletactsasacatalystratherthanana
2023/12/23 4:42:47 1.96MB 纳米线 闪锌矿 GaAs AlGaAs
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RF系统设计,PCB阻抗计算WhatisAppCAD?“AppCADisaneasy-to-useprogramthatprovidesyouwithauniquesuiteofRFdesigntoolsandcomputerizedApplicationNotestomakeyourwirelessdesignjobfasterandeasier.AppCAD'sunique,interactiveapproachmakesengineeringcalculationsquickandeasyformanyRF,microwave,andwirelessapplications.AppCADisusefulforthedesignandanalysisofmanycircuits,signals,andsystemsusingproductsfromdiscretetransistorsanddiodestoSiliconandGaAsintegratedcircuits.ThekeywordforAppCADiseasy-nocircuitfiles,nomanuals-justquickandeasy.“
2023/11/30 4:39:05 13.61MB RF 设计工具
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Theexpressionsofpulsecharacteristicssuchasoutputenergy,peakpower,andpulsewidthareobtainedbysolvingthecoupledrateequationsdescribingtheoperationofGaAssemiconductorsaturableabsorberQ-switchedlasers.ThekeyparametersofanoptimallycoupledGaAssaturableabsorberQ-swi
2023/11/29 19:22:56 605KB Optimization; Passive Q-switching; Saturable
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用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜。
通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-opticalphonon)的谱形进行了分析。
用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。
2023/8/21 4:12:03 298KB 光学材料 ZnSe 拉曼光谱
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薄膜InGaAs光电探测器的偏振无关宽带排汇增强
2023/4/5 0:24:15 399KB Absorption enhancement; Broadband absorption;
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氩、氢稠浊等离子体处置对于GaAs大概性子及发光特色的影响
2023/3/26 8:12:11 368KB 研究论文
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HB法制备GaAs的工艺流程:①装料:As量要比化学计较的量要稍多一些②加热除去氧化膜
2023/2/9 4:20:52 244KB 液态密封法
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡