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20MHz～520MHz宽带功率放大器的研制
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20MHz～520MHz宽带功率放大器的研制
新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优良等特性，在宽带功放的设计中被广泛使用。
基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联，匹配电路为集中元件和分布元件混合，采用负反馈技术提高带宽，RC并联网络提高稳定性，设计了一款20MHz～520MHz的宽带功放。
利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试，在20MHz～520MHz频段内，功放模块饱和输出功率大于9W，增益大于29.5dB，漏极效率高于40%，带内平坦度为±0.7dB。
本软件ID:9622507
新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优良等特性，在宽带功放的设计中被广泛使用。
基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联，匹配电路为集中元件和分布元件混合，采用负反馈技术提高带宽，RC并联网络提高稳定性，设计了一款20MHz～520MHz的宽带功放。
利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试，在20MHz～520MHz频段内，功放模块饱和输出功率大于9W，增益大于29.5dB，漏极效率高于40%，带内平坦度为±0.7dB。
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