报道了1064nm单频激光抽运的KTP晶体外腔单谐振光参量振荡器(OPO),获得了波长为2.05μm的纳秒激光脉冲输出。
在平-平腔中,将2块II类相位匹配KTP晶体按走离补偿方式放置,在400Hz重复频率下,抽运单脉冲能量达到5mJ时获得了单脉冲能量为0.9mJ的2.05μm信号光输出,其脉宽约为3.7ns,对应抽运光-信号光转换效率约为18%,光束质量因子M2在x、y方向分别为2.08、3.03。
2024/5/16 6:05:39 5.57MB 非线性光 光参量振 2 μm激光
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spice的0.18um库文件,自己更改一下里面的元器件路径即可使用~~~~
2024/4/28 12:24:46 266KB spice
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F7D2301目前最新内部固件1.00.18要的就拿去丢点积分给我就好
2024/1/4 6:09:46 961KB F7D2301 1.00.18 内部固件
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绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。
本文用SentaurusTCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件结构,且运用SentaurusTCAD软件中的SentaurusDevice工具进行器件特性仿真,使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。
2023/12/19 1:32:15 201KB 0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件 设计
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ads混频器从原理图中可以看出,我们使用TSMC的NMOS管搭建了吉尔伯特混频器单元,其中所有晶体管的长度采用了该工艺的特征尺寸0.18um,宽度根据设计需求的增益和噪声等指标进行优化。
电路的中部分射频放大级的NMOS管宽度为100um,此为该DesignKit所能支持的最大的
2023/10/26 7:24:34 5MB ADS
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图示为一位置随动系统,放大器增益为Ka=40,电桥增益,测速电机增益V.s,Ra=7Ω,La=13.25mH,J=0.007kg.m2,Ce=Cm=0.45N.m/A,f=0.18N.m.s,减速比i=0.2
2023/9/6 15:58:03 242KB
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mysql-8.0.18-macos10.14-x86_64官网最新版2019年11月09日13:41:17,百度网盘链接
2023/8/18 21:27:50 67B mysql-8.0.18-mac
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AIX-6系统的bash-5安装包
2023/6/9 17:46:57 2.75MB aix bash
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提出了一种普及混频器线性度的方式:付与交织差分的结构替换原有的混频器结构.改善后,输入信号的三次谐波会被消除了,混频器的三阶阻滞点也患上到改善.混频器责任电压1.8V,射频信号5GHz,电路付与0.18μmCMOS工艺,使用Agilent公司的先进方案体系ADS(advanceddesignsystem)对于电路举行仿真方案.仿真下场评释,经由改善后,混频器IP3普及3.5dB(线性度普及),转换增益普及4.8dB.
2023/5/6 2:01:25 234KB 现代电子技术
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我看其他人的资源只下载Cdbstat.dll就要31分,也太贵了吧。
我这里CANdb++3.0.180和Cdbstat.dll都有了。
先安装CANdb++,安装完成后,软件起不来,提示缺少Cdbstat.dll。
如果是32位的操作零碎,拷贝Cdbstat.dll到C:\Windows\System。
64位的拷贝到C:\Windows\SysWOW64。
2023/1/30 10:21:56 58.48MB CAN CANdb++ Cdbstat.dll Vector
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡