/ 基于0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件的设计及仿真研究
基于0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件的设计及仿真研究
基于0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件的设计及仿真研究
绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。
本文用SentaurusTCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件结构，且运用SentaurusTCAD软件中的SentaurusDevice工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。
绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。
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