通过求解密度泛函理论中的含时科恩-沈（TDKS）方程，对Ne原子光电离过程进行了数值模拟，发现了在高强度极紫外（XUV）激光脉冲作用下的三重动量相关（TMC）现象。
计算结果显示了不同轨道电子具有不同电离特性，发现对于高强度XUV激光脉冲，Ne原子p轨道电子的电离主要发生在沿着轨道纵向的方向上。
通过计算各轨道电子的动量分量，发现轨道电子的平行动量相互关联，垂直动量也相互关联，但平行动量和垂直动量之间并不关联。
这些相互关联的关系可以由轨道形状、轨道朝向和激光偏振来解释。
模拟结果显示了内层轨道电子也可以发生显著电离现象。
计算结果显示了不同轨道电子具有不同电离特性，发现对于高强度XUV激光脉冲，Ne原子p轨道电子的电离主要发生在沿着轨道纵向的方向上。
通过计算各轨道电子的动量分量，发现轨道电子的平行动量相互关联，垂直动量也相互关联，但平行动量和垂直动量之间并不关联。
这些相互关联的关系可以由轨道形状、轨道朝向和激光偏振来解释。
模拟结果显示了内层轨道电子也可以发生显著电离现象。
2023/12/29 7:39:19
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基于第一原理自旋极化密度泛函理论计算，研究了半氟化氮化镓（GaN）片材的相对稳定性，电子结构和磁性能。
最稳定的构型显示出铁磁（FM）基态，每个氟的磁矩约为1.0μB。
半金属铁磁性主要归因于电荷从N原子转移到F原子。
氟化导致N-2pz态和不饱和F-2p轨道不成对的自旋。
空穴介导的双交换负责GaN片中的铁磁性。
此外，仅氟化Ga边缘的GaN纳米带（GaNNRs）为FM。
这开辟了一条通往无金属磁性材料的道路，这种材料具有制造自旋电子器件和纳米磁铁的巨大可能性。
最稳定的构型显示出铁磁（FM）基态，每个氟的磁矩约为1.0μB。
半金属铁磁性主要归因于电荷从N原子转移到F原子。
氟化导致N-2pz态和不饱和F-2p轨道不成对的自旋。
空穴介导的双交换负责GaN片中的铁磁性。
此外，仅氟化Ga边缘的GaN纳米带（GaNNRs）为FM。
这开辟了一条通往无金属磁性材料的道路，这种材料具有制造自旋电子器件和纳米磁铁的巨大可能性。
2023/9/6 21:17:31
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具有正交结构（Pbca-BN，空间）的完全四面结合的氮化硼（BN）同素异形体组：Pbca）通过第一性原理计算进行了研究。
在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。
根据我们的计算，我们发现Pbca-BN的体积模量为344GPa，剪切模量为316GPa，大的德拜温度为1734K，较小的位置比率0.14和60.1GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料：潜在的技术和工业应用。
我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399eV的绝缘体。
在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。
根据我们的计算，我们发现Pbca-BN的体积模量为344GPa，剪切模量为316GPa，大的德拜温度为1734K，较小的位置比率0.14和60.1GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料：潜在的技术和工业应用。
我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399eV的绝缘体。
2023/8/2 5:26:44
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利用密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了基于同一D-B-A分子在改变端基后形成的4个不同的分子器件的电子输运特性及整流效果.研究表明:端基的改变,能明显影响分子器件的整流效果,这是因为端基能影响分子与电极的耦合程度,从而改变了分子轨道的离域性,进而影响分子的电子输运特性及整流效果.更有趣的是,由于分子轨道HOMO和LUMO随偏压极性不同的非对称移动,导致整流器的整流方向与Aviram和Ratner分子整流器相反.
2023/6/30 9:25:28
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
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利用计入卷曲效应的单壁碳纳米管(SWCNT)的能量色散关系,计算最低导带的电子速度及无效质量,并与不计入卷曲效应的结果进行了比较.计算结果表明:卷曲效应对电子速度及无效质量的影响与SWCNT的类型密切相关,金属锯齿型SWCNT对卷曲效应最为敏感,其次是扶手椅型SWCNT,最不敏感的是半导体锯齿型SWCNT.由此可以推断,卷曲效应对金属锯齿型SWCNT电子结构及低偏压输运特性影响最大,其次是扶手椅型SWCNT,影响最不明显的是半导体锯齿型SWCNT.这些结果与实验测量及密度泛函理论计算结果完全一致.
2021/10/15 19:16:16
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采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算了Ce，S单掺杂及Ce/S共掺杂锐钛矿型二氧化钛(TiO2)的能带结构、态密度和光学性质。
结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；
此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化功能。
结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；
此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化功能。
2015/4/4 20:22:47
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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