基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
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Nd-3-H掺杂磷酸盐玻璃中的光学平面波导是通过以6.0x1014离子/cm2的剂量注入6.0-MeV碳离子和以6.0x1014离子/cm的注入量注入6.0-MeV氧离子制造的（2）。
引导模和相应的有效折射率是通过模态2010棱镜耦合器测量的。
基于物质中离子的终止和范围以及RCM反射率计算方法，分析了波导的折射率分布。
分别通过端面耦合法和有限差分光束传播法测量并模仿了近场光强度分布。
进行了碳注入波导和氧注入波导的光学特性的比较。
微发光和拉曼光谱研究表明，Nd3-离子的荧光性质和玻璃微结构在波导区域中得到了很好的保留，这表明碳/氧注入波导是集成光子器件的良好候选者。
（C）2015年光电仪器工程师协会（SPIE）
引导模和相应的有效折射率是通过模态2010棱镜耦合器测量的。
基于物质中离子的终止和范围以及RCM反射率计算方法，分析了波导的折射率分布。
分别通过端面耦合法和有限差分光束传播法测量并模仿了近场光强度分布。
进行了碳注入波导和氧注入波导的光学特性的比较。
微发光和拉曼光谱研究表明，Nd3-离子的荧光性质和玻璃微结构在波导区域中得到了很好的保留，这表明碳/氧注入波导是集成光子器件的良好候选者。
（C）2015年光电仪器工程师协会（SPIE）
2020/11/15 18:45:05
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Nd-3-H掺杂磷酸盐玻璃中的光学平面波导是通过以6.0x1014离子/cm2的剂量注入6.0-MeV碳离子和以6.0x1014离子/cm的注入量注入6.0-MeV氧离子制造的（2）。
引导模和相应的有效折射率是通过模态2010棱镜耦合器测量的。
基于物质中离子的终止和范围以及RCM反射率计算方法，分析了波导的折射率分布。
分别通过端面耦合法和有限差分光束传播法测量并模仿了近场光强度分布。
进行了碳注入波导和氧注入波导的光学特性的比较。
微发光和拉曼光谱研究表明，Nd3-离子的荧光性质和玻璃微结构在波导区域中得到了很好的保留，这表明碳/氧注入波导是集成光子器件的良好候选者。
（C）2015年光电仪器工程师协会（SPIE）
引导模和相应的有效折射率是通过模态2010棱镜耦合器测量的。
基于物质中离子的终止和范围以及RCM反射率计算方法，分析了波导的折射率分布。
分别通过端面耦合法和有限差分光束传播法测量并模仿了近场光强度分布。
进行了碳注入波导和氧注入波导的光学特性的比较。
微发光和拉曼光谱研究表明，Nd3-离子的荧光性质和玻璃微结构在波导区域中得到了很好的保留，这表明碳/氧注入波导是集成光子器件的良好候选者。
（C）2015年光电仪器工程师协会（SPIE）
2021/6/21 18:05:09
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采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算了Ce，S单掺杂及Ce/S共掺杂锐钛矿型二氧化钛(TiO2)的能带结构、态密度和光学性质。
结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；
此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化功能。
结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；
此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化功能。
2015/4/4 20:22:47
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全固态激光器被动锁模是产生超短脉冲的一种有效方法。
在基于Nd3+掺杂激光材料被动锁模产生超短脉冲的研究中，无序晶体成为研究的热点。
结合相关工作，总结了Nd3+掺杂无序晶体被动锁模激光器的研究现状，瞻望了Nd3+掺杂无序晶体在超强超短脉冲制备中的发展前景。
在基于Nd3+掺杂激光材料被动锁模产生超短脉冲的研究中，无序晶体成为研究的热点。
结合相关工作，总结了Nd3+掺杂无序晶体被动锁模激光器的研究现状，瞻望了Nd3+掺杂无序晶体在超强超短脉冲制备中的发展前景。
2018/1/3 17:07:13
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光子晶体光纤的出现,为高功率光纤激光器的关键技术－大模区光纤的实现提供了新途径。
基于铒镱共掺磷酸盐材料的包层掺杂新结构出现,为实现愈加紧凑的光纤激光器提供了可能。
常规高功率光纤激光器中的抽运技术,谐振腔技术和相干组束技术也在不断融入高功率光子晶体光纤激光器。
高功率光子晶体光纤激光器的调Q和锁模输出也已经实现。
基于铒镱共掺磷酸盐材料的包层掺杂新结构出现,为实现愈加紧凑的光纤激光器提供了可能。
常规高功率光纤激光器中的抽运技术,谐振腔技术和相干组束技术也在不断融入高功率光子晶体光纤激光器。
高功率光子晶体光纤激光器的调Q和锁模输出也已经实现。
2019/11/15 15:51:05
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利用宽带保偏光纤光栅(PFBG)、普通有源光纤和窄带普通光纤光栅构成独立的谐振腔,且窄带普通光纤光栅的中心波长分别与保偏光纤光栅的一个反射峰波长对准,可以输出波动的双波长/单波长的单偏振激光。
利用这一思想,制成了基于非保偏有源掺杂光纤的单偏振双波长光纤激光器。
实验结果表明,双波长同时激射时的激光消光比为46.7dB,单波长激光的消光比为59.6dB,滤波出单波长测量其偏振度为98.5%。
这种激光器在微波光子领域可用于在光域产生微波。
利用这一思想,制成了基于非保偏有源掺杂光纤的单偏振双波长光纤激光器。
实验结果表明,双波长同时激射时的激光消光比为46.7dB,单波长激光的消光比为59.6dB,滤波出单波长测量其偏振度为98.5%。
这种激光器在微波光子领域可用于在光域产生微波。
2022/9/4 12:08:51
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为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,墓于MoneeCarlo和扩散限制模型(DI.A)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐抽半径和腐几率等参数,用Matlab来实现。
模拟得到了电流密度,F酸浓度、腐性时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近。
因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程。
模拟得到了电流密度,F酸浓度、腐性时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近。
因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程。
2015/3/8 6:20:03
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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