/ 多孔硅构成过程及孔隙率的计算机模拟(2007年)
多孔硅构成过程及孔隙率的计算机模拟(2007年)
多孔硅构成过程及孔隙率的计算机模拟(2007年)
为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,墓于MoneeCarlo和扩散限制模型(DI.A)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐抽半径和腐几率等参数,用Matlab来实现。
模拟得到了电流密度,F酸浓度、腐性时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近。
因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程。
本软件ID:18836099
为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,墓于MoneeCarlo和扩散限制模型(DI.A)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐抽半径和腐几率等参数,用Matlab来实现。
模拟得到了电流密度,F酸浓度、腐性时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近。
因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程。
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程及孔隙率的计算机模拟(2007年)-cite-
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