正交频分复用技术（OFDM）具有抗频率选择性衰减和提高频带利用率的良好特点。
本文设计了基于OFDM技术的水声通信系统，此系统通过IFFT/FFT算法来实现，利用保护间隔的循环前缀来克服码间干扰，并通过Matlab仿真说明OFDM系统在水声通信中有抗多径干扰性能。
OFDM技术受到高速率数据传输系统的青睐，在水下通信中具有很好的应用前景。
本文设计了基于OFDM技术的水声通信系统，此系统通过IFFT/FFT算法来实现，利用保护间隔的循环前缀来克服码间干扰，并通过Matlab仿真说明OFDM系统在水声通信中有抗多径干扰性能。
OFDM技术受到高速率数据传输系统的青睐，在水下通信中具有很好的应用前景。
2025/4/24 10:43:19
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国际标准SFR算法，标准文档ISO12233，SFR（spatialfrequencyresponse）表示空间频率响应，表示的也是相机的解像能力
2025/4/23 21:40:34
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通过高频等离子体增强化学气相沉积（HFPECVD）在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜（SiNx：H）。
主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。
通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。
SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。
结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。
对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。
氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。
通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。
SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。
结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。
对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。
氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
2025/4/23 9:02:20
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该方法需要基于有限的观测数据估计自相关序列，当数据长度较短时，估计误差会比较大，AR参数的计算就会引入很大的误差。
从而导致功率谱估计出现谱线分裂与谱峰频率偏移等现象。
从而导致功率谱估计出现谱线分裂与谱峰频率偏移等现象。
2025/4/22 16:02:25
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本书系统地介绍了射频通信电路设计的基本原理和方法。
全书从传输线理论、Smith圆图、两端口网络等射频电路基础理论着手，介绍了滤波电路、匹配电路、放大电路、振荡电路和频率变换电路等射频通信单元电路的具体设计方法。
书中有丰富的图解和实例，每章均附有一定数量的习题，其中包含一些编写计算机程序辅助电路设计的练习，还有需要利用互联网获取电路设计信息的练习
全书从传输线理论、Smith圆图、两端口网络等射频电路基础理论着手，介绍了滤波电路、匹配电路、放大电路、振荡电路和频率变换电路等射频通信单元电路的具体设计方法。
书中有丰富的图解和实例，每章均附有一定数量的习题，其中包含一些编写计算机程序辅助电路设计的练习，还有需要利用互联网获取电路设计信息的练习
2025/4/22 10:01:53
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输出功率P0=0.5W工作频率f0=7MHz调幅度ma=100%电源电压12v频率准确度△f/f0≤5×10-4；
画出调幅发射机组成框图，方案的确定，晶体振荡器设计计算
画出调幅发射机组成框图，方案的确定，晶体振荡器设计计算
2025/4/21 13:24:42
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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