好用的STM32F412工程模板STM32F412的新型大量数据获取模式（BAM），为数据处理进行了功耗优化，将DynamicEfficiency提升到了一个新的水平。
BAM允许通信外设实现批量数据交换，同时器件的其它部分（包括CPU）可保持在省电模式。
性能：在100MHz频率下，从Flash存储器执行时，STM32F412能够提供125DMIPS/339CoreMark性能，并且利用意法半导体的ART加速器实现FLASH零等待状态。
DSP指令和浮点运算单元扩大了产品的应用范围。
功效：ST该系列产品采用意法半导体90nm工艺，使用ART加速器和动态功耗调整功能，从Flash存储器执行指令，运行模式下可实现低至112µA/MHz的电流消耗。
停机模式下，功耗低至18µA。
集成度：STM32F412器件内置高达512至1024KB的Flash存储器和高达256KB的SRAM。
具备从48到144引脚各类封装。
4路USART，速度高达12.5Mbit/s5路SPI（I²S多路传输），速度高达50Mbit/s4个I²C，高达1Mbps2xCAN（支持2.0B）1个SDIO，运行于高达48MHz，所有封装都提供1个USB2.0OTG全速（FS）2个全双工I²S，最高32-bit/192kHz3个单工I²S，最高32-bit/192kHz2个数字滤波器，用于∑Δ调制器4个PDM接口，支持立体声麦克风速度高达2.4MSPS的12位ADC，14个定时器，频率高达100MHz的16和32位定时器硬件随机数发生器

选自sram山地后拨正负齿还原√

oduleGPS ( //////////////////// ClockInput //////////////////// CLOCK_24, // 24MHz CLOCK_27, // 27MHz CLOCK_50, // 50MHz EXT_CLOCK, // ExternalClock //////////////////// PushButton //////////////////// KEY, // Pushbutton[3:0] //////////////////// DPDTSwitch //////////////////// SW, // ToggleSwitch[9:0] //////////////////// 7-SEGDispaly //////////////////// HEX0, // SevenSegmentDigit0 HEX1, // SevenSegmentDigit1 HEX2, // SevenSegmentDigit2 HEX3, // SevenSegmentDigit3 //////////////////////// LED //////////////////////// LEDG, // LEDGreen[7:0] LEDR, // LEDRed[9:0] //////////////////////// UART //////////////////////// UART_TXD, // UARTTransmitter UART_RXD, // UARTReceiver ///////////////////// SDRAMInterface //////////////// DRAM_DQ, // SDRAMDatabus16Bits DRAM_ADDR, // SDRAMAddressbus12Bits DRAM_LDQM, // SDRAMLow-byteDataMask DRAM_UDQM, // SDRAMHigh-byteDataMask DRAM_WE_N, // SDRAMWriteEnable DRAM_CAS_N, // SDRAMColumnAddressStrobe DRAM_RAS_N, // SDRAMRowAddressStrobe DRAM_CS_N, // SDRAMChipSelect DRAM_BA_0, // SDRAMBankAddress0 DRAM_BA_1, // SDRAMBankAddress0 DRAM_CLK, // SDRAMClock DRAM_CKE, // SDRAMClockEnable //////////////////// FlashInterface //////////////// FL_DQ, // FLASHDatabus8Bits FL_ADDR, // FLASHAddressbus22Bits FL_WE_N, // FLASHWriteEnable FL_RST_N, // FLASHReset FL_OE_N, // FLASHOutputEnable FL_CE_N, // FLASHChipEnable //////////////////// SRAMInterface //////////////// SRAM_DQ, // SRAMDatabus16Bits SRAM_ADDR, // SRAMAddressbus18Bits SRAM_UB_N, // SRAMHigh-byteDataMask SRAM_LB_N, // SRAMLow-byteDataMask SRAM_WE_N, // SRAMWriteEnable SRAM_CE_N, // SRAMChipEnable SRAM_OE_N, // SRAMOutputEnable //////////////////// SD_CardInterface //////////////// SD_DAT, // SDCardData SD_DAT3, // SDCardData3 SD_CMD, // SDCardCommandSignal SD_CLK, // SDCardClock //////////////////// USBJTAGlink //////////////////// TDI, //CPLD-＞FPGA(datain) TCK, //CPLD-＞FPGA(clk) TCS, //CPLD-＞FPGA(CS) TDO, //FPGA-＞CPLD(dataout) //////////////////// I2C //////////////////////////// I2C_SDAT, // I2CData I2C_SCLK, // I2CClock //////////////////// PS2 //////////////////////////// PS2_DAT, // PS2Data PS2_CLK, // PS2Clock //////////////////// VGA //////////////////////////// VGA_HS, // VGAH_SYNC

STM32的FSMC总线上挂载一个SRAM，实现将堆栈空间放在该外部SRAM中。
开发工具使用的是IAR5.4

基于DE1开发板，实现录音和播放功能，并可将存入sram中的语言数据通过uart传回电脑。

TSOP_44_48_54系列封装，IS61LV系列SRAM封装,管脚间距0.8mm。

ADUC7026ADIMCU开发板protel99se设计硬件原理图+PCB文件，采用2层板设计，板子大小为132x88mm，双面布局布线。
主要器件为ADUC7026，MAX232ACPE(16)，2片SRAM,LM7805,AMS1117.Protel99se设计的DDB后缀项目工程文件，包括完整无误的原理图及PCB印制板图，可用Protel或AltiumDesigner(AD)软件打开或修改，已经制板并在实际项目中使用，可作为你产品设计的参考。

分别基于Hynix公司的SRAMHY64UD16322A和DRAMHY57V281620E，介绍了采用两种不同的RAM结构，通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。

FPGA对SRAM的简单读写测试，用的是Cyclone系列芯片，两个按钮控制对ISSI25616的写入和读出。
先写入一个数据，再读出这个数据，如果读出的数据与写入的相同，则LED灯亮。
由此可以让初学者对SRAM的读写有一个了解。

基于CPAL电路和DTCMOS技术的近阈值绝热SRAM

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。