飞思卡尔LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor)功率管MRF9045N模型用于ADS的功率放大器的仿真。
2024/8/26 9:53:06 15.22MB 飞思卡尔 ADS模型
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学习设计功率放大器需要参考徐兴福老师著《ADS2011射频电路设计与仿真实例》,书中是用飞思卡尔的LDMOS功率管MRF8P9040N设计放大器,随着ADS版本的更新,ADS2016不能调出MRF8P9040N进行仿真设计。
这里提供了适合2016版本的飞思卡尔ADS2016控件以及MRF8P9040N模型库。
通过在ADS2016软件里解压控件以及模型库,就可调出MRF8P9040N模型进行原理图设计以及仿真!
2024/8/15 4:36:53 3.78MB ADS2016 MRF8P9040N PA
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Inthisletter,ap-channellateraldoublediffusedMOSFET(p-LDMOS)withdoubleelectronpathsusedtoenhancethecurrentcapabilityisproposed.Theproposedp-LDMOShastwon-channelsthatarecontrolledbyanauto-generatedvoltagesignal(VGn).ThevoltagesignalVGnisgeneratedduringtheONandOFFstatesoftheholecurrentthatflowsacrossanintegratedresistor(Rp)implementedintheP-baseregion.Thus,thecurrentcapabilityofthep-LDMOScanbesignificantlyenhancedbytheintr
2023/10/9 9:19:34 1.41MB p-LDMOS current capability autocontrolled
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功率器件资料,LIGBT、LDMOS、IGBT、MOS等器件,器件工作原理的基本
2023/8/30 23:19:43 290KB IGBT
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LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。
文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。
经过大量的模拟仿真及数据分析,发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。
最终,通过综合分析影响器件的关键因素,得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。
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Anewconcepthigh-voltagepseudo-pchannellateraldouble-diffusedMOS(p-LDMOS)withmultiplecurrentpathsforconductionisproposedandinvestigatedinthispaper.Theproposedpowerdeviceconsistsoftwoholecurrentpaths(p-channelMOSdevice)andoneelectroncurrentpath(n-channelMOSdev
2016/1/11 8:45:11 640KB Current paths pseudo-p-channel lateral
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡