/ ANovelHigh-VoltagePseudo-p-LDMOSDeviceWithThreeCurrentConductivePaths
ANovelHigh-VoltagePseudo-p-LDMOSDeviceWithThreeCurrentConductivePaths
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Anewconcepthigh-voltagepseudo-pchannellateraldouble-diffusedMOS(p-LDMOS)withmultiplecurrentpathsforconductionisproposedandinvestigatedinthispaper.Theproposedpowerdeviceconsistsoftwoholecurrentpaths(p-channelMOSdevice)andoneelectroncurrentpath(n-channelMOSdev 本软件ID:15121365
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