第一章连续的小波变换1．1连续小波变换的定义1．2与短时傅里叶变换的比较1．3连续小波变换的一些性质1．4小波变换的反演及对基本小波的要求1．5连续小波变换的计算机实现与快速算法1．6几种常用的基本小波1．7应用举例第二章尺度及位移均离散化的小波变换2．1离散α，γ栅格下的小波变换2．2标架(frame)概念2．3小波标架2．4应用举例第三章多分辨率分析与离散序列的小波变换3．1概述3．2多分辨率信号分解与重建的基本概念3．3尺度函数和小波函数的一些重要性质3．4由多分辨率分析引出多采样率滤波器组3．5Mallat算法实现中的一些问题3．6离散序列的小波变换3．7金字塔结构的数据编码第四章多采样率滤波器组与小波变换4．1概述4．2多采样率信号处理的一些基本关系4．3双通道多采样率滤波器的理想重建条件4．4多采样率滤波器组的两种一般表示法4．5正交镜像滤波器组与共轭正交滤波器组4．6正交滤波器组的设计4．7二项式小波滤波器组4．8对滤波器组参数与连续时间小渡变换关系的进一步讨论4．9Daubechies小波4．10IIR型的正交滤波器组和小波4．1l双正交滤波器组与双正交小波4．12滤波器组理想重建条件的时域表示式及其设计第五章二维小波变换及其用于图像处理5．1概述5．2二维图像的多分辨率分析：可分离情况5．3五株排列(quincunx)的多分辨率分析5．4应用举例5．5二维连续小波变换第六章小波变换用于表征信号的突变(瞬态)特征6．1概述6．2基本原理6．3几种检测局部性能常用的小波6．4用小波变换极大值在多尺度上的变化来表征信号奇异点的性质6．5用二维小波变换作图像上物体边沿的检测6．6应用举例6．7用小波变换的过零点来表征信号6．8由小波变换的奇异点重建信号6．9仿真计算第七章小波包与时一频平面的铺砌7．1概述7．2小波包的定义与主要性质7．3最优小波包基的选择7．4自适应小波包分解7．5最优小波包作自适应切换时瞬态的抑制——时变滤波器组方法7．6关于时间一频率平面的自适应铺砌7．7基本小波的优化设计7．8小波变换在不同基函数间的换算第八章小波变换与分形信号的分析8．1概述8．2关于分形的简述8．3过程的小波分析8．4确定性的自相似过程8．5过程的信号处理8．6分数布朗运动与分数高斯噪声8．7小波变换用于其他分形问题简介

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第一章振动基本概念1.1振动的基本概念1.2振动的分类第二章单自由度系统振动2.1无阻尼系统的自由振动2.2计算固有频率的能量法第三章两自由度系统振动3.1两自由度系统的自由振动3.2量自由度系统的受迫振动3.3坐标的耦联3.4拍振第四章多自由度系统振动4.1多自由度系统的运动微分方程4.2固有频率主振型4.3主坐标和正则坐标4.4固有频率相等的情形4.5无阻尼振动系统对初始条件的响应4.6质量、刚度变化对固有频率的影响4.7无阻尼振动系统对激励的响应4.8有阻尼系统对激励的响应第五章数值计算方法5.1瑞利能量法5.2里兹法5.3邓克来法5.4矩阵迭代法5.5子空间迭代法5.6传递矩阵法第六章弹性体一维振动6.1杆的纵向自由振动6.2杆的纵向受迫振动6.3梁的横向自由振动6.4梁的横向受迫振动第七章振动分析的有限元法7.1单元体的运动方程式7.2单元体的特性分析7.3坐标转换7.4固有频率及主振型7.5系统的响应第八章减振技术8.1减振的基本概念8.2隔振8.3阻尼消振8.4动力减振器

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本教材介绍了五个方面的内容：MOS器件基本原理以及主要的特性，VLSI中逻辑结构的主要设计方法，用于VLSI系统的模拟集成单元设计方法，VLSI的测试问题与相关技术，VLSI设计系统及其组成。
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《VLSI设计基础》作为VLSI设计基础教材，注重相关理论的结论和知识的应用。
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第1章VLSI设计基础概述1.1VLSI设计技术基础与主流制造技术1.2VLSI设计方法与设计技术1.3新技术对VLSI的贡献1.4ASIC和VLSI1.5SOC1.6VLSI的版图结构和设计技术1.6.1VLSI的版图总体结构1.6.2VLSI版图的内部结构第2章MOS器件与工艺基础2.1MOS晶体管基础2.1.1MOS晶体管结构及基本工作原理2.1.2MOS晶体管的阈值电压VT2.1.3MOS晶体管的电流-电压方程2.1.4MOS晶体管的平方律转移特性2.1.5MOS晶体管的跨导gm2.1.6MOS晶体管的直流导通电阻2.1.7MOS晶体管的交流电阻2.1.8MOS晶体管的最高工作频率2.1.9MOS晶体管的衬底偏置效应2.1.10CMOS结构2.2CMOS逻辑部件2.2.1CMOS倒相器设计2.2.2CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法2.2.3其他CMOS逻辑门2.2.4D触发器2.2.5内部信号的分布式驱动结构2.3MOS集成电路工艺基础2.3.1基本的集成电路加工工艺2.3.2CMOS工艺的主要流程2.3.3Bi-CMOS工艺技术第3章工艺与设计接口3.1工艺对设计的制约与工艺抽象3.1.1工艺对设计的制约3.1.2工艺抽象3.2设计规则3.2.1几何设计规则3.2.2电学设计规则3.2.3设计规则在VLSI设计中的应用第4章晶体管规则阵列设计技术4.1晶体管阵列及其逻辑设计应用4.1.1全NMOS结构ROM4.1.2ROM版图4.2MOS晶体管开关逻辑4.2.1开关逻辑4.2.2棒状图4.3PLA及其拓展结构4.3.1“与非-与非”阵列结构4.3.2“或非-或非”阵列结构4.3.3多级门阵列(MGA)4.4门阵列4.4.1门阵列单元4.4.2整体结构设计准则4.4.3门阵列在VLSI设计中的应用形式4.5晶体管规则阵列设计技术应用第5章单元库设计技术5.1单元库概念5.2标准单元设计技术5.2.1标准单元描述5.2.2标准单元库设计5.2.3输入、输出单元（I/OPAD）5.3积木块设计技术5.4单元库技术的拓展第6章微处理器6.1系统结构概述6.2微处理器单元设计6.2.1控制器单元6.2.2算术逻辑单元（ALU）6.2.3乘法器6.2.4移位器6.2.5寄存器6.2.6堆栈6.3存储器组织6.3.1存储器组织结构6.3.2行译码器结构6.3.3列选择电路结构第7章测试技术和可测试性设计7.1VLSI可测试性的重要性7.2测试基础7.2.1内部节点测试方法的测试思想7.2.2故障模型7.2.3可测试性分析7.2.4测试矢量生成7.3可测试性设计7.3.1分块测试7.3.2可测试性的改善设计7.3.3内建自测试技术7.3.4扫描测试技术第8章模拟单元与变换电路8.1模拟集成电路中的基本元件8.1.1电阻8.1.2电容8.2基本偏置电路8.2.1电流偏置电路8.2.2电压偏置电路8.3放大电路8.3.1单级倒相放大器8.3.2差分放大器8.3.3源极跟随器8.3.4MOS输出放大器8.4运算放大器8.4.1两级CMOS运放8.4.2CMOS共源-共栅（cascode）运放8.4.3带有推挽输出级的运放8.4.4采用衬底晶体管输出级的运放8.5电压比较器8.5.1电压比较器的电压传输特性8.5.2差分电压比较器8.5.3两级电压比较器8.6D/A、A/D变换电路8.6.1D/A变换电路8.6.2A/D变换电路8.

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