半导体刻蚀中湿法刻蚀机理
2025/11/16 20:52:44 31KB 刻蚀
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以石英和不同型号的玻片为基底,系统研究了基底折射率对周期性金银复合纳米阵列的制备及其光学性能的影响。
采用离散偶极子近似(DDA)数值方法研究了复合阵列的局部表面等离子共振(LSPR)光谱特性,计算结果表明,当基底折射率为1.43和1.68时,纳米阵列的折射率灵敏度(RIS)和品质因子(FOM)比较优异。
利用纳米球刻蚀法(NSL)制备了二维周期性复合纳米点阵结构,实验结果表明,当基底折射率为1.43和1.68时,基底与贵金属纳米颗粒有较好的粘合度,纳米阵列结构形貌比较规则清晰。
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半导体常用(集成电路、刻蚀)关键词解析.doc
2025/1/3 3:41:32 17KB 集成电路
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光刻胶层对未刻蚀导模谐振滤波器的影响
2024/11/23 22:25:17 751KB 研究论文
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通过引入深刻蚀光栅结构,普通的石英玻璃可以表现出类似双折射晶体的偏振分光性能。
这种深刻蚀光栅是一种亚波长光栅结构,仅存在两个衍射级次,通过光栅表面刻蚀深度的优化控制,实现不同偏振方向的光出射到不同衍射级次上,实现了偏振分光的功能。
2024/10/15 17:55:14 675KB 论文
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华林科纳总结出湿法刻蚀和干法刻蚀的优缺点
2024/9/10 3:40:43 14KB 华林科纳
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针对通信波段设计并制作了楔形波导层的导模共振滤波片(GMRF),分析并研究了其光谱特性。
采用三角掩模板的方法进行离子束刻蚀,刻蚀一定次数后获得楔形波导层。
光栅线条方向分为平行于和垂直于楔形波导层变化的方向。
实验结果表明,对于两种结构,共振峰的位置与滤波片上的位置呈近似线性关系。
光栅刻槽平行于楔形层变化的方向时共振峰的半峰全宽较光栅刻槽垂直于楔形层变化的方向时大。
最终在20mm的样品上,获得了线性渐变的Ta2O5楔形薄膜,其反射谱在1560~1600nm范围内近似于线性变化。
2024/5/2 18:12:29 4.99MB 光谱学 导模共振 楔形波导 离子束刻
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介绍CMOS基本工艺流程,包括扩散,光刻,刻蚀,离子注入等等
2023/11/27 7:18:12 2.1MB CMOS 工艺
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以蓝宝石(Al2O3)为衬底材料,通过软件设计和模拟,研究了图形衬底(PS)的图案选择、图形原胞尺寸和图形原胞间距大小3个参数对LED出光效率的影响。
研究结果表明,原胞半径为1.25μm,原胞间距为0.5μm的半球型结构是最优化的图形衬底结构;
并且采用湿法刻蚀技术,制备了该结构的LED芯片,测试得到该种LED芯片出光效率较之普通LED芯片提高了33%。
分析了PS技术改善LED出光效率的根源在于改善了芯片质量,提高了芯片的内量子效率。
2023/10/31 11:02:52 1.43MB 薄膜 LED 图形衬底 发光效率
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利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。
理论分析表明:多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。
如绒面由V字型槽或坑构成,则绒面反射率比较高;
如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化,这种结构构成的绒面反射率低。
实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面,用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图,测量了其表面反射率,分析表面结构形貌与反射率的关系。
实验结果与理论分析相吻合。
2023/7/26 3:16:15 4.21MB 太阳能电 多晶硅 形貌 陷光效应
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡