这个扒站工具，设置好参数，90%的企业类型或者商城类型的网站都可以完全下载上去，而且还可以自动整理界面链接
2023/2/12 12:04:37
5.17MB
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整理了一份最新基于MySQL5.6和5.7的配置文件模板，基本上可以说覆盖90%的调优选项，用户只需根据本人的服务器配置稍作修改即可，如InnoDB缓冲池的大小、IO能力（innodb_buffer_pool_size，innodb_io_capacity)。
特别注意，这份配置文件不用修改，可以直接运行在MySQL5.6和5.7的版本下，这里使用了小小的技巧，具体可看配置文件。
[mysqld]########basicsettings########server-id=11port=3306user=mysqlbind_address=10.166.224.32autocommit=0…………
特别注意，这份配置文件不用修改，可以直接运行在MySQL5.6和5.7的版本下，这里使用了小小的技巧，具体可看配置文件。
[mysqld]########basicsettings########server-id=11port=3306user=mysqlbind_address=10.166.224.32autocommit=0…………
2023/2/6 23:48:46
4KB
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省市区（县）街道标准区划，主要用于做地址标准化，至于地址标准化的实现方法可以参照我的一片博客，希望对大家有用，个人简单做了一个标准化代码，经测试精确率在90%以上，后期如果有人需要相关源代码再考虑上传：https://blog.csdn.net/qq_15783243/article/details/81067024#comments
2018/3/26 1:30:01
3.99MB
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bootice_0.9、dgsetupdisk、Ghost、grldr_menu、win32diskimager-v0.9-binary汉化版各大工具集合
2021/7/5 14:33:07
13.61MB
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反射镜作为光子集成电路的基本元件,被应用于量子通信、智能电网、航空航天等多种领域。
高反射率、低温度敏感性的片上光反射镜可以大大简化光子集成电路系统,提高光子集成电路的可靠性和稳定性。
因而,提出了一种基于绝缘体上硅的高反射率、低温度敏感性片上光反射镜方案。
该方案采用Sagnac环结构,可在3.41nm波长范围内实现超高反射率(反射率大于90%),在32.85nm波长范围内实现高反射率(反射率大于80%)。
通过片上微型热电极对该反射镜进行加热,结果表明,当微型热电极的功率从0mW逐渐升高至6mW时,在1566.5~1568.58nm波长范围内反射镜的波长漂移量小于0.045nm,反射率变化小于0.19dB。
该反射镜具有尺寸小、质量轻、制造简单、反射率高、损耗小、温度不敏感等优势,可广泛应用于激光器、微波光子滤波器、光传输网等通信和信号处理领域。
高反射率、低温度敏感性的片上光反射镜可以大大简化光子集成电路系统,提高光子集成电路的可靠性和稳定性。
因而,提出了一种基于绝缘体上硅的高反射率、低温度敏感性片上光反射镜方案。
该方案采用Sagnac环结构,可在3.41nm波长范围内实现超高反射率(反射率大于90%),在32.85nm波长范围内实现高反射率(反射率大于80%)。
通过片上微型热电极对该反射镜进行加热,结果表明,当微型热电极的功率从0mW逐渐升高至6mW时,在1566.5~1568.58nm波长范围内反射镜的波长漂移量小于0.045nm,反射率变化小于0.19dB。
该反射镜具有尺寸小、质量轻、制造简单、反射率高、损耗小、温度不敏感等优势,可广泛应用于激光器、微波光子滤波器、光传输网等通信和信号处理领域。
2017/7/16 13:38:06
7.76MB
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
2.73MB
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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