面向非易失性主存储器的写活动感知页表管理

面向非易失性主存储器的写活动感知页表管理
诸如相变存储器（PCM）和忆阻器之类的非易失性存储器正在积极研究中由于其特性，可作为嵌入式系统中基于DRAM的主存储器的替代品，包括低功耗和高密度。
虽然PCM是最有前途的候选人之一商用产品可用，其有限的写入耐久性极大地降低了其采用率。
作为主存储器是访问量最大的组件之一，延长PCM的寿命至关重要。
在本文中，我们介绍了可感知写活动的页表管理（WAPTM），这是一种简单而有效的方法页表管理方案，用于通过重新设计系统软件来减少不必要的写入和利用硬件提供的可识别写入活动的功能。
我们在GoogleAndroid中实现了WAPTM基于ARM体系结构，并使用真实的Android应用程序对其进行了评估。
实验结果表明WAPTM可以显着减少页表中的写入次数，证明了WAPTM的可行性和潜力通过减少OS级别的写操作来延长基于PCM的主存储器的寿命。
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