低发射率光子晶体(PC)具有高反射特性,在高温环境的强烈照射下,高反射光子晶体会成为亮目标。
为了使光子晶体具有环境适应性,使之在相当宽的照度范围内都能与背景融合,对光子晶体的特性进行了深入研究。
采用改变光子晶体周期数的方法,设计并制作了发射率分别为0.116、0.212、0.307、0.519、0.606、0.718的6种光子晶体,拼接成4块光子晶体迷彩(PCpp),并将其覆盖在仿真目标上。
用8～14μm热像仪观察目标和背景,并记录各个时间点的平均辐射温度数据,利用辐射温度来计算目标和背景之间的欧式距离和目标在此背景下的伪装效率。
对比结果发现,发射率为0.212、0.30

采用熔盐法分别采用KCl，K2SO4，K2CO3或KNO3为熔融盐和Nb2O5反应，900℃下反应2h合成了铌酸钾晶体。
研究了熔融盐的种类对产物组成、形貌和光学性能的影响。
X射线衍射检测结果表明分别采用KCl和K2SO4为熔融盐时的产物为KNb3O8，而采用K2CO3和KNO3为熔融盐时得到的产物为K3NbO4。
电子扫描显微镜检测结果表明采用KCl为熔融盐时产物为0.2~0.5μm宽，1~10μm长的棒状结构，采用K2SO4为熔融盐时，产物为0.2~1μm宽，1~25μm长的棒状结构。
采用K2CO3为熔融盐时，产物不是棒状结构,而是不规则颗粒状结构。
采用KNO3为熔融盐时，产物为0.2~1μm宽的棒状结构，长度为0.5~4μm，部分棒连接在一起。
荧光光谱研究表明，以K2SO4，K2CO3和KNO3为熔融盐制备的样品具有非常相似的荧光光谱，以KCl，K2SO4和K2CO3为熔融盐制备的样品具有较好的荧光性。

本教程设计了A型线圈电感，并利用该电路对厚度为2ụm、金属宽度为4μm的环形电感进行了仿真。
电感位于厚度为8um的氧化层上，在厚度为200ụm的10-Q-cm硅片上。
金属的电导率为5.8×107Siemens/m。

嵌入式实时操作系统μCOS-Ⅱ经典实例——基于STM32处理包括例程源码，十分清晰的扫描，不错的一本书

自己编写的VB程序，请大家多指教！（赚一点积分嘿嘿……）部分代码如下：PrivateSubCommand1_Click()k=1.4D=Val(Text1.Text)S=Val(Text2.Text)Ne=Val(Text3.Text)nh=Val(Text4.Text)ε=Val(Text5.Text)L=Val(Text6.Text)R=Val(Text7.Text)ge=Val(Text8.Text)P0=Val(Text13.Text)T0=Val(Text12.Text)gc=Val(Text9.Text)gh=Val(Text10.Text)go=Val(Text11.Text)mt=Val(Text14.Text)i=Val(Text15.Text)ι=Val(Text16.Text)α=Val(Text38.Text)ξz=Val(Text40.Text)φi=Val(Text41.Text)ηm=Val(Text42.Text)n=Val(Text45.Text)Vh=(S*0.01)*3.14*(D*0.01)^2/4'排气过程Pr=1+0.3*n/nhTr=850+350*n/nhText17.Text=Val(Pr)Text18.Text=Val(Tr)'进气过程δ=0.5ΔT=ΔTh*(110-0.0125*n)/(110-0.0125*nh)Pa=Int(10^3*(P0*(1-((10*n^2/520/10^6)/10.6^2/0.75^2)*(ε-δ)^2/(ε-1)^2)^(k/(k-1))))/10^3γ=Int(10^3*(T0+ΔT)*Pr/Tr/(ε*Pa-Pr))/10^3Text44.Text=γText19.Text=PaTa=(T0+ΔT+γ*Tr)/(1+γ)ηv=ε*Pa*T0/(ε-1)/P0/Ta/(1+γ)Text20.Text=Val(Int(1000*Ta)/1000)Text21.Text=Val(Int(1000*ηv)/1000)'压缩过程n1=1.46-0.05*Nn/nPc=Pa*ε^n1Tc=Ta*ε^(n1-1)Text22.Text=Val(Int(1000*Pc)/1000)Text23.Text=Val(Int(1000*Tc)/1000)'燃烧过程L0=(gc/12+gh/4-go/32)/0.21M1=α*L0+1/mtCv1=(4.815+0.415*10^(-3)*Tc)*4.1868M2=0.79*α*L0+gh/2+gc/12A=(3.7+3.3*α)*10^(-4)*4.1868B=(4.4+0.62*α)*4.1868μ0=M2/M1μ=(μ0+γ)

嵌入式实时操作系统μC／OS-III是学习嵌入式操作系统的经典资料。

STM32数字示波器制作资料PCB原理图源法度圭表标准特色目的：最高实时取样率：1Msps精度：12Bit取样缓冲器深度：1024字节模拟频带宽度：0-200KHz垂直敏捷度：10mV/Div–5V/Div(按1-2-5方式递进)垂直位移可调，并带有指点输入阻抗：1MΩ最高输入电压：50Vpp（1:1探头），400Vpp（10:1探头）耦合方式搜罗DC/AC/GND水同样普通普通基规模：10μs/Div–50s/Div(按1-2-5方式递进)具备自动、老例以及单次触发方式，便捷捉拿瞬间波形可用回升或者飞腾边缘触发触发电平位置可调，并带有指点可视察触发以前的波形(负提前)可随时解冻波形展现(HOLD成果)

提出了一种普及混频器线性度的方式：付与交织差分的结构替换原有的混频器结构.改善后，输入信号的三次谐波会被消除了，混频器的三阶阻滞点也患上到改善.混频器责任电压1.8V，射频信号5GHz，电路付与0.18μmCMOS工艺，使用Agilent公司的先进方案体系ADS(advanceddesignsystem)对于电路举行仿真方案.仿真下场评释，经由改善后，混频器IP3普及3.5dB（线性度普及），转换增益普及4.8dB.

鲁棒抑制货物箱提供了一系列的函数以及货物以反对于带有不用定元素的多输入多输入抑制体系的方案。
在该货物箱的帮手下，你能够建树带有不用定参数以及动态特色的LTI模子，也能够阐发MIMO体系的平稳性裕度以及最坏情景下的成果。
该货物箱提供了一系列的抑制器阐发以及综合函数，能够阐发最坏情景下的成果及未必最坏情景下的参数值。
行使模子降阶函数能够对于繁杂模子举行简化。
同时提供了先进的鲁棒抑制方式，如H二、H∞、LMI、μ阐发等。

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在该货物箱的帮手下，你能够建树带有不用定参数以及动态特色的LTI模子，也能够阐发MIMO体系的平稳性裕度以及最坏情景下的成果。
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。