研究了大功率底发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）单管器件光束质量，分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等的影响。
使用有限元的方法对不同电极及不同氧化孔径时有源区中电流密度的分布进行了计算，为了获得高功率、高光束质量的VCSEL器件，选择氧化孔径为650μm以及P面电极直径为580μm，在对电流进行有效限制的同时实现了有源区中电流密度的均匀分布，从而抑制远场光斑中边模的产生，改善了光束质量。
使用有限元的方法对不同电极及不同氧化孔径时有源区中电流密度的分布进行了计算，为了获得高功率、高光束质量的VCSEL器件，选择氧化孔径为650μm以及P面电极直径为580μm，在对电流进行有效限制的同时实现了有源区中电流密度的均匀分布，从而抑制远场光斑中边模的产生，改善了光束质量。
2023/12/27 6:34:25
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本文描述了一种以光声效应为基础的新型激光功率监测器,其光谱响应范围可从紫外到红外区.在可见光波段,监测器的响应率为26μV/μW,最小可探测功率达0.2μW,线性响应范围大于四个数量级.
2023/12/19 21:50:54
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绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。
本文用SentaurusTCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件结构，且运用SentaurusTCAD软件中的SentaurusDevice工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。
本文用SentaurusTCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-WellSOIMOSFET器件结构，且运用SentaurusTCAD软件中的SentaurusDevice工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。
2023/12/19 1:32:15
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1. 光源範圍：486nm～656nm2. CCD規格：1/3.6吋(對角線為5mm)3. CCD像素大小為3.12μm×3.12μm4. F/#：1.85～2.85. 有效焦距(EFFL)：2.85～28.5mm6. 畸變(Distortion)0.5 50lp/mm＞0.28. 第一面到成像面的總長＜110mm
2023/11/27 11:43:58
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设计了一个视场角为30°的免散瞳立体成像眼底相机的光学系统。
系统由成像系统和照明系统组成,在成像系统中,设计了新型眼底立体成像光学结构,并加入前置物镜来提高成像分辨率;在照明系统中,通过设置环形光阑来避免角膜反射光的产生,并加入黑点板来消除网膜物镜产生的杂散光。
研究结果表明,该系统不仅可以实现眼底视网膜图像的多角度同步采集,还可以实现眼底视网膜6×106pixel的高清成像。
系统对正常人眼的物方分辨率高于200lp/mm,系统总长为290mm,场曲值小于28μm,畸变仅为-4.9%。
系统具有较强的调焦能力,能对-7~+5m-1屈光度人眼的眼底进行清晰成像。
系统由成像系统和照明系统组成,在成像系统中,设计了新型眼底立体成像光学结构,并加入前置物镜来提高成像分辨率;在照明系统中,通过设置环形光阑来避免角膜反射光的产生,并加入黑点板来消除网膜物镜产生的杂散光。
研究结果表明,该系统不仅可以实现眼底视网膜图像的多角度同步采集,还可以实现眼底视网膜6×106pixel的高清成像。
系统对正常人眼的物方分辨率高于200lp/mm,系统总长为290mm,场曲值小于28μm,畸变仅为-4.9%。
系统具有较强的调焦能力,能对-7~+5m-1屈光度人眼的眼底进行清晰成像。
2023/11/21 17:11:03
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根据GeC薄膜折射率可调的特点，采用磁控溅射技术，在Ge基底上沉积了不同折射率的GeC薄膜以及类金刚石(DLC)膜和红外双波段保护膜。
利用红外光谱仪测试了样品的红外透射光谱，利用偏光显微镜和显微硬度计测量了样品的维氏硬度。
结果表明，GeC,DLC以及红外双波段保护膜均能显著提高样品的显微硬度；
红外双波段保护膜在3.7~4.8μm和7.5~10.5μm波段范围内的平均透射率均高于94%，样品硬度高于单层GeC薄膜和DLC薄膜。
红外双波段薄膜样品通过了GJB2485-95规定的环境实验。
利用红外光谱仪测试了样品的红外透射光谱，利用偏光显微镜和显微硬度计测量了样品的维氏硬度。
结果表明，GeC,DLC以及红外双波段保护膜均能显著提高样品的显微硬度；
红外双波段保护膜在3.7~4.8μm和7.5~10.5μm波段范围内的平均透射率均高于94%，样品硬度高于单层GeC薄膜和DLC薄膜。
红外双波段薄膜样品通过了GJB2485-95规定的环境实验。
2023/11/2 14:36:01
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以蓝宝石（Al2O3）为衬底材料，通过软件设计和模拟，研究了图形衬底（PS）的图案选择、图形原胞尺寸和图形原胞间距大小3个参数对LED出光效率的影响。
研究结果表明，原胞半径为1.25μm，原胞间距为0.5μm的半球型结构是最优化的图形衬底结构；
并且采用湿法刻蚀技术，制备了该结构的LED芯片，测试得到该种LED芯片出光效率较之普通LED芯片提高了33%。
分析了PS技术改善LED出光效率的根源在于改善了芯片质量，提高了芯片的内量子效率。
研究结果表明，原胞半径为1.25μm，原胞间距为0.5μm的半球型结构是最优化的图形衬底结构；
并且采用湿法刻蚀技术，制备了该结构的LED芯片，测试得到该种LED芯片出光效率较之普通LED芯片提高了33%。
分析了PS技术改善LED出光效率的根源在于改善了芯片质量，提高了芯片的内量子效率。
2023/10/31 11:02:52
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报道了一个内腔式连续波、单谐振1.9μm和2.4μm双波长激光输出的光参量振荡器(OPO)。
实验采用单管半导体激光二极管(LD)抽运掺钕钒酸钇(NdYVO4)晶体，腔内抽运掺氧化镁的周期性极化铌酸锂(PPMgLN)晶体，得到1.9μm和2.4μm双波长连续激光输出。
在室温下，当LD功率为5.5W时，同时获得了750mW、1.9μm波长的信号光和370mW、2.4μm波长的闲频光输出，光光转换效率分别为13.6%和6.7%，总的转换效率达到了20%以上。
测试5h，功率不稳定性小于1.8%。
另外还对不同长度的PPMgLN晶体进行了阈值和转换效率的特性分析。
通过输出波长稳定性测试发现，对晶体的温度进行更好地控制，可以改善波长漂移的现象。
实验采用单管半导体激光二极管(LD)抽运掺钕钒酸钇(NdYVO4)晶体，腔内抽运掺氧化镁的周期性极化铌酸锂(PPMgLN)晶体，得到1.9μm和2.4μm双波长连续激光输出。
在室温下，当LD功率为5.5W时，同时获得了750mW、1.9μm波长的信号光和370mW、2.4μm波长的闲频光输出，光光转换效率分别为13.6%和6.7%，总的转换效率达到了20%以上。
测试5h，功率不稳定性小于1.8%。
另外还对不同长度的PPMgLN晶体进行了阈值和转换效率的特性分析。
通过输出波长稳定性测试发现，对晶体的温度进行更好地控制，可以改善波长漂移的现象。
2023/10/17 21:45:10
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对氧化物薄膜的双离子束溅射沉积作了系统地实验研究。
考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响，制备了折射率接近于块材料的TiO2和ZrO2薄膜，显著降低了TiO2、ZrO2和SiO2薄膜的光吸收损耗，TiO2和ZrO2薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。
用双离子束溅射沉积1.06μm多层高反膜，得到了大于99.5%的高反射率，经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜相比有所提高。
考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响，制备了折射率接近于块材料的TiO2和ZrO2薄膜，显著降低了TiO2、ZrO2和SiO2薄膜的光吸收损耗，TiO2和ZrO2薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。
用双离子束溅射沉积1.06μm多层高反膜，得到了大于99.5%的高反射率，经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜相比有所提高。
2023/10/2 2:14:46
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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