如题，百度云链接，总大小36G左右，从网站下载需要张号，而且国外资源下载速度较慢

这个项目IDE是用的IDEA，项目是完整的项目，里面有sql语句，是mysql的数据库。
如果大家运行项目有问题的话，请参考原文，我只是留作资料的。
http://blog.csdn.net/gallenzhang/article/details/51932152

苹果发布Xcode6.3Beta，更新Swift语言至1.2版本，修改OC语法，进一步提升Swift与OC代码交互性，其代码迁移工具可以帮助开发者实现代码升级。
本文作者王芳杰在第一时间对ReleaseNotes进行了完整翻译。
北京时间2月10日，苹果在面向开发者推送iOS8.3Beta的同时，还发布了版本号为6D520o的Xcode6.3Beta，其中便包含了iOS8.3Beta和OSXv10.10SDK，并进一步提升了Swift与Objective-C代码的交互性，而Swift业已更新至1.2版本。
从看出，Xcode6.3Beta包含了很多颇为值得开发者期待的改变，共计50多处改动，同时修改

详细的论文解释基于FPGA的BISS-C协议编码器接口技术研究及解码，附录包含完整Verilog代码。

里边有通过UML设计的完整示例项目来快速地学习使用RationalRose软件，主要有亲手绘制的UML图，分别是用例图，活动图，类图，顺序图，协作图，状态机图，构件图，部署图。
有快速教程doc和详细UMLpdf书

BPNet算法是一种最有效的多层神经网络学习方法算法实现分类。
包括已实现的代码和训练、测试的数据集。

Matlab功率谱估计的详尽分析——绝对原创功率谱估计是信息学科中的研究热点,在过去的30多年里取得了飞速的发展。
现代谱估计主要是针对经典谱估计(周期图和自相关法)的分辨率低和方差性能不好的问题而提出的。
其内容极其丰富,涉及的学科和领域也相当广泛,按是否有参数大致可分为参数模型估计和非参数模型估计,前者有AR模型、MA模型、ARMA模型、PRONY指数模型等;后者有最小方差方法、多分量的MUSIC方法等。
ARMA谱估计叫做自回归移动平均谱估计,它是一种模型化方法。
由于具有广泛的代表性和实用性,ARMA谱估计在近十几年是现代谱估计中最活跃和最重要的研究方向之一。
二：AR参数估计及其SVD—TLS算法。
谱分析方法要求ARMA模型的阶数和参数以及噪声的方差已知.然而这类要求在实际中是不可能提供的,即除了一组样本值x(1),x(2),…,x(T)以供利用(有时会有一定的先验知识)外,再没有其它可用的数据.因此必须估计有关的阶数和参数,以便获得谱密度的估计.在ARMA定阶和参数之估计中,近年来提出了一些新算法，如本文介绍的SVD—TLS算法便是其中之一。
三：实验结果分析和展望1，样本数多少对估计误差的影响。
（A=[1,0.8,-0.68,-0.46]）图1上部分为N=1000；
下部分为取相同数据的前N=50个数据产生的结果。
图1N数不同：子图一N=1000,子图二N=200，子图三N=50由图可知，样本数在的多少，在对功率谱估计的效果上有巨大的作用，特别在功率谱密度函数变化剧烈的地方，必须有足够多的数据才能完整的还原原始功率谱密度函数。
2，阶数大小对估计误差的影响。
A=[1,-0.9,0.76]A=[1,-0.9,0.76,-0.776]图二阶数为二阶和三阶功率密度函数图A=[1,-0.9,0.86,-0.96,0.7]A=[1,-0.9,0.86,-0.96,0.7,-0.74]图三阶数为三阶和四阶功率密度函数图如图所示，阶数相差不是很大时，并不能对结果产生较大的影响。
但是阶数太低，如图二中二阶反而不能很好的估计出原始值。
3，样本点分布对估计误差对于相同的A=[1,-0.9,0.86,-0.96,0.7]；
样本的不同，在估计时的误差是不可避免的。
因此，我们在取得样本时，应该尽可能的减少不必要的误差。
图四：不同的样本得到不同的估计值4，奇异值的阈值判定范围不同对结果的影响。
上图是取奇异值的阈值大于等于0.02，而下图是取阈值大于等于0.06，显然在同种数据下，阈值的选取和最终结果有密切关系。
由于系数矩阵和其真实值的逼近的精确度取决于被置零的那些奇异值的平方和。
所以选取太小，导致阶数增大，选取太大会淘汰掉真实的系数。
根据经验值，一般取0.05左右为最佳。

该代码是一个完整的抗几何攻击的数字图像水印程序，是基于模板校正类的，该程序用到的算法包括SURF、RANSAC、LT码、CRC（循环冗余检验）码等，是本人的一篇SCI文章的主干代码，可以直接运行，注释也比较清晰。

Docker容器是资源分割和调度的基本单位，封装整个服务的运行时环境，用于构建、发布和运行分布式应用的一个框架。

微电子器件与集成电路（IC）设计基础是一门深入探讨微电子技术核心原理的学科，它涵盖了从基本的半导体物理到复杂集成电路设计的广泛知识。
以下是对这套PPT内容的详细解读：1.**第1章：电子设备的物理基础**-半导体材料：本章将介绍半导体的基本性质，如硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体，以及杂质掺杂的概念，如何通过掺杂N型和P型半导体来控制电子和空穴的浓度。
-电荷载体：讨论电子和空穴作为半导体中的电流载体，以及它们在电场下的移动方式。
-PN结：解释PN结的形成，它的能带结构，以及PN结的正向和反向偏置特性，包括击穿电压。
-单极晶体管：介绍BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的工作原理，包括放大作用和开关特性。
2.**第2章：半导体器件**-MOSFET的详细分析：深入讲解MOSFET的结构，包括N沟道和P沟道类型，以及它们的阈值电压、亚阈值区行为和饱和区特性。
-BJTs的运作：解释集电极、基极和发射极之间的电流关系，以及共射、共基和共集配置的放大系数。
-模拟和数字器件：区分模拟和数字半导体器件，例如运算放大器、逻辑门电路和MOS集成电路。
3.**第3章：集成电路设计基础**-集成电路制造工艺：涵盖光刻、扩散、离子注入等半导体制造步骤，以及VLSI（超大规模集成电路）制造的挑战和解决方案。
-CMOS技术：介绍互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，它是现代数字电路的基础，包括NMOS和PMOS晶体管的互补工作原理。
-IC设计流程：概述从系统级设计到门级描述，再到布局布线的完整集成电路设计流程，包括硬件描述语言（如Verilog或VHDL）和逻辑综合。
-片上系统（SoC）：讨论集成微处理器、存储器和其他功能模块的单片系统设计，及其在嵌入式系统中的应用。
这三章内容构成了微电子器件与IC设计基础的核心，涵盖了从基本理论到实际应用的关键知识点。
学习这些内容对于理解微电子技术的原理，以及进一步从事集成电路设计和半导体产业的工作至关重要。
通过这套PPT，学生和从业者可以深入理解半导体物理学、器件原理和集成电路设计的方方面面。

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。