报道了一个内腔式连续波、单谐振1.9μm和2.4μm双波长激光输出的光参量振荡器(OPO)。
实验采用单管半导体激光二极管(LD)抽运掺钕钒酸钇(NdYVO4)晶体，腔内抽运掺氧化镁的周期性极化铌酸锂(PPMgLN)晶体，得到1.9μm和2.4μm双波长连续激光输出。
在室温下，当LD功率为5.5W时，同时获得了750mW、1.9μm波长的信号光和370mW、2.4μm波长的闲频光输出，光光转换效率分别为13.6%和6.7%，总的转换效率达到了20%以上。
测试5h，功率不稳定性小于1.8%。
另外还对不同长度的PPMgLN晶体进行了阈值和转换效率的特性分析。
通过输出波长稳定性测试发现，对晶体的温度进行更好地控制，可以改善波长漂移的现象。
实验采用单管半导体激光二极管(LD)抽运掺钕钒酸钇(NdYVO4)晶体，腔内抽运掺氧化镁的周期性极化铌酸锂(PPMgLN)晶体，得到1.9μm和2.4μm双波长连续激光输出。
在室温下，当LD功率为5.5W时，同时获得了750mW、1.9μm波长的信号光和370mW、2.4μm波长的闲频光输出，光光转换效率分别为13.6%和6.7%，总的转换效率达到了20%以上。
测试5h，功率不稳定性小于1.8%。
另外还对不同长度的PPMgLN晶体进行了阈值和转换效率的特性分析。
通过输出波长稳定性测试发现，对晶体的温度进行更好地控制，可以改善波长漂移的现象。
2023/10/17 21:45:10
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掺钕钨酸钾钆(分子式:Nd:KGd(WO4)2简称(Nd:KGM)晶体是一种性能优良的多波长激光晶体,采用顶部籽晶熔盐法生长。
对晶体中的包裹物和裂纹等缺陷进行了讨论,X射线衍射(XRD)分析了晶体结构,测试了晶体的吸收光谱,并与Nd:YAG的吸收光谱进行了比较。
对晶体中的包裹物和裂纹等缺陷进行了讨论,X射线衍射(XRD)分析了晶体结构,测试了晶体的吸收光谱,并与Nd:YAG的吸收光谱进行了比较。
2023/10/8 4:51:10
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报道双掺Er3+/Yb3+的Sr3Y2(BO3)4晶体的生长和光谱性能。
采用提拉法生长出尺寸为25mm×35mm双掺Yb3+和Er3+离子的Sr3Y2(BO3)4晶体,研究了Er3+/Yb3+∶Sr3Y2(BO3)4晶体的吸收光谱和荧光谱。
应用Judd-Ofelt(J-O)理论分析并计算了光谱参数,得到唯象参数Ω2=14.10×10-20cm2,Ω4=1.69×10-20cm2,Ω6=1.72×10-20cm2。
在Er3+/Yb3+Sr3Y2(BO3)4晶体中,Er3+离子在1534nm的发射截面为8.24×10-21cm2,Er3+(4I13/2→4I15/2
采用提拉法生长出尺寸为25mm×35mm双掺Yb3+和Er3+离子的Sr3Y2(BO3)4晶体,研究了Er3+/Yb3+∶Sr3Y2(BO3)4晶体的吸收光谱和荧光谱。
应用Judd-Ofelt(J-O)理论分析并计算了光谱参数,得到唯象参数Ω2=14.10×10-20cm2,Ω4=1.69×10-20cm2,Ω6=1.72×10-20cm2。
在Er3+/Yb3+Sr3Y2(BO3)4晶体中,Er3+离子在1534nm的发射截面为8.24×10-21cm2,Er3+(4I13/2→4I15/2
2023/10/5 9:42:47
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在小功率直流电源中，常见的几种整流电路有单相半波、全波、桥式和三相整流电路等；
全波整流电路是平常应用中用得非常多的电路图之一，全波整流电路是指能够把交流转换成单一方向电流的电路，最少由两个整流器合并而成，一个负责正方向，一个负责反方向，最典型的全波整流电路是由四个二极管组成的整流桥，一般用于电源的整流。
也可由MOS管搭建。
常见的还有用两个二极管搭建的全波整流电路。
全波整流是一种对交流整流的电路。
在这种整流电路中，在半个周期内，电流流过一个整流器件（比如晶体二极管），而在另一个半周内，电流流经第二个整流器件，并且两个整流器件的连接能使流经它们的电流以同一方向流过负载。
全波整流整流前后的波形与半波整流所不同的，是在全波整流中利用了交流的两个半波，这就提高了整流器的效率，并使已整电流易于平滑。
因此在整流器中广泛地应用着全波整流。
在应用全波整流器时其电源变压器必须有中心抽头。
无论正半周或负半周，通过负载电阻R的电流方向总是相同的。
2个二极管全波整流电路图用2个二极管全波整流电路如下图：下面这个电路图也是由两个二极管组成的全波整流电路，它是全波整流的正负9V的双电源电路，如果
全波整流电路是平常应用中用得非常多的电路图之一，全波整流电路是指能够把交流转换成单一方向电流的电路，最少由两个整流器合并而成，一个负责正方向，一个负责反方向，最典型的全波整流电路是由四个二极管组成的整流桥，一般用于电源的整流。
也可由MOS管搭建。
常见的还有用两个二极管搭建的全波整流电路。
全波整流是一种对交流整流的电路。
在这种整流电路中，在半个周期内，电流流过一个整流器件（比如晶体二极管），而在另一个半周内，电流流经第二个整流器件，并且两个整流器件的连接能使流经它们的电流以同一方向流过负载。
全波整流整流前后的波形与半波整流所不同的，是在全波整流中利用了交流的两个半波，这就提高了整流器的效率，并使已整电流易于平滑。
因此在整流器中广泛地应用着全波整流。
在应用全波整流器时其电源变压器必须有中心抽头。
无论正半周或负半周，通过负载电阻R的电流方向总是相同的。
2个二极管全波整流电路图用2个二极管全波整流电路如下图：下面这个电路图也是由两个二极管组成的全波整流电路，它是全波整流的正负9V的双电源电路，如果
2023/9/6 5:43:53
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提出了基于主振荡功率放大(MOPA)结构的皮秒光纤激光系统。
该系统将重复频率为29.87MHz的半导体可饱和吸收镜被动锁模光纤激光器作为种子源。
采用预放系统并结合声光调制器将种子源的重复频率降至574kHz。
MOPA结构基于棒状光子晶体光纤(PCF)，利用PCF大模场、高增益的特点直接对脉冲宽度为30ps的脉冲进行放大，有效抑制了自相位调制效应引起的光谱展宽。
研究结果表明，所提系统的5dB光谱线宽与光脉冲峰值功率成比例，该系统最终输出了近衍射极限、峰值功率为3.4MW的皮秒脉冲(输出功率为20W时，光束质量因子M2=1.01)，最高平均输出功率为21.86W，脉冲宽度为11.1ps，中心波长为1030.74nm，5dB光谱线宽为1.75nm。
该系统将重复频率为29.87MHz的半导体可饱和吸收镜被动锁模光纤激光器作为种子源。
采用预放系统并结合声光调制器将种子源的重复频率降至574kHz。
MOPA结构基于棒状光子晶体光纤(PCF)，利用PCF大模场、高增益的特点直接对脉冲宽度为30ps的脉冲进行放大，有效抑制了自相位调制效应引起的光谱展宽。
研究结果表明，所提系统的5dB光谱线宽与光脉冲峰值功率成比例，该系统最终输出了近衍射极限、峰值功率为3.4MW的皮秒脉冲(输出功率为20W时，光束质量因子M2=1.01)，最高平均输出功率为21.86W，脉冲宽度为11.1ps，中心波长为1030.74nm，5dB光谱线宽为1.75nm。
2023/8/25 17:06:34
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用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜。
通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-opticalphonon)的谱形进行了分析。
用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。
通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-opticalphonon)的谱形进行了分析。
用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。
2023/8/21 4:12:03
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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