/ 多波段增透薄膜对镁掺杂铌酸锂变频晶体损伤阈值的影响
多波段增透薄膜对镁掺杂铌酸锂变频晶体损伤阈值的影响
多波段增透薄膜对镁掺杂铌酸锂变频晶体损伤阈值的影响
采用电子束沉积法在镁掺杂铌酸锂基底上镀制了多波段增透膜,透射波段分别为1.064μm,1.4～1.6μm和3.5～4.3μm,测量了薄膜在1064nm多脉冲辐照下的损伤阈值,以及无薄膜铌酸锂晶体本身的损伤阈值。
结果表明,镀膜之后,晶体的损伤阈值较未镀膜样品明显提高。
本软件ID:15173568
采用电子束沉积法在镁掺杂铌酸锂基底上镀制了多波段增透膜,透射波段分别为1.064μm,1.4～1.6μm和3.5～4.3μm,测量了薄膜在1064nm多脉冲辐照下的损伤阈值,以及无薄膜铌酸锂晶体本身的损伤阈值。
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