采用简单的溶剂热法制备了多种无配位的LaF3:Nd/LaF3核/壳纳米晶体,具有高量子效率,高分散性和低猝灭比。
通过X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征了它们的相和形状。
研究了在不同时间制备的样品的光学性质。
核/壳纳米晶体在二甲亚砜(DMSO)/四溴乙烷溶剂中的分散度很高(312mg/mL)。
这些透明的胶体溶液在1057um处具有增强的高量子效率(61.2%)。
因此,具有优异的近红外至近红外(NIR到NIR)荧光的LaF3:Nd/LaF3核/壳纳米晶体是液体介质中发光材料的有希望的候选者。
2021/3/27 1:32:03 1.35MB Near infrared; Core shell;
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欧拉公式求长期率的matlab代码RELION代码存储库绘制3D重建的欧拉角分布给定Relion的输出.star文件,您可以经过使用UCSFChimera打开.bild文件来可视化欧拉角。
另外,如果您想为任何欧拉角生成一维直方图,或者为两个特定欧拉角生成二维热图,则可以使用plot_indivEuler_histogram_fromStarFile.py:$Relion/plot_indivEuler_histogram_fromStarFile.pyUsage:plot_indivEuler_histogram_fromStarFile.py--starfile=Options:-h,--helpshowthishelpmessageandexit--starfile=FILERelionstarfile(data.star)--rlnEuler=STRINGNameofRelioneulerangledesignation:AngleRot,AngleTilt,AnglePsi.
2022/10/8 14:13:08 87KB 系统开源
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纳米结构的Co3O4材料因其出色的电化学(伪电容)特性而引起了广泛的关注。
然而,需要严格的制备条件以控制通过常规方法获得的产物的尺寸(特别是纳米尺寸),形态和尺寸分布。
在这里,我们描述了一种新型的一步法形状控制的均匀Co3O4纳米立方体,其尺寸为50nm,并且具有介Kong碳纳米棒(meso-CNRs)。
在该合成过程中,内消旋CNR不仅充当热接收器,直接获得Co3O4,消除了高温后的煅烧,而且还控制了所得Co3O4的形态,形成了具有均匀分布的纳米立方体。
更惊人的是,通过进一步的热处理获得了介Kong的Co3O4纳米立方体。
通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和X射线衍射对样品的结构和形态进行表征。
本文提出了介KongCo3O4纳米立方体的可能形成机理。
电化学测试表明,制备的中KongCo3O4纳米立方体由于具有多Kong结构,可提供快速的离子和电子转移,因此在超级电容器应用中表现出卓越的功能。
2020/3/3 21:30:40 919KB 研究论文
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基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。
得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60s。
采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30s。
扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示,孔阵周期为528nm,刻蚀深度为124nm,具有完满的表面形貌及良好均匀性和周期性。
2021/4/25 23:16:27 1.9MB 光学制造 全息光刻 双曝光 周期孔阵
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AFM原子力显微镜离线处理数据软件,输出和输出数据图片和高度数据等。
2022/9/4 21:45:38 14.54MB AFM 数据处理工具
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡