H3CWA4300S系列(适用于WA4320、WA4320-ACN-C、WA4320-ACN-SI、WA4320-ACN-PI、WAP722S、WAP712、WAP712C、WA4320-ACN-E、WA4320-ACN-D、WA2610H)

2020版最新zhong兴解约材料，供后届学弟学妹参考，签约需慎重!毁约烦到si！希望每个人都有心仪的好东家。

NCSI英文参考手册，在项目bringup时需详细参阅。

结合飞机起动机钛合金叶轮的修复需要，研究了Ti-6Al-3.5Mo-1.8Zr-0.23Si(TC11)钛合金激光熔化沉积修复工艺及界面的组织与力学性能。
结果表明，激光熔化沉积TC11钛合金及界面重熔区具有典型的魏氏组织特征，基体热影响区组织逐渐由魏氏组织向双态组织过渡；
激光熔化沉积TC11钛合金的抗拉强度高于界面过渡区及基体，而塑性稍低于基体。
通过采用逐点熔化沉积的方法对叶轮受损叶片进行了修复，经加工检验后通过了超转试验考核，实现了装机应用。

uchara[]="温湿度传感器";ucharb[]="温度:";ucharc[]="湿度:";uchard[]="0123456789";typedefunsignedcharU8;typedefunsignedintU16;U8U8flag,k;U8U8temp;U8U8WD_H,U8WD_L,U8SD_H,U8SD_L,U8checkdata;U8U8WDH_temp,U8WDL_temp,U8SDH_temp,U8SDL_temp,U8checkdata_temp;U8U8comdata;voiddelay_1ms(uintn){uinti,j;for(i=0;i＜=n;i++)for(j=0;j＜110;j++);}voiddelay_10us(){U8i;i--;i--;i--;i--;i--;i--;}voidwrite_com(ucharcom){rs=0;rw=0;en=0;P2=com;delay_1ms(1);en=1;delay_1ms(1);en=0;}voidwrite_data(uchardate){rs=1;rw=0;en=0;P2=date;delay_1ms(1);en=1;delay_1ms(1);en=0;}voidpos(ucharx,uchary){ucharpos;if(x==0)x=0x80;elseif(x==1)x=0x90;elseif(x==2)x=0x88;elseif(x==3)x=0x98;pos=x+y;write_com(pos);}voiddisplay(U8WD_H,U8WD_L,U8SD_H,U8SD_L){U8yi,er,san,si;yi=U8WD_H/10;er=U8WD_H;san=U8SD_H/10;si=U8SD_H;pos(1,4);write_data(d[yi]);pos(1,5);write_data(d[er]);pos(2,4);write_data(d[san]);pos(2,5);write_data(d[si]);}voidcom(){U8i;for(i=0;i＜8;i++){U8flag=2;while((!SJK)&&U8flag++);delay_10us();delay_10us();delay_10us();U8temp=0;if(SJK)U8temp=1;U8flag=2;while((SJK)&&U8flag++);if(U8flag==1)break;U8comdata＜＜=1;U8comdata|=U8temp;}}

光学薄膜的缺陷是光学系统性能提高的瓶颈,一直是实验和理论研究的重点。
选取电子束蒸发工艺制备光学多层膜的典型缺陷,用扫描电子显微镜(SEM)测试了表面缺陷的形貌、成分。
膜料选取：TiO2,SiO2。
结果表明,结瘤缺陷在薄膜表面呈球冠状,成分为Ti,Si的氧化物;膜料喷溅颗粒未被完全包覆,或者不稳定吸附物崩落后形成的缺陷为凹坑状,成分为Ti,Si的氧化物,但是存在明显的Ti偏析;有一种表面粘附缺陷呈现不规则胶体状,碳含量明显偏高,为有机物;另一种粘附缺陷为带棱角块状,成分为Ti,Si的氧化物,与由结瘤形成的球状缺陷成分一致,是膜层崩落粘附形成。

1.SI自带的功能2.使用quicker.em3.使用Chnchar.em4.使用CodeReview.em包含详细使用说明文档

华中科技大学汇编实验源代码及实验报告2.1任务1.《80X86汇编语言程序设计》教材中P31的1.14题。
要求：(1)直接在TD中输入指令，完成两个数的求和、求差的功能。
求和/差后的结果放在(AH)中。
(2)请事先指出执行指令后(AH)、标志位SF、OF、CF、ZF的内容。
(3)记录上机执行后的结果，与（2）中对应的内容比较。
(4)求差运算中，若将A、B视为有符号数，且A＞B,标志位有何特点？若将A、B视为无符号数，且A＞B,标志位又有何特点？2.2任务2.《80X86汇编语言程序设计》教材中P45的2.3题。
要求：(1)分别记录执行到“MOVCX，10”和“INT21H”之前的(BX),(BP),(SI),(DI)各是多少。
(2)记录程序执行到退出之前数据段开始40个字节的内容，指出程序运行结果是否与设想的一致。
(3)在标号LOPA前加上一段程序，实现新的功能：先显示提示信息“Pressanykeytobegin!”,然后，在按了一个键之后继续执行LOPA处的程序。
2.3任务3.《80X86汇编语言程序设计》教材中P45的2.4题的改写。
要求：(1)实现的功能不变，对数据段中变量访问时所用到的寻址方式中的寄存器改成32位寄存器。
(2)内存单元中数据的访问采用变址寻址方式。
(3)记录程序执行到退出之前数据段开始40个字节的内容，检查程序运行结果是否与设想的一致。
(4)在TD代码窗口中观察并记录机器指令代码在内存中的存放形式，并与TD中提供的反汇编语句及自己编写的源程序语句进行对照，也与任务2做对比。
（相似语句记录一条即可，重点理解机器码与汇编语句的对应关系，尤其注意操作数寻址方式的形式）。
（5）观察连续存放的二进制串在反汇编成汇编语言语句时，从不同字节位置开始反汇编，结果怎样？理解IP/EIP指明指令起始位置的重要性。
2.4设计实现一个学生成绩查询的程序。
1、实验背景在以BUF为首址的字节数据存储区中，存放着n个学生的课程成绩表（百分制），每个学生的相关信息包括：姓名（占10个字节，结束符为数值0），语文成绩（1个字节），数学成绩（1个字节），英语成绩（1个字节），平均成绩（1个字节）。
2、功能一：提示并输入待查询成绩的学生姓名（1）使用9号DOS系统功能调用，提示用户输入学生姓名。
（2）使用10号DOS系统功能调用，输入学生姓名。
输入的姓名字符串放在以in_name为首址的存储区中。
（3）若只是输入了回车，则回到“(1)”处重新提示与输入；
若仅仅输入字符q，则程序退出,否则，准备进入下一步处理。
3、功能二：以学生姓名查询有无该学生（1）使用循环程序结构，在成绩表中查找该学生。
（2）若未找到，就提示用户该学生不存在，并回到“功能一（1）”的位置，提示并重新输入姓名。
（3）若找到，则将该学生课程成绩表的起始偏移地址保存到POIN字变量中。
4、功能三：计算所有学生的平均成绩使用算数运算相关指令计算并保存每一个学生的平均成绩。
平均成绩计算公式：(A*2+B+C/2)/3.5，即将语文成绩A乘以权重2、英语成绩C除以权重2后，与数学成绩B一起求和，再计算该生的平均成绩。
要求避免溢出。
5、功能四：将功能二查到的学生的平均成绩进行等级判断，并显示判断结果。
（1）平均成绩等级显示方式：若平均成绩大于等于90分，显示“A”；
大于等于80分，显示“B”；
大于等于70分，显示“C”；
大于等于60分，显示“D”；
小于60分，显示“F”。
提示：使用分支程序结构，采用2号DOS系统功能调用显示结果。
（2）使用转移指令回到“功能一（1）”处（提示并输入姓名）

在计入相干效应和考虑衬底影响的基础上,提出一种非破坏性的简易分析法。
利用此法,由非晶硅试样的光谱透射曲线可确定膜层的厚度、折射率及吸收系数。
作为例子,我们计算了α-Si:H及α-SiC:H薄膜的光隙。

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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。