/ 使用混合二氧化硅/聚合物波导结构的低功率和高速热光开关：设计，制造和测量
使用混合二氧化硅/聚合物波导结构的低功率和高速热光开关：设计，制造和测量
使用混合二氧化硅/聚合物波导结构的低功率和高速热光开关：设计，制造和测量
通过使用混合二氧化硅/聚合物波导结构并优化包层下二氧化硅和PMMA-GMA的厚度，Mach-Zehnder干涉仪（MZI）热光（TO）开关的响应速度和功耗得到了改善上覆层。
采用包括化学气相沉积（CVD），旋涂和湿蚀刻的制造技术来开发开关样品。
在1550nm波长下，测得的ON和OFF状态下的驱动功率分别为0和13mW，表明开关功率为13mW。
ON状态下的光纤插入损耗为15dB，ON状态和OFF状态之间的消光比为18.3dB，上升时间和下降时间分别为73.5和96.5s。
与基于Si/SiO2或全聚合物波导结构的TO开关相比，该器件具有低功耗和响应速度快的优点，这归因于其聚合物芯的TO系数大，上/下包层薄且体积大。
二氧化硅的导热性。
本软件ID:15533997
通过使用混合二氧化硅/聚合物波导结构并优化包层下二氧化硅和PMMA-GMA的厚度，Mach-Zehnder干涉仪（MZI）热光（TO）开关的响应速度和功耗得到了改善上覆层。
采用包括化学气相沉积（CVD），旋涂和湿蚀刻的制造技术来开发开关样品。
在1550nm波长下，测得的ON和OFF状态下的驱动功率分别为0和13mW，表明开关功率为13mW。
ON状态下的光纤插入损耗为15dB，ON状态和OFF状态之间的消光比为18.3dB，上升时间和下降时间分别为73.5和96.5s。
与基于Si/SiO2或全聚合物波导结构的TO开关相比，该器件具有低功耗和响应速度快的优点，这归因于其聚合物芯的TO系数大，上/下包层薄且体积大。
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