RK_EVB_SOCBOARD_RK3399_LP4D200P232SD6,DDR方案文档.
2023/5/4 17:39:48
4.4MB
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知道SDRAM，DDR本领的绝好教程。
图片明晰，看了知道明晰（点击放大）。
单个html,便于浏览以前上传的版本有脱漏，故再上传
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2023/4/15 17:05:06
9.01MB
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（1） DDR模板：PX30_DDR3P424SS4_Template_V10_20180312SQJ（2）适用的平台：PX30；
（3）支持的DDR类型：仅支持9MM及以下宽度的DDR3颗粒（2*16&4*16&4*8兼容）（4）最大支持容量：4G（5）板层：4Layer；
（6）贴片方式：DDR器件单面贴,其它器件单面贴；
（7）面积：49.5mm*43mm
（3）支持的DDR类型：仅支持9MM及以下宽度的DDR3颗粒（2*16&4*16&4*8兼容）（4）最大支持容量：4G（5）板层：4Layer；
（6）贴片方式：DDR器件单面贴,其它器件单面贴；
（7）面积：49.5mm*43mm
2023/3/12 0:51:45
3.05MB
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针对Win8/Win8.1/Win10中，Vivado例化MIG核时报错退出的情况，笔者在此为大家提供一个DDR的模板工程。
此工程目标开发板是Nexys4DDR，并且已经包含相应的DDR2IP核。
各位可以根据实际使用需要更改参数或者例化DDR3、LPDDR2的IP核。
此工程目标开发板是Nexys4DDR，并且已经包含相应的DDR2IP核。
各位可以根据实际使用需要更改参数或者例化DDR3、LPDDR2的IP核。
2023/2/12 18:16:15
64.88MB
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EMMC经过手机9008模式自动生成rawprogram0文件工具用法：引导到EDL模式并加载firehose编程器QSaharaServer.exe-s13:prog_emmc_firehose_8953_ddr.mbn-p\\.\COM32.生成rawprogram0.xmlGPTConsole示例：GPTConsole19
2015/1/5 15:44:52
3.29MB
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对于DDR源同步操作，必然要求DQS选通信号与DQ数据信号有一定建立时间tDS和保持时间tDH要求，否则会导致接收锁存信号错误，DDR4信号速率达到了3.2GT/s，单一比特位宽仅为312.5ps，时序裕度也变得越来越小，传统的测量时序的方式在短时间内的采集并找到tDS/tDH最差值，无法大概率体现由于ISI等确定性抖动带来的对时序恶化的贡献，也很难精确反映随机抖动Rj的影响。
在DDR4的眼图分析中就要考虑这些抖动因素，基于双狄拉克模型分解抖动和噪声的随机性和确定性成分，外推出基于一定误码率下的眼图张度。
JEDEC协会在规范中明确了在DDR4中测试误码率为1e-16的眼图轮廓，确保满足在Vcent周围Tdivw时间窗口和Vdivw幅度窗口范围内模板内禁入的要求。
在DDR4的眼图分析中就要考虑这些抖动因素，基于双狄拉克模型分解抖动和噪声的随机性和确定性成分，外推出基于一定误码率下的眼图张度。
JEDEC协会在规范中明确了在DDR4中测试误码率为1e-16的眼图轮廓，确保满足在Vcent周围Tdivw时间窗口和Vdivw幅度窗口范围内模板内禁入的要求。
2021/4/18 1:24:17
1.78MB
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这本书的DDR部分讲的很基础，很合适初学者，包括DDR前仿真和后仿真，教你一步一步的做，还有就是仿真的参数如何动dataheet中获取。
2021/3/7 13:36:39
53.9MB
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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