利用stm32f4HAL库软件模拟IIC，对博世温湿度、气压传感器BME280进行正确的读取，说实在的，原子的HAL库写的实在有些应付了，虽然标准库与HAL库有诸多相似之处，标准库掺杂HAL库，个人觉得有点不太好，仅仅代表个人观点
2023/11/12 14:49:41
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针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题，提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行p型掺杂来抑制电流的方法，并用有限元软件对探测器进行了模拟。
研究了单势垒p型掺杂、双势垒p型掺杂、双势垒结构p型掺杂及p型掺杂浓度对探测器本征电流抑制效果的影响。
模拟结果显示，对双势垒结构进行p型掺杂后，探测器的隧穿峰值电流比非掺杂的双势垒结构的探测器的隧穿峰值电流小将近3个数量级。
随着双势垒结构p型掺杂浓度的增加，器件本征电流会相应地减小。
对器件进行了制备以及测试，结果表明，将双势垒结构进行p型掺杂，对探测器的本征电流有明显的抑制作用。
研究了单势垒p型掺杂、双势垒p型掺杂、双势垒结构p型掺杂及p型掺杂浓度对探测器本征电流抑制效果的影响。
模拟结果显示，对双势垒结构进行p型掺杂后，探测器的隧穿峰值电流比非掺杂的双势垒结构的探测器的隧穿峰值电流小将近3个数量级。
随着双势垒结构p型掺杂浓度的增加，器件本征电流会相应地减小。
对器件进行了制备以及测试，结果表明，将双势垒结构进行p型掺杂，对探测器的本征电流有明显的抑制作用。
2023/9/8 17:05:28
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报道了一种L波段的高功率亚皮秒掺铒光纤激光器。
在全光纤环形腔内熔接2个偏振控制器（PC）和偏振相关的光隔离器（ISO），基于非线性偏振旋转锁模原理实现了全光纤结构锁模激光脉冲输出。
输出激光的中心波长为1603nm，脉冲重复频率为37.8MHz，单脉冲能量为4nJ，平均输出激光功率为152mW。
对此全光纤锁模激光器进行合理的色散控制，可得到脉冲宽度为370fs的锁模激光输出。
实验中使用高掺杂浓度的掺铒光纤，有效减少了其使用长度，提高了抽运转换效率，实现了结构简单紧凑、性能稳定可靠的L波段亚皮秒光纤激光器。
在全光纤环形腔内熔接2个偏振控制器（PC）和偏振相关的光隔离器（ISO），基于非线性偏振旋转锁模原理实现了全光纤结构锁模激光脉冲输出。
输出激光的中心波长为1603nm，脉冲重复频率为37.8MHz，单脉冲能量为4nJ，平均输出激光功率为152mW。
对此全光纤锁模激光器进行合理的色散控制，可得到脉冲宽度为370fs的锁模激光输出。
实验中使用高掺杂浓度的掺铒光纤，有效减少了其使用长度，提高了抽运转换效率，实现了结构简单紧凑、性能稳定可靠的L波段亚皮秒光纤激光器。
2023/9/5 7:48:50
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在有机红外光敏剂掺杂的有机电致发光器件（OLED）中实现近红外光信号到可见光的上转化,为大面积柔性有机红外上转化器件提供一种原型设计。
2023/8/28 23:21:49
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LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。
文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究，给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。
经过大量的模拟仿真及数据分析，发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。
最终，通过综合分析影响器件的关键因素，得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。
文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究，给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。
经过大量的模拟仿真及数据分析，发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。
最终，通过综合分析影响器件的关键因素，得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。
2023/7/5 16:21:44
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本资源内包含一个纯净的音乐信号、一个掺杂余弦噪声与白噪声的音乐信号，以及matlab源代码进行傅里叶频域分析；
针对余弦噪声设计巴特沃斯带通滤波器(butterworthbandpassfilter)，针对白噪声，用均值去噪的方法，最后程序输出一个去除各种噪声后纯净的音乐信号。
(关键语句都附有注释)
针对余弦噪声设计巴特沃斯带通滤波器(butterworthbandpassfilter)，针对白噪声，用均值去噪的方法，最后程序输出一个去除各种噪声后纯净的音乐信号。
(关键语句都附有注释)
2023/6/30 4:55:15
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当量子点粒度分布为高斯分布时，应用无效质量近似，在低浓度掺杂范围内，得到了量子点荧光辐射谱线形函数与量子点尺寸之间的一般关系，解释了尺寸涨落对线形展宽的影响。
对II-VI族的CdSe量子点和IV-VI族的PbSe量子点的数值计算表明：量子点荧光谱线的半峰全宽、荧光辐射强度、峰值波长等与实验结果基本一致。
量子点尺寸的粒度分布对荧光辐射谱线展宽有较大的影响。
荧光辐射谱展宽是一种非均匀展宽。
对II-VI族的CdSe量子点和IV-VI族的PbSe量子点的数值计算表明：量子点荧光谱线的半峰全宽、荧光辐射强度、峰值波长等与实验结果基本一致。
量子点尺寸的粒度分布对荧光辐射谱线展宽有较大的影响。
荧光辐射谱展宽是一种非均匀展宽。
2023/2/17 19:49:48
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本资源为一个matlab源代码和一个纯净的音乐信号，经过对音乐信号加高频余弦噪声，得到掺杂高频余弦噪声的音乐信号；
后经过设计巴特沃斯低通滤波器以及频域分析，实现高频噪声的去除，重新得到纯净的音乐信号。
后经过设计巴特沃斯低通滤波器以及频域分析，实现高频噪声的去除，重新得到纯净的音乐信号。
2019/11/10 17:37:25
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通过固相React法合成了一系列掺杂Eu3+的红色荧光粉MMgP2O7（M=Ca，Sr，Ba）。
X射线粉末衍射（XRD）分析证明了纯CaMgP2O7，SrMgP2O7和BaMgP2O7相的形成。
MMgP2O7（M=Ca，Sr，Ba）：Eu3+荧光粉的光致发光光谱在约400nm处显示出很强的激发峰，这与紫外发光二极管的特征发射（350-400nm）耦合。
CaMgP2O7：Eu3+，SrMgP2O7：Eu3+和BaMgP2O7：Eu3+荧光粉显示出强的发射带，分别在612、593和587nm处达到峰值。
由于Ba2+（0.142nm），Sr2+（0.126nm），Ca2+（0.112nm），Mg2+（0.072nm）和Eu3+（0.107nm）之间离子大小的差异，Eu3+离子有望替代CaMgP2O7中的不同位点。
，SrMgP2O7和BaMgP2O7晶格。
X射线粉末衍射（XRD）分析证明了纯CaMgP2O7，SrMgP2O7和BaMgP2O7相的形成。
MMgP2O7（M=Ca，Sr，Ba）：Eu3+荧光粉的光致发光光谱在约400nm处显示出很强的激发峰，这与紫外发光二极管的特征发射（350-400nm）耦合。
CaMgP2O7：Eu3+，SrMgP2O7：Eu3+和BaMgP2O7：Eu3+荧光粉显示出强的发射带，分别在612、593和587nm处达到峰值。
由于Ba2+（0.142nm），Sr2+（0.126nm），Ca2+（0.112nm），Mg2+（0.072nm）和Eu3+（0.107nm）之间离子大小的差异，Eu3+离子有望替代CaMgP2O7中的不同位点。
，SrMgP2O7和BaMgP2O7晶格。
2015/6/12 20:17:45
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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