干涉测量技术以光的波长为度量单位，具有高精度、高灵敏度、和非接触的特点。
特别是20世纪70年代以来，干涉测量技术与现代激光技术、电子技术和计算机技术相结合，极大地提高了测量精度和重复性。
干涉测量已成为实现光学元件面形及微形貌，光学系统波像差，光学材料折射率、应力双折射等参数高精密检测的主要手段。
超精密干涉测量仪器与系统已成为Zygo、Zeiss、Nikon、4DTechnology、QED等企业的核心业务之一。
特别是20世纪70年代以来，干涉测量技术与现代激光技术、电子技术和计算机技术相结合，极大地提高了测量精度和重复性。
干涉测量已成为实现光学元件面形及微形貌，光学系统波像差，光学材料折射率、应力双折射等参数高精密检测的主要手段。
超精密干涉测量仪器与系统已成为Zygo、Zeiss、Nikon、4DTechnology、QED等企业的核心业务之一。
2023/12/9 21:13:05
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利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。
理论分析表明：多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。
如绒面由V字型槽或坑构成，则绒面反射率比较高；
如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化，这种结构构成的绒面反射率低。
实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面，用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图，测量了其表面反射率，分析表面结构形貌与反射率的关系。
实验结果与理论分析相吻合。
理论分析表明：多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。
如绒面由V字型槽或坑构成，则绒面反射率比较高；
如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化，这种结构构成的绒面反射率低。
实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面，用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图，测量了其表面反射率，分析表面结构形貌与反射率的关系。
实验结果与理论分析相吻合。
2023/7/26 3:16:15
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采用熔盐法分别采用KCl，K2SO4，K2CO3或KNO3为熔融盐和Nb2O5反应，900℃下反应2h合成了铌酸钾晶体。
研究了熔融盐的种类对产物组成、形貌和光学性能的影响。
X射线衍射检测结果表明分别采用KCl和K2SO4为熔融盐时的产物为KNb3O8，而采用K2CO3和KNO3为熔融盐时得到的产物为K3NbO4。
电子扫描显微镜检测结果表明采用KCl为熔融盐时产物为0.2~0.5μm宽，1~10μm长的棒状结构，采用K2SO4为熔融盐时，产物为0.2~1μm宽，1~25μm长的棒状结构。
采用K2CO3为熔融盐时，产物不是棒状结构,而是不规则颗粒状结构。
采用KNO3为熔融盐时，产物为0.2~1μm宽的棒状结构，长度为0.5~4μm，部分棒连接在一起。
荧光光谱研究表明，以K2SO4，K2CO3和KNO3为熔融盐制备的样品具有非常相似的荧光光谱，以KCl，K2SO4和K2CO3为熔融盐制备的样品具有较好的荧光性。
研究了熔融盐的种类对产物组成、形貌和光学性能的影响。
X射线衍射检测结果表明分别采用KCl和K2SO4为熔融盐时的产物为KNb3O8，而采用K2CO3和KNO3为熔融盐时得到的产物为K3NbO4。
电子扫描显微镜检测结果表明采用KCl为熔融盐时产物为0.2~0.5μm宽，1~10μm长的棒状结构，采用K2SO4为熔融盐时，产物为0.2~1μm宽，1~25μm长的棒状结构。
采用K2CO3为熔融盐时，产物不是棒状结构,而是不规则颗粒状结构。
采用KNO3为熔融盐时，产物为0.2~1μm宽的棒状结构，长度为0.5~4μm，部分棒连接在一起。
荧光光谱研究表明，以K2SO4，K2CO3和KNO3为熔融盐制备的样品具有非常相似的荧光光谱，以KCl，K2SO4和K2CO3为熔融盐制备的样品具有较好的荧光性。
2023/7/15 20:22:24
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利用CO2激光对火焰喷涂制备的Ni-WC复合涂层进行了重熔实验,通过扫描电镜(SEM)观察了其重熔后表面形貌,测试了含有不同WC体积分数样品重熔前后的涂层显微硬度,并分析了WC含量对涂层组织及耐磨性的影响。
实验结果表明,火焰喷涂制备的涂层气孔随着WC颗粒含量增大而增多,经激光重熔后气孔明显减少;激光重熔后的涂层显微硬度比火焰喷涂的涂层显微硬度提高约20%,WC体积分数为6%时涂层显微硬度达到最大值;激光重熔处理后的涂层耐磨性随着WC含量的增加而增大,WC体积分数为6%时,其耐磨性达到最佳值。
实验结果表明,火焰喷涂制备的涂层气孔随着WC颗粒含量增大而增多,经激光重熔后气孔明显减少;激光重熔后的涂层显微硬度比火焰喷涂的涂层显微硬度提高约20%,WC体积分数为6%时涂层显微硬度达到最大值;激光重熔处理后的涂层耐磨性随着WC含量的增加而增大,WC体积分数为6%时,其耐磨性达到最佳值。
2023/2/21 22:54:13
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引见了制作低密度闪耀光栅的过程,在制作时,对传统的制作过程进行了改进,有效提高了制作质量。
以40μm闪耀光栅为例引见了制作的过程,得到了良好的光栅表面形貌,并且闪耀级次的衍射效率达到了70%以上。
相比传统的制作方法,效率提高了5%～10%。
对比了理论上的衍射效率,分析了实验误差,发现把存在对准误差的光栅进行处理将会有效地提高其衍射效率,为进一步提高闪耀光栅的衍射效率提供了依据。
以40μm闪耀光栅为例引见了制作的过程,得到了良好的光栅表面形貌,并且闪耀级次的衍射效率达到了70%以上。
相比传统的制作方法,效率提高了5%～10%。
对比了理论上的衍射效率,分析了实验误差,发现把存在对准误差的光栅进行处理将会有效地提高其衍射效率,为进一步提高闪耀光栅的衍射效率提供了依据。
2023/1/27 12:14:32
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分析获取的干涉图，熟练掌握MATLAB的操作，了解还原表面形貌的基本算法，编写适合的算法仿真出微结构表面形貌。
技术要求：（1）会分析所获取的微结构表面形貌干涉图；
（2）熟练掌握MATLAB的操作；
（3）熟习处理干涉图的相应算法；
（4）仿真出微结构的表面形貌。
技术要求：（1）会分析所获取的微结构表面形貌干涉图；
（2）熟练掌握MATLAB的操作；
（3）熟习处理干涉图的相应算法；
（4）仿真出微结构的表面形貌。
2017/6/15 12:35:03
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分析获取的干涉图，熟练掌握MATLAB的操作，了解还原表面形貌的基本算法，编写适合的算法仿真出微结构表面形貌。
技术要求：（1）会分析所获取的微结构表面形貌干涉图；
（2）熟练掌握MATLAB的操作；
（3）熟习处理干涉图的相应算法；
（4）仿真出微结构的表面形貌。
技术要求：（1）会分析所获取的微结构表面形貌干涉图；
（2）熟练掌握MATLAB的操作；
（3）熟习处理干涉图的相应算法；
（4）仿真出微结构的表面形貌。
2017/6/15 12:35:03
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采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同反复频率的辐照实验,获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌,并分析了微观作用机制。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
2019/11/26 9:46:16
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采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同反复频率的辐照实验,获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌,并分析了微观作用机制。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。
2020/7/27 22:22:46
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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