在混合晶体硫化镉和硒化镉中第一次获得了激光作用。
硫化镉的辐射光谱在绿色区，硒化镉则在红色区。
麻省理工学院林肯实验室的赫维茨(C.E.Hunvitz)说，改变混合晶体的成分，就能选择所需的辐射颜色。
用电子束激励时，激光器可以在绿色与红色之间的任何要求的波长上辐射。
当输出功率为20瓦时，安装的效率为15%。
硫化镉的辐射光谱在绿色区，硒化镉则在红色区。
麻省理工学院林肯实验室的赫维茨(C.E.Hunvitz)说，改变混合晶体的成分，就能选择所需的辐射颜色。
用电子束激励时，激光器可以在绿色与红色之间的任何要求的波长上辐射。
当输出功率为20瓦时，安装的效率为15%。
2023/1/18 15:31:21
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晶体中的光频转换是产生195~400纳米紫外光谱范围内相干光束的无效方法。
目前激光技术的发展，非线性光学技术的进一步完善以及新晶体材料的发现使得在此领域将会有更大的进展。
新材料提供了提高效率和扩展光谱范围的可能性，用通常的转换法即可产生强的射束。
例如，通过新的非线性光学材料β-硼酸钡（ΒΒΟ)就可实现这一点。
与目前已知的其他非线性光学晶体相比，ΒΒΟ可以无效地产生196~260纳米的强紫外射束。
此外，它还特别适用于产生1064纳米Nd:YAG激光束的谐波。
BBO除了倍频和产生三次谐波、四次谐波外，还能无效地将四次谐波和基频混频。
由此产生的五次谐波提供了短波长（212.8纳米）的强激光束。
目前激光技术的发展，非线性光学技术的进一步完善以及新晶体材料的发现使得在此领域将会有更大的进展。
新材料提供了提高效率和扩展光谱范围的可能性，用通常的转换法即可产生强的射束。
例如，通过新的非线性光学材料β-硼酸钡（ΒΒΟ)就可实现这一点。
与目前已知的其他非线性光学晶体相比，ΒΒΟ可以无效地产生196~260纳米的强紫外射束。
此外，它还特别适用于产生1064纳米Nd:YAG激光束的谐波。
BBO除了倍频和产生三次谐波、四次谐波外，还能无效地将四次谐波和基频混频。
由此产生的五次谐波提供了短波长（212.8纳米）的强激光束。
2021/1/3 2:09:35
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晶体中的光频转换是产生195~400纳米紫外光谱范围内相干光束的无效方法。
目前激光技术的发展，非线性光学技术的进一步完善以及新晶体材料的发现使得在此领域将会有更大的进展。
新材料提供了提高效率和扩展光谱范围的可能性，用通常的转换法即可产生强的射束。
例如，通过新的非线性光学材料β-硼酸钡（ΒΒΟ)就可实现这一点。
与目前已知的其他非线性光学晶体相比，ΒΒΟ可以无效地产生196~260纳米的强紫外射束。
此外，它还特别适用于产生1064纳米Nd:YAG激光束的谐波。
BBO除了倍频和产生三次谐波、四次谐波外，还能无效地将四次谐波和基频混频。
由此产生的五次谐波提供了短波长（212.8纳米）的强激光束。
目前激光技术的发展，非线性光学技术的进一步完善以及新晶体材料的发现使得在此领域将会有更大的进展。
新材料提供了提高效率和扩展光谱范围的可能性，用通常的转换法即可产生强的射束。
例如，通过新的非线性光学材料β-硼酸钡（ΒΒΟ)就可实现这一点。
与目前已知的其他非线性光学晶体相比，ΒΒΟ可以无效地产生196~260纳米的强紫外射束。
此外，它还特别适用于产生1064纳米Nd:YAG激光束的谐波。
BBO除了倍频和产生三次谐波、四次谐波外，还能无效地将四次谐波和基频混频。
由此产生的五次谐波提供了短波长（212.8纳米）的强激光束。
2015/1/2 4:35:43
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金属网栅和氧化铟锡(ITO)等透明导电膜是实现电磁屏蔽和可视兼容的常用材料，但其屏蔽和可见光透射率受到了很大的限制。
通过解决屏蔽、导电与可视功能相互制约的矛盾，可有效提高电磁屏蔽与可视功能的兼容性。
为此，报道了一种金属光子晶体透明膜。
采用磁控溅射制备了ITO/Ag为周期的金属光子晶体透明膜，研究了周期结构对样品屏蔽效能、透射率和方阻的影响。
研究表明，随着单位周期金属膜厚的增加，可见光600~800nm波段透射率降低10%以上，可见光透射光谱变窄。
同时400～600nm波长范围内透射率并没有随金属膜厚的增加而降低，甚至升高。
随着单位周期金属膜厚增加，微波频段的屏蔽效能相应提高，方阻相应降低。
实验证实：光子晶体膜的屏蔽效能与光子晶体中总金属膜厚不存在明确的因果关系，而是与“金属-电介质”的纳米周期结构相关。
制备了一种屏效高达70dB，方阻低达2.1Ω，透射率大于50%的光子晶体膜。
通过解决屏蔽、导电与可视功能相互制约的矛盾，可有效提高电磁屏蔽与可视功能的兼容性。
为此，报道了一种金属光子晶体透明膜。
采用磁控溅射制备了ITO/Ag为周期的金属光子晶体透明膜，研究了周期结构对样品屏蔽效能、透射率和方阻的影响。
研究表明，随着单位周期金属膜厚的增加，可见光600~800nm波段透射率降低10%以上，可见光透射光谱变窄。
同时400～600nm波长范围内透射率并没有随金属膜厚的增加而降低，甚至升高。
随着单位周期金属膜厚增加，微波频段的屏蔽效能相应提高，方阻相应降低。
实验证实：光子晶体膜的屏蔽效能与光子晶体中总金属膜厚不存在明确的因果关系，而是与“金属-电介质”的纳米周期结构相关。
制备了一种屏效高达70dB，方阻低达2.1Ω，透射率大于50%的光子晶体膜。
2015/3/8 6:19:45
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金属网栅和氧化铟锡(ITO)等透明导电膜是实现电磁屏蔽和可视兼容的常用材料，但其屏蔽和可见光透射率受到了很大的限制。
通过解决屏蔽、导电与可视功能相互制约的矛盾，可有效提高电磁屏蔽与可视功能的兼容性。
为此，报道了一种金属光子晶体透明膜。
采用磁控溅射制备了ITO/Ag为周期的金属光子晶体透明膜，研究了周期结构对样品屏蔽效能、透射率和方阻的影响。
研究表明，随着单位周期金属膜厚的增加，可见光600~800nm波段透射率降低10%以上，可见光透射光谱变窄。
同时400～600nm波长范围内透射率并没有随金属膜厚的增加而降低，甚至升高。
随着单位周期金属膜厚增加，微波频段的屏蔽效能相应提高，方阻相应降低。
实验证实：光子晶体膜的屏蔽效能与光子晶体中总金属膜厚不存在明确的因果关系，而是与“金属-电介质”的纳米周期结构相关。
制备了一种屏效高达70dB，方阻低达2.1Ω，透射率大于50%的光子晶体膜。
通过解决屏蔽、导电与可视功能相互制约的矛盾，可有效提高电磁屏蔽与可视功能的兼容性。
为此，报道了一种金属光子晶体透明膜。
采用磁控溅射制备了ITO/Ag为周期的金属光子晶体透明膜，研究了周期结构对样品屏蔽效能、透射率和方阻的影响。
研究表明，随着单位周期金属膜厚的增加，可见光600~800nm波段透射率降低10%以上，可见光透射光谱变窄。
同时400～600nm波长范围内透射率并没有随金属膜厚的增加而降低，甚至升高。
随着单位周期金属膜厚增加，微波频段的屏蔽效能相应提高，方阻相应降低。
实验证实：光子晶体膜的屏蔽效能与光子晶体中总金属膜厚不存在明确的因果关系，而是与“金属-电介质”的纳米周期结构相关。
制备了一种屏效高达70dB，方阻低达2.1Ω，透射率大于50%的光子晶体膜。
2015/3/8 6:19:45
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二维层状半导体材料具有独特的电子结构和量子尺寸效应,在光电子器件等领域遭到广泛关注。
其中,二维Ⅳ-Ⅵ族半导体因其具有成本低、元素丰富、对环境友好等优点,近年来成为研究热点之一。
介绍了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的独特晶体结构,总结了机械剥离、液相法、气相沉积等制备方法的研究进展,讨论了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体在场效应晶体管和光电器件领域的研究现状,并针对制备和器件应用方面存在的问题及今后的研究方向提出了建议。
其中,二维Ⅳ-Ⅵ族半导体因其具有成本低、元素丰富、对环境友好等优点,近年来成为研究热点之一。
介绍了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的独特晶体结构,总结了机械剥离、液相法、气相沉积等制备方法的研究进展,讨论了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体在场效应晶体管和光电器件领域的研究现状,并针对制备和器件应用方面存在的问题及今后的研究方向提出了建议。
2020/10/19 4:27:19
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二维层状半导体材料具有独特的电子结构和量子尺寸效应,在光电子器件等领域遭到广泛关注。
其中,二维Ⅳ-Ⅵ族半导体因其具有成本低、元素丰富、对环境友好等优点,近年来成为研究热点之一。
介绍了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的独特晶体结构,总结了机械剥离、液相法、气相沉积等制备方法的研究进展,讨论了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体在场效应晶体管和光电器件领域的研究现状,并针对制备和器件应用方面存在的问题及今后的研究方向提出了建议。
其中,二维Ⅳ-Ⅵ族半导体因其具有成本低、元素丰富、对环境友好等优点,近年来成为研究热点之一。
介绍了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的独特晶体结构,总结了机械剥离、液相法、气相沉积等制备方法的研究进展,讨论了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体在场效应晶体管和光电器件领域的研究现状,并针对制备和器件应用方面存在的问题及今后的研究方向提出了建议。
2020/10/19 4:27:19
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以波动方程和受激拉曼散射（SRS）物质方程为基础，采用光种子法，建立了固体相干反斯托克斯拉曼频移器的归一化耦合波方程，研讨了晶体中反斯托克斯光转换效率。
在脉冲抽运条件下分析了归一化增益系数G、归一化相位失配系数ΔK以及一阶斯托克斯光种子的归一化光场振幅ψs0三个变量对固体相干反斯托克斯拉曼频移器的影响，并作出了一系列相应曲线，由所得曲线估算了各归一化变量的合理取值范围。
分析结果表明，在ΔK=0时，通过增大ψs0来打破拉曼增益抑制的影响，其转换效率峰值可达到44%。
而当ψs0较弱时，可选取合适的相位失配系数，反斯托克斯光转换效率可达40%。
在脉冲抽运条件下分析了归一化增益系数G、归一化相位失配系数ΔK以及一阶斯托克斯光种子的归一化光场振幅ψs0三个变量对固体相干反斯托克斯拉曼频移器的影响，并作出了一系列相应曲线，由所得曲线估算了各归一化变量的合理取值范围。
分析结果表明，在ΔK=0时，通过增大ψs0来打破拉曼增益抑制的影响，其转换效率峰值可达到44%。
而当ψs0较弱时，可选取合适的相位失配系数，反斯托克斯光转换效率可达40%。
2015/8/26 22:14:19
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SSS1700是3S高度集成的单片USB音频控制器，带有片上振荡器将外部12MHz晶体组件保存在耳机应用程序中。
SSS1700功能支持96KHz24位采样率，带外部音频编解码器（24位/96KHzI2S输入和输出），并具有内置立体声16/24位ADC、立体声16/24位DAC、耳机驱动器、五频段硬件EQ、，音频锁相环，USB时钟振荡器，和USBFS控制器加物理层。
外部24C02~24C16EEPROM连接为USBVID/PID/产品字符串、默认增益设置提供了灵活性，以及其他定制需求。
SSS1700为特色USB提供了最低BOM处理方案Windows/MAC/Android操作系统中的音频处理方案。
SSS1700功能支持96KHz24位采样率，带外部音频编解码器（24位/96KHzI2S输入和输出），并具有内置立体声16/24位ADC、立体声16/24位DAC、耳机驱动器、五频段硬件EQ、，音频锁相环，USB时钟振荡器，和USBFS控制器加物理层。
外部24C02~24C16EEPROM连接为USBVID/PID/产品字符串、默认增益设置提供了灵活性，以及其他定制需求。
SSS1700为特色USB提供了最低BOM处理方案Windows/MAC/Android操作系统中的音频处理方案。
2015/9/22 5:44:49
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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