通过高频等离子体增强化学气相沉积（HFPECVD）在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜（SiNx：H）。
主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。
通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。
SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。
结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。
对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。
氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。
通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。
SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。
结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。
对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。
氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
2025/4/23 9:02:20
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我们提出了一种混合波导-磁共振系统，该系统具有周期性布置在波导层顶部的裂环谐振器（SRR）。
由于在SRR中生成的与磁共振模式的电耦合与波导层所支持的TE/TM波导模式之间的相消干扰，因此在红外波长下可获得双等离激元诱导的透明性。
此外，可以通过入射角动态调整PIT共振。
在1.448μm的波长处观察到具有7nm的FWHM的超窄PIT窗。
在较窄的PIT窗口处的组指数可以达到100。
我们还证明，在感测范围内，折射率灵敏度和品质因数值分别可以达到640nm/RIU和64。
提出的具有高品质因数PIT窗口的混合波导-磁共振系统有望用于有效的光学传感，光学开关和慢光设备设计。
（c）2015年美国眼镜学会
由于在SRR中生成的与磁共振模式的电耦合与波导层所支持的TE/TM波导模式之间的相消干扰，因此在红外波长下可获得双等离激元诱导的透明性。
此外，可以通过入射角动态调整PIT共振。
在1.448μm的波长处观察到具有7nm的FWHM的超窄PIT窗。
在较窄的PIT窗口处的组指数可以达到100。
我们还证明，在感测范围内，折射率灵敏度和品质因数值分别可以达到640nm/RIU和64。
提出的具有高品质因数PIT窗口的混合波导-磁共振系统有望用于有效的光学传感，光学开关和慢光设备设计。
（c）2015年美国眼镜学会
2025/3/25 11:11:45
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实验研究了芯径为600μm的全石英光纤传输脉宽为5ns,波长为1064nm的高峰值功率脉冲激光的传输特性。
采用N-ON-1测试方法,获得光纤损伤阈值和光纤传能特性曲线。
光纤50%概率损伤阈值为24mJ,平均输出激光能量达到14mJ,峰值功率接近3MW。
可将光纤传能特性曲线分为3个过程:未损伤段(平稳传输段)、光纤端面等离子体击穿段(非平稳传输段)和光纤体损伤段(传输截止段)。
分析了光纤损伤形貌和损伤机理。
研究表明,同时提高光纤端面等离子体击穿阈值和光纤初始输入段损伤阈值是提高光纤传能容量的关键。
采用N-ON-1测试方法,获得光纤损伤阈值和光纤传能特性曲线。
光纤50%概率损伤阈值为24mJ,平均输出激光能量达到14mJ,峰值功率接近3MW。
可将光纤传能特性曲线分为3个过程:未损伤段(平稳传输段)、光纤端面等离子体击穿段(非平稳传输段)和光纤体损伤段(传输截止段)。
分析了光纤损伤形貌和损伤机理。
研究表明,同时提高光纤端面等离子体击穿阈值和光纤初始输入段损伤阈值是提高光纤传能容量的关键。
2024/10/31 0:45:05
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在不同位置和激光辐照能量的条件下,采用传声器采集并提取了等离子体冲击波的压强值及其起始时间信息,分析了等离子体冲击波在空气中的传播规律，拟合得到了冲击波声压值与激光辐照能量的关系函数。
结果表明，激光等离子体冲击波以球面波形式在空气中进行传播，其声压值与激光辐照能量呈非线性的正相关关系。
结果表明，激光等离子体冲击波以球面波形式在空气中进行传播，其声压值与激光辐照能量呈非线性的正相关关系。
2024/9/18 15:24:36
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提出一种无源电检测装置，对A304不锈钢YAG激光焊接过程中的等离子体电信号进行检测，并利用高速摄像机对等离子体的形态进行观察。
结果表明，不同焊接模式下的等离子体电信号具有不同的时域特征。
对不同焊接模式下的等离子体电信号特征进行理论与试验分析，发现等离子体电信号受等离子体效应和鞘层效应的共同影响;小孔的形成与否是造成不同焊接模式下等离子体电信号特征不同的决定性因素。
结果表明，不同焊接模式下的等离子体电信号具有不同的时域特征。
对不同焊接模式下的等离子体电信号特征进行理论与试验分析，发现等离子体电信号受等离子体效应和鞘层效应的共同影响;小孔的形成与否是造成不同焊接模式下等离子体电信号特征不同的决定性因素。
2024/5/9 5:49:03
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我们建议使用1-atom-thick的结构，即单个石墨烯片用于Airy等离子体激元（AiP）的动态控制。
石墨烯层不仅用作引导介质，而且用作AiP的调节剂。
通过改变外部偏置电压，可以改变表面等离激元波的有效模式指数。
因此，AiP的偏转和传播距离是动态控制的。
由于石墨烯等离激元的优势，石墨烯AiP可能导致紧凑而灵活的AiP设备。
本文对于诸如可调谐等离激元光路由和片上信号处理之类的相关应用也可能是有益的。
石墨烯层不仅用作引导介质，而且用作AiP的调节剂。
通过改变外部偏置电压，可以改变表面等离激元波的有效模式指数。
因此，AiP的偏转和传播距离是动态控制的。
由于石墨烯等离激元的优势，石墨烯AiP可能导致紧凑而灵活的AiP设备。
本文对于诸如可调谐等离激元光路由和片上信号处理之类的相关应用也可能是有益的。
2024/5/4 22:40:50
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利用两个不对称的侧耦合腔，提出了一种等离子体金属-电介质-金属（MIM）波导中电磁感应透明（EIT）的模拟方法，并通过时域有限差分法（FDTD）进行了仿真。
仿真结果表明，EIT的透明峰对两个空腔的宽度差异以及两个空腔与总线的耦合距离差异非常敏感。
此外，我们发现EIT峰值的高传输通常伴随着相对较低的品质因数。
我们新颖的等离激元结构的这些特性将为高度集成的光学电路和光学信息处理铺平道路。
仿真结果表明，EIT的透明峰对两个空腔的宽度差异以及两个空腔与总线的耦合距离差异非常敏感。
此外，我们发现EIT峰值的高传输通常伴随着相对较低的品质因数。
我们新颖的等离激元结构的这些特性将为高度集成的光学电路和光学信息处理铺平道路。
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提出了基于光强检测方式的空芯光纤表面等离子体共振(SPR)传感器。
采用波长为532nm的激光作为光源,对所设计传感器的性能进行了研究,并采用光传输模型对传感器的性能进行了理论分析,所得理论结果与实验结果相符。
传感器在线性区的最高灵敏度和最佳分辨率分别达到8380.3μW/RIU和5.5×10－6RIU。
相比于波长检测型空芯光纤SPR传感器,所提传感器的分辨率提高了2个数量级,且实验系统简单,有利于器件的进一步小型化。
采用波长为532nm的激光作为光源,对所设计传感器的性能进行了研究,并采用光传输模型对传感器的性能进行了理论分析,所得理论结果与实验结果相符。
传感器在线性区的最高灵敏度和最佳分辨率分别达到8380.3μW/RIU和5.5×10－6RIU。
相比于波长检测型空芯光纤SPR传感器,所提传感器的分辨率提高了2个数量级,且实验系统简单,有利于器件的进一步小型化。
2024/2/10 10:32:36
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研究了一种对数螺线柱面晶体配接针孔对Z箍缩铝等离子体进行单色谱成像的摄谱成像仪，摄谱仪具有结构简单、外形尺寸紧凑的特点。
由于对数螺线晶体的保角特性，摄谱成像仪可在较大视场范围内对Z箍缩内爆等离子体进行单色谱成像。
在“阳”加速器上，针对Z箍缩铝等离子体K壳层的X射线辐射进行了成像实验，得到了铝丝阵内爆等离子体的类氢(1727.7eV)和类氦线(1588.3eV)单色图像。
在箍缩单色图像上观察到了磁瑞利泰勒不稳定性引起的“热点”及内爆不稳定性造成的螺旋形结构，反映了等离子体的内爆形态，为进一步理解Z箍缩物理过程和确定等离子体的辐射特性提供了参考。
由于对数螺线晶体的保角特性，摄谱成像仪可在较大视场范围内对Z箍缩内爆等离子体进行单色谱成像。
在“阳”加速器上，针对Z箍缩铝等离子体K壳层的X射线辐射进行了成像实验，得到了铝丝阵内爆等离子体的类氢(1727.7eV)和类氦线(1588.3eV)单色图像。
在箍缩单色图像上观察到了磁瑞利泰勒不稳定性引起的“热点”及内爆不稳定性造成的螺旋形结构，反映了等离子体的内爆形态，为进一步理解Z箍缩物理过程和确定等离子体的辐射特性提供了参考。
2023/11/23 20:27:09
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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