研究了1MeV和1.8MeV电子辐照下GaInPGaAsGe三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInPGaAsGe三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInPGaAsGe三结太阳电池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInPGaAsGe三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小GaAs子电池的基区损伤

采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同反复频率的辐照实验,获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌,并分析了微观作用机制。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。

采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同反复频率的辐照实验,获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌,并分析了微观作用机制。
结果表明,193nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用,其中光热作用占主导;SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关,辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤,增大激光反复频率会导致辐照损伤深度略微下降。

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。