基于第一原理自旋极化密度泛函理论计算，研究了半氟化氮化镓（GaN）片材的相对稳定性，电子结构和磁性能。
最稳定的构型显示出铁磁（FM）基态，每个氟的磁矩约为1.0μB。
半金属铁磁性主要归因于电荷从N原子转移到F原子。
氟化导致N-2pz态和不饱和F-2p轨道不成对的自旋。
空穴介导的双交换负责GaN片中的铁磁性。
此外，仅氟化Ga边缘的GaN纳米带（GaNNRs）为FM。
这开辟了一条通往无金属磁性材料的道路，这种材料具有制造自旋电子器件和纳米磁铁的巨大可能性。
最稳定的构型显示出铁磁（FM）基态，每个氟的磁矩约为1.0μB。
半金属铁磁性主要归因于电荷从N原子转移到F原子。
氟化导致N-2pz态和不饱和F-2p轨道不成对的自旋。
空穴介导的双交换负责GaN片中的铁磁性。
此外，仅氟化Ga边缘的GaN纳米带（GaNNRs）为FM。
这开辟了一条通往无金属磁性材料的道路，这种材料具有制造自旋电子器件和纳米磁铁的巨大可能性。
2023/9/6 21:17:31
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具有正交结构（Pbca-BN，空间）的完全四面结合的氮化硼（BN）同素异形体组：Pbca）通过第一性原理计算进行了研究。
在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。
根据我们的计算，我们发现Pbca-BN的体积模量为344GPa，剪切模量为316GPa，大的德拜温度为1734K，较小的位置比率0.14和60.1GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料：潜在的技术和工业应用。
我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399eV的绝缘体。
在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。
根据我们的计算，我们发现Pbca-BN的体积模量为344GPa，剪切模量为316GPa，大的德拜温度为1734K，较小的位置比率0.14和60.1GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料：潜在的技术和工业应用。
我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399eV的绝缘体。
2023/8/2 5:26:44
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基于Tourwire，我们构建了四个具有不同位置官能团的D-pi-A分子装置，以试图探索官能团对其电子输运性质的位置影响，并表明只有改变才能出现一些有趣的物理现象。
功能组的位置。
第一性原理计算表明，官能团的位置会显着影响整流行为（整流方向和比率），并确定是否可以观察到负微分电阻（NDR）以及NDR现象的物理起因。
功能组的位置。
第一性原理计算表明，官能团的位置会显着影响整流行为（整流方向和比率），并确定是否可以观察到负微分电阻（NDR）以及NDR现象的物理起因。
2023/7/12 8:43:43
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第一性原理计算已用于研究带有侧链CH2基团的之字形石墨烯纳米带（ZGNR）的电子和磁性。
CH2将原始ZGNR的磁态抑制在12埃之内。
当CH2的相对数量减少时，位于每个边缘的具有CH2对的ZGNR会经历从非磁性状态到反铁磁性状态的转变。
能隙在非磁性状态下打开。
当仅在一侧边缘连接有CH2的系统时，它们会显示铁磁性或亚铁磁性状态，具体取决于CH2的数量。
CH2基团同时饱和ZGNR的CS和7键，从而打开ZGNR的带隙并增强ZGNR的稳定性。
因此，基于相同的带结构但CH2基团的位置和数量不同，ZGNR提供了广泛的可能的电子和磁性。
CH2将原始ZGNR的磁态抑制在12埃之内。
当CH2的相对数量减少时，位于每个边缘的具有CH2对的ZGNR会经历从非磁性状态到反铁磁性状态的转变。
能隙在非磁性状态下打开。
当仅在一侧边缘连接有CH2的系统时，它们会显示铁磁性或亚铁磁性状态，具体取决于CH2的数量。
CH2基团同时饱和ZGNR的CS和7键，从而打开ZGNR的带隙并增强ZGNR的稳定性。
因此，基于相同的带结构但CH2基团的位置和数量不同，ZGNR提供了广泛的可能的电子和磁性。
2023/7/3 12:20:22
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二氧化钒介电常数仿真研讨，洪玮，陈钱，本文在第一性原理的基础上，运用Drude模型对相变后的VO2进行仿真拟合，获取了相变后的VO2光学参量。
当波长小于3000nm时，Drude模型公式��
当波长小于3000nm时，Drude模型公式��
2023/2/23 17:16:26
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
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采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算了Ce，S单掺杂及Ce/S共掺杂锐钛矿型二氧化钛(TiO2)的能带结构、态密度和光学性质。
结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；
此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化功能。
结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；
此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化功能。
2015/4/4 20:22:47
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（含源码及报告）本程序分析了自2016年到2021年（外加）每年我国原油加工的产量，并且分析了2020年全国各地区原油加工量等，含饼状图，柱状图，折线图，数据在地图上显示。
运转本程序需要requests、bs4、csv、pandas、matplotlib、pyecharts库的支持，如果缺少某库请自行安装后再运转。
文件含6个excel表，若干个csv文件以及一个名字为render的html文件（需要用浏览器打开），直观的数据处理部分是图片以及html文件，可在地图中显示，数据处理的是excel文件。
不懂可以扫文件中二维码在QQ里面问。
运转本程序需要requests、bs4、csv、pandas、matplotlib、pyecharts库的支持，如果缺少某库请自行安装后再运转。
文件含6个excel表，若干个csv文件以及一个名字为render的html文件（需要用浏览器打开），直观的数据处理部分是图片以及html文件，可在地图中显示，数据处理的是excel文件。
不懂可以扫文件中二维码在QQ里面问。
2022/9/30 16:31:44
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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