本资源包括微纳电子器件课程的全部课后思考题,包括等比例缩小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heatdeath”、MOS中绝缘层减薄带来的负效应、EOT的概念、“HKMG”、窄沟道效应、热载流子(HCE)效应、源漏穿通及次开启抑制措施、迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的物理效应对阈值电压的影响、漏工程、沟道工程、栅工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP,3DIC,SIP、SOP、SOC、碳纳米管、引线的电迁移景象等内容,总结非常详细,内容十分丰富,特别适合期末考试复习使用。
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