提出了一种在半导体-绝缘体-半导体波导中形成磁光布拉格光栅的高度可调太赫兹（THz）滤波器，并通过有限元方法进行了数值模拟。
结果表明，在具有缺陷的布拉格光栅波导的带隙中存在具有高Q值的尖峰，并且可以通过改变施加到器件的横向磁场的强度来极大地改变尖峰的位置。
与没有施加磁场的情况相比，当施加1T磁场时，滤波后的频率（波长）的偏移高达36.1GHz（11.4μm）。
此外，本文提出了一个简单的模型来预测滤波频率，并提出了一种有效的方法来提高滤波器的Q值。
（C）2013年作者。
除另有说明外，所有文章内容均根据知识共享署名3.0未移植许可证进行许可。
[http://dx.doi.org/10.1063/1.4812703]
结果表明，在具有缺陷的布拉格光栅波导的带隙中存在具有高Q值的尖峰，并且可以通过改变施加到器件的横向磁场的强度来极大地改变尖峰的位置。
与没有施加磁场的情况相比，当施加1T磁场时，滤波后的频率（波长）的偏移高达36.1GHz（11.4μm）。
此外，本文提出了一个简单的模型来预测滤波频率，并提出了一种有效的方法来提高滤波器的Q值。
（C）2013年作者。
除另有说明外，所有文章内容均根据知识共享署名3.0未移植许可证进行许可。
[http://dx.doi.org/10.1063/1.4812703]
2023/9/12 14:25:01
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具有正交结构（Pbca-BN，空间）的完全四面结合的氮化硼（BN）同素异形体组：Pbca）通过第一性原理计算进行了研究。
在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。
根据我们的计算，我们发现Pbca-BN的体积模量为344GPa，剪切模量为316GPa，大的德拜温度为1734K，较小的位置比率0.14和60.1GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料：潜在的技术和工业应用。
我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399eV的绝缘体。
在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。
根据我们的计算，我们发现Pbca-BN的体积模量为344GPa，剪切模量为316GPa，大的德拜温度为1734K，较小的位置比率0.14和60.1GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料：潜在的技术和工业应用。
我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399eV的绝缘体。
2023/8/2 5:26:44
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提出了一种具有带陷波特性的共面波导（CPW）馈电新型平面超宽带天线。
拟议中的天线由一个矩形的金属辐射贴片和一个锥形的弧形接地平面组成。
为了实现超宽带，引入了三种修改方式，第一种是在贴片的上角去除90度的扇形角，第二种是将贴片的底部成形为弧形，第三种修改是以便在馈线附近的接地平面的每一侧上消除一个小的风扇角度。
仿真结果表明，对于VSWR<2，建议的天线在3.0至23GHz的频率范围内工作。
通过在辐射补丁中嵌入C形缝隙，无线局域网（WLAN）的5至6GHz带宽之间的频带陷波将为获得这项工作中的所有模拟都是使用电磁软件AnsoftHFSS11进行的。
与最近提出的天线相比，该天线具有带宽大，带隙特性好，尺寸紧凑和易于设计的优点。
给出了拟议天线的细节，仿真结果表明该天线在整个频段上具有稳定的辐射方向图和良好的增益平坦度
拟议中的天线由一个矩形的金属辐射贴片和一个锥形的弧形接地平面组成。
为了实现超宽带，引入了三种修改方式，第一种是在贴片的上角去除90度的扇形角，第二种是将贴片的底部成形为弧形，第三种修改是以便在馈线附近的接地平面的每一侧上消除一个小的风扇角度。
仿真结果表明，对于VSWR<2，建议的天线在3.0至23GHz的频率范围内工作。
通过在辐射补丁中嵌入C形缝隙，无线局域网（WLAN）的5至6GHz带宽之间的频带陷波将为获得这项工作中的所有模拟都是使用电磁软件AnsoftHFSS11进行的。
与最近提出的天线相比，该天线具有带宽大，带隙特性好，尺寸紧凑和易于设计的优点。
给出了拟议天线的细节，仿真结果表明该天线在整个频段上具有稳定的辐射方向图和良好的增益平坦度
2023/7/15 10:48:13
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第一性原理计算已用于研究带有侧链CH2基团的之字形石墨烯纳米带（ZGNR）的电子和磁性。
CH2将原始ZGNR的磁态抑制在12埃之内。
当CH2的相对数量减少时，位于每个边缘的具有CH2对的ZGNR会经历从非磁性状态到反铁磁性状态的转变。
能隙在非磁性状态下打开。
当仅在一侧边缘连接有CH2的系统时，它们会显示铁磁性或亚铁磁性状态，具体取决于CH2的数量。
CH2基团同时饱和ZGNR的CS和7键，从而打开ZGNR的带隙并增强ZGNR的稳定性。
因此，基于相同的带结构但CH2基团的位置和数量不同，ZGNR提供了广泛的可能的电子和磁性。
CH2将原始ZGNR的磁态抑制在12埃之内。
当CH2的相对数量减少时，位于每个边缘的具有CH2对的ZGNR会经历从非磁性状态到反铁磁性状态的转变。
能隙在非磁性状态下打开。
当仅在一侧边缘连接有CH2的系统时，它们会显示铁磁性或亚铁磁性状态，具体取决于CH2的数量。
CH2基团同时饱和ZGNR的CS和7键，从而打开ZGNR的带隙并增强ZGNR的稳定性。
因此，基于相同的带结构但CH2基团的位置和数量不同，ZGNR提供了广泛的可能的电子和磁性。
2023/7/3 12:20:22
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涵盖以下章节答案：第1章模拟电路设计绪论第2章MOS器件物理基础第3章单级放大器第4章差动放大器第5章无源与有源电流镜第6章放大器的频率特性第7章运算放大器第8章稳定性与频率补偿第9章带隙基准第10章开关电容电路导论第11章版图与封装
2023/6/4 7:55:30
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
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工程由keil4创建，内含电路图、代码、数据手册，代码注释清晰，简单易懂，使用N76E003单片机带隙电压进行标定，保证读取电压精确性。
如有不清晰的地方，推荐看我的博客
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2016/5/15 8:55:07
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光子晶体的计算方法，包括传输矩阵法，时域有限差分法等四种，运用四种不同的计算方法在理论上研究了光子晶体.通过平面波展开法计算光子晶体的频带结构,结合多重散射法研究光子晶体的透射谱,调查不同结构的带隙规律和对入射光的影响.对于二维光子晶体,同一结构对入射光波的影响与入射光的偏振态有关.TE模和TM模的频带结果表明,两者在较低几级布拉格反射区均能产生较宽的完全带隙.用多重散射法研究三维光子晶体的透射与反射性质,并推导出含缺陷层的转移矩阵.
2017/2/21 19:13:45
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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