层层自组装制备单晶形中空微容器研究，吕春玲，张景林，本文采用层层自组装法（layer-by-layer,简称LBL）对亚微米级单晶形中空微容器的制备进行了研究，并对研究结果进行了分析和讨论。
研究表
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2024/7/4 9:50:20
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本文主要研究表面极化声子的喇曼散射.在探测表面极化声子的衰减全反射方法以及喇曼散射方法的基础上,借鉴了Kretchmann配置的衰减全反射喇曼散射法,提出了Otto配置的衰减全反射喇曼散射法,并以CaF_2单晶体为样品做了一系列实验.同时,本文利用了能量守恒及平行于样品表面的能量守恒关系,利用了格林函数或响应函数所推出的表面极化声子的一般频散关系,理论上给出了CaF_2-空气表面极化声子的一个唯象的频散关系.实验上用特定设计制做的一个样品架对CaF_2样品测定了它与空气界面上的表面极化声子的频散关系,比较结果,理论与实验取得了比较令人满意的一致.
2024/2/2 6:48:47
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Ho3+∶ZnWO4是一种潜在的优异激光晶体，对于其光谱成果的钻研具备未必价钱。
付与引上法成长出光学品质的Ho3+∶ZnWO4单晶，测定了晶体的排汇光谱以及发射光谱，行使乍患上-奥菲而特(Judd-Ofelt)实际盘算出Ho3+离子在ZnWO4晶体中的强度参数Ω2=3.757×10-20cm2，Ω4=2.089×10-20cm2，Ω6=4.659×10-20cm2。
由此患上到5I7→5I8跃迁的辐射寿命以及发射截面积分别为17.08ms，0.667×10-18cm2;四能级跃迁体系5S2→5I7的发射截面积为1.200×10-18cm2，荧光分支比为0.3525。
从而提出5I7→5I8，5S2→5I7可作为暴发激光的跃迁通道举行激光试验。
付与引上法成长出光学品质的Ho3+∶ZnWO4单晶，测定了晶体的排汇光谱以及发射光谱，行使乍患上-奥菲而特(Judd-Ofelt)实际盘算出Ho3+离子在ZnWO4晶体中的强度参数Ω2=3.757×10-20cm2，Ω4=2.089×10-20cm2，Ω6=4.659×10-20cm2。
由此患上到5I7→5I8跃迁的辐射寿命以及发射截面积分别为17.08ms，0.667×10-18cm2;四能级跃迁体系5S2→5I7的发射截面积为1.200×10-18cm2，荧光分支比为0.3525。
从而提出5I7→5I8，5S2→5I7可作为暴发激光的跃迁通道举行激光试验。
2023/3/22 2:11:01
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IT6263是双8LVDS转HDMI的单晶片IC,PIN脚少,撑持hdmi1.3.
2016/4/17 4:31:08
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AMPS-1D中文指南，从AMPS的原理为切入点，AMPS是基于对泊松方程，电子和空穴的连续性方程，复合/产生方程的求解来对要设计器件的结构和功能进行模拟的。
那么，求解方程需要哪些参数，我们就要设置哪些参数。
AMPS适用与对半导体（单晶，非晶，多晶），绝缘体，金属的模拟。
那么，求解方程需要哪些参数，我们就要设置哪些参数。
AMPS适用与对半导体（单晶，非晶，多晶），绝缘体，金属的模拟。
2015/2/10 13:56:13
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采用Adams嵌入原子势(EAM),利用分子动力学方法对单晶A1的熔化过程进行了模仿,分析了A1样品体熔化过程中结构、能量的变化及表面熔化过程中固一液界面的移动情况。
模仿的结果表明:对于A1样品体熔化过程,体系的体积和内能在1205K发生突变;通过计算1000-1200K下A1的表面熔化速度,得出热力学熔点为985K,与存在的实验结果基本吻合。
模仿的结果表明:对于A1样品体熔化过程,体系的体积和内能在1205K发生突变;通过计算1000-1200K下A1的表面熔化速度,得出热力学熔点为985K,与存在的实验结果基本吻合。
2022/9/7 12:04:52
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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