条纹计数法的分辨率精度，而常用的高级外部差调频校准法（如相位差生成载波法，线性调频法），在光源调频过程中伴生有幅度调制和调制调制系统复杂。
提出了一种基于双光纤光路相位偏移的法布里-珀罗（FP）位移传感器，原理上省去了光源调频过程，在提高检测精度的同时，成本与条纹计数法相当。
位移测量实验结果表明，该传感器在0〜500μm的测量范围内，线性度为1.1％，误差界限为±3μm。

TC650及TC651是带有温度传感器用于无刷直流风扇速度控制的集成电路。
这两个器件主要特点：根据检测的温度来控制风扇转速，达到合理的散热功能，既减小风扇噪声、延长风扇寿命，又能节省电能；
工厂已在器件内设定温度控制的范围，并分成多级PWM控制，使用户无需设定及外设电阻元件，电路简洁、使用方便；
从25℃到+70℃，其典型精度可达±1℃；
低功耗，静态电流典型值50μA；
工作电压范围2.8～5.5V；
内部有超温报警信号(Tover)输出(电平信号)；
工作温度-40℃～+125℃。
　　这两种芯片主要应用于个人计算机过热保护、机顶盒、笔记本电脑、数据通信装置、电源系统里的散热风扇控制。
管脚排列与功能

根据色散方程、能量和动量守恒,研究非线性晶体ZnGeP2(ZGP)的光参变特性,得到2μm抽运时的I和II类ZGP-OPO角度调谐曲线。
在I类匹配时角度调谐范围为50.7°～57°,对应的波长连续调谐范围在2.4～11μm;在II类相位匹配时,波长调谐范围2.4～11.5μm(在3～6μm不连续),对应的角度调谐范围为58°～87°。
同时对调谐过程中的允许角、走离角进行了分析,对ZGP与AgGaS2(AGS)和AgGaSe2(AGSe)晶体做了分析比较,结果表明ZGP为较好的中红外激光晶体。

采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。
模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。
进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm。
为实际器件的线性化设计提供理论依据。

采用电子束沉积法在镁掺杂铌酸锂基底上镀制了多波段增透膜,透射波段分别为1.064μm,1.4～1.6μm和3.5～4.3μm,测量了薄膜在1064nm多脉冲辐照下的损伤阈值,以及无薄膜铌酸锂晶体本身的损伤阈值。
结果表明,镀膜之后,晶体的损伤阈值较未镀膜样品明显提高。

量块支撑与安装方式对坐标测量机尺寸测量示值误差的影响已经越来越引起重视，尤其对于线性测量精度为0.6μm+1000/L以上的计量型坐标测量机量块安装姿态对校准结果的影响不可忽略。
利用单频激光干涉仪作为测量仪，通过专用变形量测量系统，测量量块在不同姿态下支撑位置对量块中心长度的影响。
提出利用多点支撑法，减小量块长度变化量的测试方案。
实验结果表明，采用多点支撑法测得量块最大变形量为+0.21μm，并根据对坐标测量机尺寸测量示值误差测量结果不确定度分析，重新计算其标准不确定度为0.75μm。

报道了基于空芯光纤的1.5μm光纤气体拉曼激光放大器。
实验以一个1.5μm波段的可调谐分布式反馈激光器为种子源,输出的连续波种子激光与1064nm微芯片激光器的输出脉冲抽运激光通过双色镜一起耦合进充乙烷气体的空芯光纤中,通过乙烷分子的受激拉曼散射实现了高效率的1553nm拉曼激光输出。
种子光的注入极大地降低了受激拉曼散射阈值,从而将拉曼光-光转换效率提高到47.5%。
该研究为实现高效率的光纤气体拉曼激光输出提供了一条有效的技术途径。

现在我们回到LDA的原理上，我们在第一节说讲到了LDA希望投影后希望同一种类别数据的投影点尽可能的接近，而不同类别的数据的类别中心之间的距离尽可能的大，但是这只是一个感官的度量。
现在我们首先从比较简单的二类LDA入手，严谨的分析LDA的原理。
　　　　假设我们的数据集D={(x1,y1),(x2,y2),...,((xm,ym))}D={(x1,y1),(x2,y2),...,((xm,ym))},其中任意样本xixi为n维向量，yi∈{0,1}yi∈{0,1}。
我们定义Nj(j=0,1)Nj(j=0,1)为第j类样本的个数，Xj(j=0,1)Xj(j=0,1)为第j类样本的集合，而μj(j=0,1)μj(j=0,1)为第j类样本的均值向量，定义Σj(j=0,1)Σj(j=0,1)为第j类样本的协方差矩阵（严格说是缺少分母部分的协方差矩阵）。
　　　　μjμj的表达式为：μj=1Nj∑x∈Xjx(j=0,1)μj=1Nj∑x∈Xjx(j=0,1)　　　　ΣjΣj的表达式为：Σj=∑x∈Xj(x−μj)(x−μj)T(j=0,1)Σj=∑x∈Xj(x−μj)(x−μj)T(j=0,1)　　　　由于是两类数据，因此我们只需要将数据投影到一条直线上即可。
假设我们的投影直线是向量ww,则对任意一个样本本xixi,它在直线ww的投影为wTxiwTxi,对于我们的两个类别的中心点μ0,μ1μ0,μ1,在在直线ww的投影为wTμ0wTμ0和wTμ1wTμ1。
由于LDA需要让不同类别的数据的类别中心之间的距离尽可能的大，也就是我们要最大化||wTμ0−wTμ1||22||wTμ0−wTμ1||22,同时我们希望同一种类别数据的投影点尽可能的接近，也就是要同类样本投影点的协方差wTΣ0wwTΣ0w和wTΣ1wwTΣ1w尽可能的小，即最小化wTΣ0w+wTΣ1wwTΣ0w+wTΣ1w。
综上所述，我们的优化目标为：argmaxwJ(w)=||wTμ0−wTμ1||22wTΣ0w+wTΣ1w=wT(μ0−μ1)(μ0−μ1)TwwT(Σ0+Σ1)wargmax⏟wJ(w)=||wTμ0−wTμ1||22wTΣ0w+wTΣ1w=wT(μ0−μ1)(μ0−μ1)TwwT(Σ0+Σ1)w　　　　我们一般定义类内散度矩阵SwSw为：Sw=Σ0+Σ1=∑x∈X0(x−μ0)(x−μ0)T+∑x∈X1(x−μ1)(x−μ1)TSw=Σ0+Σ1=∑x∈X0(x−μ0)(x−μ0)T+∑x∈X1(x−μ1)(x−μ1)T　　　　同时定义类间散度矩阵SbSb为：Sb=(μ0−μ1)(μ0−μ1)TSb=(μ0−μ1)(μ0−μ1)T　　　　这样我们的优化目标重写为：argmaxwJ(w)=wTSbwwTSwwargmax⏟wJ(w)=wTSbwwTSww　　　　仔细一看上式，这不就是我们的广义瑞利商嘛！这就简单了，利用我们第二节讲到的广义瑞利商的性质，我们知道我们的J(w)J(w)最大值为矩阵S−12wSbS−12wSw−12SbSw−12的最大特征值，而对应的ww为S−12wSbS−12wSw−12SbSw−12的最大特征值对应的特征向量!而S−1wSbSw−1Sb的特征值和S−12wSbS−12wSw−12SbSw−12的特征值相同,S−1wSbSw−1Sb的特征向量w′w′和S−12wSbS−12wSw−12SbSw−12的特征向量ww满足w′=S−12www′=Sw−12w的关系!　　　　注意到对于二类的时候，SbwSbw的方向恒为μ0−μ1μ0−μ1,不妨令Sbw=λ(μ0−μ1)Sbw=λ(μ0−μ1)，将其带入：(S−1wSb)w=λw(Sw−1Sb)w=λw，可以得到w=S−1w(μ0−μ1)w=Sw−1(μ0−μ1)，也就是说我们只要求出原始二类样本的均值和方差就可以确定最佳的投影方向ww了。

分析了熔体提拉法生长Ho∶Tm∶YLF晶体过程中熔体表面漂浮物的产生原因，以及晶体中散射颗粒、孪晶和开裂的成因。
通过精心设计对称性温场，并调整温场、优化生长工艺参数，有效消除了晶体中的散射颗粒，克服了晶体开裂。
采取在生长气氛中加入一定量CF4等工艺措施有效减少了熔体表面上的氟氧化物漂浮物，克服了漂浮物对生长晶体的影响，生长出了尺寸为(25~30)mm×(100~120)mm的高品质HoTmYLF晶体。
HoTmYLF晶体激光性能测试表明，在LD双端抽运条件下获得了超过10W的2.05μm激光输出，激光斜率效率达到41.2%，光光转换效率达到36.4%。

石墨烯具有特殊的二维柔性结构,可调控费米能级特性和优异的光学、电学性能。
利用有限元法，对覆石墨烯微纳光纤光场调控进行理论分析，通过改变石墨烯与缓冲层结构覆微纳光纤的角度，破坏光纤的对称性结构，使光纤具有双折射特性，双折射度大小与石墨烯覆盖角度有关；
通过外加电压的方法改变石墨烯的化学势，可对光纤进行开关调控，由此设计出一种包覆石墨烯的微纳光纤电吸收型调制器并进行性能分析。
通过数值分析可发现当覆盖光纤角度为270°时，1550nm处双折射度可达1.23×10-3；
电吸收调制器工作在1550nm时，器件长度为18μm，消光比为7dB，3dB带宽可达到927MHz，插入损耗为0.58dB

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。