输出功率P0=0.5W工作频率f0=7MHz调幅度ma=100%电源电压12v频率准确度△f/f0≤5×10-4；
画出调幅发射机组成框图，方案的确定，晶体振荡器设计计算

本文给大家分享了一个交流电子稳压器过电压保护电路。

包含psasp7.0版本自带全部算例，2节点，7节点，9节点，36节点单线图，可进行潮流计算，暂态稳定计算，电压稳定计算等等！

二、Matpower潮流计算结果和本人编写程序计算结果对比展示各节点电压和相角图一matpower计算得出的结果图二本人程序计算得出的结果对比图一和图二可知，两种计算方法得出的节点电压和相位角度一致。
PV节点和平衡节点注入网络的功率图三本人程序得出注入网络的功率

demovoltageread是labview演示读取电压子程序可以模拟电压的输出

提出了一种新颖的SPWM技术,它具有与VSV-PWM同样高的直流电压利用率,又消除了传统谐波注入法的缺陷,且开关次数最少,是一种简而优的SPWM方法

微电子器件与集成电路（IC）设计基础是一门深入探讨微电子技术核心原理的学科，它涵盖了从基本的半导体物理到复杂集成电路设计的广泛知识。
以下是对这套PPT内容的详细解读：1.**第1章：电子设备的物理基础**-半导体材料：本章将介绍半导体的基本性质，如硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体，以及杂质掺杂的概念，如何通过掺杂N型和P型半导体来控制电子和空穴的浓度。
-电荷载体：讨论电子和空穴作为半导体中的电流载体，以及它们在电场下的移动方式。
-PN结：解释PN结的形成，它的能带结构，以及PN结的正向和反向偏置特性，包括击穿电压。
-单极晶体管：介绍BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的工作原理，包括放大作用和开关特性。
2.**第2章：半导体器件**-MOSFET的详细分析：深入讲解MOSFET的结构，包括N沟道和P沟道类型，以及它们的阈值电压、亚阈值区行为和饱和区特性。
-BJTs的运作：解释集电极、基极和发射极之间的电流关系，以及共射、共基和共集配置的放大系数。
-模拟和数字器件：区分模拟和数字半导体器件，例如运算放大器、逻辑门电路和MOS集成电路。
3.**第3章：集成电路设计基础**-集成电路制造工艺：涵盖光刻、扩散、离子注入等半导体制造步骤，以及VLSI（超大规模集成电路）制造的挑战和解决方案。
-CMOS技术：介绍互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，它是现代数字电路的基础，包括NMOS和PMOS晶体管的互补工作原理。
-IC设计流程：概述从系统级设计到门级描述，再到布局布线的完整集成电路设计流程，包括硬件描述语言（如Verilog或VHDL）和逻辑综合。
-片上系统（SoC）：讨论集成微处理器、存储器和其他功能模块的单片系统设计，及其在嵌入式系统中的应用。
这三章内容构成了微电子器件与IC设计基础的核心，涵盖了从基本理论到实际应用的关键知识点。
学习这些内容对于理解微电子技术的原理，以及进一步从事集成电路设计和半导体产业的工作至关重要。
通过这套PPT，学生和从业者可以深入理解半导体物理学、器件原理和集成电路设计的方方面面。

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1）采样电阻由电阻R₁、R₂和R₃组成。
当输出电压发生变化是，采样电阻对变化量进行采样，并传送到放大电路的反相输入端。
2）放大电路放大电路A的作用是将采样电阻送来的变化量进行放大，然后传送到调整管的基极。
3）基准电压基准电压由稳压管VDz提供，接在放大电路的同相输入端。
采样电阻与基准电压进行比较，得到的差值再由放大电路进行放大。
4）调整管调整管VT接在输入直流电压Ui与输出端的负载电阻RL之间，当输出电压Uₒ发生波动时，调整管的集电极电压产生相应的变化，是输出电压基本保持稳定。

通过simulink仿真，实现微电网在孤岛和并网模式以及切换状态的平滑过程，维持电压频率稳定

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。