二维热传导方程有限差分法的分解与计算步骤，最初还附上MATLAB实现程序以及详细解释，是学习偏微分方程以及差分算法的不错的参考材料
2018/7/15 3:23:44
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FDTD是加拿大公司开发的基于时域有限差分法（FDTD）的微纳光子学仿真高功能多处理器麦克斯韦方程求解软件，可用于纳光子器件、工艺和材料的设计、分析和优化。
2019/10/25 5:36:37
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拉格朗日－欧拉方法二维数值模仿的研究，崔冰艳，，从Navier-Stoles方程和连续方程出发，在ALE描述下，用有限差分的方法对计算区域进行四边形单元的网格划分；
利用权因子对平流通量进行�
利用权因子对平流通量进行�
2015/7/21 23:31:53
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设计蝶形多模干涉(MMI)耦合器时,需要根据所要求的功率分割比率确定器件的结构参量。
作为矩形多模干涉耦合器的特征参量的耦合长度,通过数值分析对称干涉型矩形多模干涉耦合器的成像位置而得到,从而可利用模传输分析(MPA)法的公式设计出蝶形多模干涉耦合器的理论预期结构。
使用有限差分波束传输法(FD-BPM)对设计参量进行校正,并且数值算出器件实际实现的功率分割比率。
针对基于SOI晶片的设计实例表明,仿真得到的蝶形多模干涉耦合器的长度较理论预期大2～4μm,实际实现的功率分割比率较理论预期值低且器件外形越偏离矩形,其值相差越大。
作为矩形多模干涉耦合器的特征参量的耦合长度,通过数值分析对称干涉型矩形多模干涉耦合器的成像位置而得到,从而可利用模传输分析(MPA)法的公式设计出蝶形多模干涉耦合器的理论预期结构。
使用有限差分波束传输法(FD-BPM)对设计参量进行校正,并且数值算出器件实际实现的功率分割比率。
针对基于SOI晶片的设计实例表明,仿真得到的蝶形多模干涉耦合器的长度较理论预期大2～4μm,实际实现的功率分割比率较理论预期值低且器件外形越偏离矩形,其值相差越大。
2018/10/11 11:43:55
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这是一个地震反演的程序2维时间域全波形反演（TimedomainFullWaveformInversion）使用非分裂完全婚配曾（NPML）技术处理吸收边界使用2阶位移运动方程正演使用空间8阶时间2阶精度的交错网格有限差分技术
2018/6/4 9:51:51
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利用频域有限差分法，分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。
研究表明：平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗次要是由本征吸收和导模共振吸收引起，而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值；
织构型的晶硅电池内部光场分布复杂，可在光垂直入射情况下，使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应，且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应，从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性，且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。
研究表明：平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗次要是由本征吸收和导模共振吸收引起，而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值；
织构型的晶硅电池内部光场分布复杂，可在光垂直入射情况下，使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应，且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应，从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性，且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。
2021/4/3 22:12:24
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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