电子元器件应用技术基于OP放大器与晶体管的放大电路设计-黑田彻.pdf仅仅1分下载，下在后返回，等于0分下载。
本书是“图解实用电子技术丛书”之一，本书详细介绍了运算放大器的内部特性与工作原理，由浅人深、循序渐进。
全书共分八章：第1章介绍利用晶体管制作简单的运算放大器；
第2章则对通用型运算放大器与简单型运算放大器进行了比较；
第3章和第4章介绍利用SPICE改善运算放大器的特性以及减少晶体管的失真；
第5章和第6章分析三种运算放大器的电路结构与设计技巧；
第7章介绍高速宽频带运算放大器；
第8章则介绍低功耗、高功能CMOS型运算放大器。
本书内容难易适中、图文并茂，可供从事运算放大器内部电路设计的读者使用，也可作为电子、信息工程等专业师生与相关专业科研人员的参考用书。
内容提要本书是“图解实用电子技术丛书”之一，本书详细介绍了运算放大器的内部特性和工作原理，由浅入深、循序渐进。
全书共分八章；
第1章介绍利用晶体管制作简单的运算放大器；
第2章则对通用型运算放大器与简单型运算放大器进行了比较；
第3章和第4章利用SPICE改善运用放大器的特性以及减少晶体管的失真；
第5章和第6章分析三种运算放大器的电路结构与设计技巧；
第7章介绍高速宽频带运算放大器；
第8章则介绍低功耗、高功能CMOS型运算放大器。
本书内容难易适中、图文并茂，可供从事运算放大器内部电路设计的读者使用，也可作为电子、信息工程等专业师生和相关专业科研人员的参考用书。
作者简介1945年生于日本兵库县970年日本神户大学经济学部(系)毕业1971年进入日本电音(株)公司技术部工作1972年辞职现任黑田电子技术研究所所长

溅射非化学计量的铝和钛氧化物层钝化的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的比较研讨

IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种电压控制型功率器件，它所需驱动功率小，控制电路简单，导通压降低，且具有较大的安全工作区和短路承受能力。
因此，目前IGBT已在中功率以上的电力电子系统中（如变频器、UPS电源、高频焊机等）逐渐取代了POWERMOSFET及POWERBJT而成为功率开关元件市场中的重要一员。
  然而如何有效地驱动并保护IGBT则成为目前电力电子领域中的重要研究课题之一。
一个具有保护功能的驱动电路不但能在正常工作状态下给IGBT提供所需的驱动功率，在异常工作状态下能起保护IGBT的作用，而且应当能使电力电子系统中的IGBT有很好的替换特性。
因此高功能的驱动电路是提高电子产品品质和可靠性，从而增强其竞争力的关键之一。

摘要：本文介绍一种基于单片机高功能可调直流稳压电源的设计，该设计主要分为主电路与控制电路。
其中主电路包括：采用二极管组成的三相桥式不可控整流电路；
采用新一代开关元件—绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关功率管的降压斩波电路即稳压电路；
电容滤波电路。
控制电路采用AT89C51单片机经过软件程序编程生成PWM波，它作为IGBT驱动电路EXB841的输入信号，实现对IGBT器件的导通关断控制；
AT89C51通过反馈电压与所需基准电压比较调制PWM波，即改变占空比，从而实现高功能可调直流稳压。
我利用自己大学中所掌握的专业理论知识及所拥有的创新实践能力将现代电力电子技术中的整流、滤波、斩波技术，PWM脉宽调制技术，单片机技术，检测技术等有机结合在一起，以求达到所需直流稳压电源的要求：不仅要在功能上做到效率高、噪声低、高次谐波低、既节能又不干扰环境，还要在功能上力求实现数控化、自动化与智能化。

实验一三点式正弦波振荡器（模块1）一、实验目的1.掌握三点式正弦波振荡器电路的基本原理，起振条件，振荡电路设计及电路参数计算。
2.通过实验掌握晶体管静态工作点、反馈系数大小对振荡幅度的影响。
图1-1正弦波振荡器（4.5MHz）将开关S3拨上S4拨下，S1、S2全部断开，由晶体管Q3和C13、C20、C10、CCI、L2构成电容反馈三点式振荡器的改进型振荡器——西勒振荡器，电容CCI可用来改变振荡频率。
振荡器的频率约为4.5MHz振荡电路反馈系数:F=振荡器输出通过耦合电容C3（10P）加到由Q2组成的射极跟随器的输入端，因C3容量很小，再加上射随器的输入阻抗很高，可以减小负载对振荡器的影响。
射随器输出信号Q1调谐放大，再经变压器耦合从J1输出。
三、实验步骤1.根据图在实验板上找到振荡器各零件的位置并熟悉各元件的作用。
2.研究振荡器静态工作点对振荡幅度的影响。
3.将开关S3拨上S4拨下，S1、S2全拨下，构成LC振荡器。
4.改变上偏置电位器RA1，记下发射极电流，并用示波器测量对应点的振荡幅度VP-P（峰—峰值）记下对应峰峰值以及停振时的静态工作点电流值。
5.经测量，停振时的静态工作点电流值为2.23mA6.分析输出振荡电压和振荡管静态工作点的关系，按以上调整静态工作点的方法改变Ieq，并测量相应的，且把数据记入下表。
Ieq(mA)1.201.401.591.802.23Up-p（mV）304348384428停振7.晶体振荡器：将开关S4拨上S3拨下，S1、S2全部拨下，由Q3、C13、C20、晶体CRY1与C10构成晶体振荡器（皮尔斯振荡电路），在振荡频率上晶体等效为电感。
8.拍摄晶振正弦波如下：f=4.19MHz四、实验结果分析分析静态工作点、反馈系数F对振荡器起振条件和输出波形振幅的影响，并用所学理论加以分析。
答：晶体管的起振条件是约等于0.6V，使静态工作点处于此电压附近，并加入正反馈。
同时随着静态电流的增大，输出波形的幅度也增大。
增长到一定程度后，由于晶体管的非线性特性和电源电压的限制，输出波形振幅不再增长，振荡建立的过程结束，放大倍数的值下降至稳定。
|AF|=1，输出波形振幅维持在一个确定值，电路构成动态平衡。
五、实验仪器1．高频实验箱1台2．双踪示波器1台3．万用表1块

在嵌入式电路设计中，常用到的元器件，场效应晶体管（MOS管）的基础知识引见，P-MOS、N-MOS的区别，以及在电路中的工作原理。

将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以无效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础。
通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解最大包问题等的相关算法,对现有的商用数字CMOS标准单元库进行无效筛选,得到适用于低电压工作的近阈值数字CMOS标准单元库。
通过一个应用于传感网中的双电压域、双核微控制器流片测试,对此标准单元库进行了验证,结果显示其中工作在0.5V下的高能效核的能量效率相较传统工作电压下提高到2.76倍。

基于石墨烯-量子点混合的宽光谱呼应场效应光电晶体管

晶体管测试仪可以测你常用到的一切零件的参数，可以对频率进行测量，也可以产生占空比和频率可调的信号！实用更好用

国外经典教材，比国内照搬公式的好多了，极度值得一看

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。